GD150HCX170C6SA, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1700

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =100o C

281

150

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

300

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

1136

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1700

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

150

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

300

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

E C =150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

2.25

E C =150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

2.35

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =6.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

5.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

4.3

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

18.1

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.44

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

1.41

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =150A, Barre G =0.51Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =48nH ,T vj =25o C

206

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

44

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

337

n.S.

t f

Temps d'automne

331

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

39.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

21.7

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =150A, Barre G =0.51Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =48nH ,T vj =125o C

232

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

54

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

422

n.S.

t f

Temps d'automne

514

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

55.3

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

32.7

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC = 900V,I C =150A, Barre G =0.51Ω,V Généralement générés = ± 15 V, LS =48nH ,T vj =150o C

239

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

57

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

442

n.S.

t f

Temps d'automne

559

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

60.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

34.9

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V MEC ≤ 1700V

600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =150A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

E F =150A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.95

E F =150A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.90

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V Généralement générés =-15V LS =48nH ,T vj =25o C

42.8

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

142

A

E réc

Récupération Énergie

22.3

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V Généralement générés =-15V LS =48nH ,T vj =125o C

64.7

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

147

A

E réc

Récupération Énergie

35.0

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre = 900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V Généralement générés =-15V LS =48nH ,T vj =150o C

72.0

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

148

A

E réc

Récupération Énergie

38.8

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.10

mΩ

Barre le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.132 0.209

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.029 0.047 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g