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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

Page d'accueil/Produits/Module IGBT/Module IGBT 1200V

GD200HFU120C8S, Module IGBT, STARPOWER

1200V 200A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD200HFU120C8S
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Brève présentation

Module IGBT ,produit par STARPOWER. 1200V 200A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT NPT
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • Faibles pertes de commutation
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

  • Alimentation en mode commutation
  • Chauffage par induction
  • Soudeuse électronique

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C=25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C

@ T C=65o C

262

200

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

400

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =150o C

1315

L

Diode

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

IF

Diode à dérive continue le loyer

200

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

400

A

Module

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

150

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +125

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC=200A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

3.00

3.45

V

IC=200A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

3.80

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=2.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

4.4

5.3

6.0

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

5.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.3

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

13.0

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

0.85

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

2.10

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=200A, Barre G= 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

87

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

40

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

451

n.S.

t f

Temps d'automne

63

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

6.8

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

11.9

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=200A, Barre G= 4,7Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C

88

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

44

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

483

n.S.

t f

Temps d'automne

78

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

11.4

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

13.5

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =125o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

1300

A

Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF =200A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =200A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

2.00

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

13.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

236

A

Eréc

Récupération Énergie

6.6

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =125o C

23.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

269

A

Eréc

Récupération Énergie

10.5

je suis désolé.

Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.095

0.202

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.135

0.288

0.046

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

200

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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