H150ZPU, Diode redresseuse

Je _T(AV)

6500Une

V. Le groupe _RRM

8100V 8300V

8500V

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

Valeur

Unité

Min

Type

Max

IF(AV)

Courant direct moyen

180° onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC= 100 ℃

150

6500

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

8000

8500

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

À V _RRM

150

500

le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

onde sinusoïdale demi période de 10ms RV =0.6V _RRM

150

100

kA

Le nombre de t

I2t pour coordination de fusion

50000

10³Une ²s

VFO

Voltage de seuil

150

0.800

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.125

mΩ

VFM

Tension directe de crête

IFM=5000A, F= 140kN

25

1.50

V. Le groupe

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

Les capacités de charge sont calculées en fonction des niveaux de tension du système.

14000

le taux de décharge

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinusoïdal, refroidi des deux côtés Force de serrage 24kN

0.0028

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.0006

FM

Force de montage

165

190

kN

Tvj

Température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

4000

g

Le schéma

ZT140dT