Présentation succincte
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 900A.
Caractéristiques
- Technologie IGBT NPT
-
10 μs capab de court-circuit l'égalité
-
Faible pertes de changement
-
Robuste avec une performance ultra-rapide ance
-
V CE (assis ) avec positifs température coefficient
-
Récupération inverse rapide et douce fWD antiparallèle
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Typique Applications
- Alimentation en mode commutation
- Chauffage par induction
- Soudeuse électronique
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C=25o C à moins autrement noté
L'IGBT
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
IC |
Courant collecteur @ T C=25o C
@ T C=80o C
|
1350
900
|
A |
ICm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
1800 |
A |
PD |
Puissance maximale Dissipation @ T j =150o C |
7.40 |
kW |
Diode
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Voltage inverse de pointe répétitif |
1200 |
V |
IF |
Diode à dérive continue le loyer |
900 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
1800 |
A |
Module
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
T jmax |
Température maximale de jonction |
150 |
o C |
T le jouet |
Température de fonctionnement des jonctions |
-40 à +125 |
o C |
T GST |
Température de stockage Autonomie |
-40 à +125 |
o C |
V ISO |
Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute. |
4000 |
V |
L'IGBT Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur
Voltage de saturation
|
IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T j =25o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T j =125o C |
|
3.60 |
|
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
IC= 16,0 mA,V CE =V Généralement générés , T j =25o C |
5.0 |
6.1 |
7.0 |
V |
ILe CES |
Le collecteur Découpé -Éteint
Actuel
|
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
le nombre de |
IGES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
C- Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz,
V Généralement générés =0V
|
|
53.1 |
|
nF |
Crés |
Transfert inverse
Capacité
|
|
3.40 |
|
nF |
QG |
Charge de la porte |
V Généralement générés =- 15...+15V |
|
8.56 |
|
le taux de décharge |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC = 900V,I C= 800A, R G= 1,3Ω,
V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C
|
|
90 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
81 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
500 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
55 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement
Perte de
|
|
36.8 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt
Perte de
|
|
41.3 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC = 900V,I C= 800A, R G= 1,3Ω,
V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C
|
|
115 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
92 |
|
n.S. |
t d (éteint ) |
Débranchement Temps de retard |
|
550 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
66 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement
Perte de
|
|
52.5 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt
Perte de
|
|
59.4 |
|
je suis désolé. |
|
ISC
|
Données SC
|
t P≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,
T j =125o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V
|
|
5200
|
|
A
|
Diode Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
V F |
Diode vers l'avant
Tension
|
IF = 800 A, V Généralement générés =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V |
IF = 800 A, V Généralement générés =0V,T j = 125o C |
|
1.95 |
|
Qr |
Charge récupérée |
V CC = 900V,I F = 800A,
-di/dt=9500A/μs,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C
|
|
56 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
550 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
38.7 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V CC = 900V,I F = 800A,
-di/dt=9500A/μs,V Généralement générés = ± 15 V, T j = 125o C
|
|
148 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
920 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
91.8 |
|
je suis désolé. |
Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
LCE |
Inductivité de déplacement |
|
12 |
|
nH |
R CC+EE |
Module de résistance au plomb, Terminal au chip |
|
0.19 |
|
mΩ |
R θ JC |
Les points de jonction (par IGB) T)
Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)
|
|
|
16.9
26.2
|
K/kW |
R θ CS |
Pour les appareils de type "IGBT"
Pour les appareils de type "Sync"
|
|
19.7
30.6
|
|
K/kW |
R θ CS |
Casse à évier |
|
6.0 |
|
K/kW |
|
M
|
Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Connexion Terminal Couple, Vire M8 Le couple de montage Vire M6 |
1.8
8.0
4.25
|
|
2.1
10
5.75
|
N.m.
|
G |
Poids de Module |
|
1500 |
|
g |
EN
