GD900SGF120A3SN,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =100o C

1466

900

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1800

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

5.34

kW

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

900

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1800

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =900A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

2.00

2.45

V

E C =900A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

2.50

E C =900A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

2.65

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =32.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

1.44

oh

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A, Barre Gon =1Ω, Barre Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Généralement générés =-10/+15V, T vj =25o C

520

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

127

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

493

n.S.

t f

Temps d'automne

72

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

76.0

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

85.0

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A, Barre Gon =1Ω, Barre Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Généralement générés =-10/+15V, T vj =125o C

580

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

168

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

644

n.S.

t f

Temps d'automne

89

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

127

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

98.5

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A, Barre Gon =1Ω, Barre Goff =2Ω, Ls=50nH,

V Généralement générés =-10/+15V, T vj =150o C

629

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

176

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

676

n.S.

t f

Temps d'automne

96

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

134

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

99.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =900A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.95

2.40

V

E F =900A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

2.00

E F =900A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

2.05

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V Généralement générés =-10V,

T vj =25o C

80

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

486

A

E réc

Récupération Énergie

35.0

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V Généralement générés =-10V,

T vj =125o C

153

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

510

A

E réc

Récupération Énergie

64.0

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V Généralement générés =-10V,

T vj =150o C

158

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

513

A

E réc

Récupération Énergie

74.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

12

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.19

mΩ

Barre le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

28.1 44.1

K/kW

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

9.82 15.4 6.0

K/kW

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Le couple de connexion du terminal, Vire M8 Le couple de montage Vire M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m.

G

Poids de Module

1050

g