GD400SGU120C2SD,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C =65 o C

542

400

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

800

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj = 150 o C

2840

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

400

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

800

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

150

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +125

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C

3.10

3.55

V. Le groupe

Je C = 400 A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 125 o C

3.95

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =16 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T vj = 25 o C

4.9

5.9

6.9

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T vj = 25 o C

5.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.63

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

27.0

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

1.64

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15V…+15V

4.32

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V Généralement générés = ± 15 V, LS =50 nH ,T vj = 25 o C

275

n.S.

t r

Il est temps de monter.

68

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

455

n.S.

t f

Temps d'automne

45

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

26.0

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

16.2

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V Généralement générés = ± 15 V, LS =50 nH ,T vj = 125 o C

281

n.S.

t r

Il est temps de monter.

69

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

495

n.S.

t f

Temps d'automne

57

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

32.9

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

19.9

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T vj = 125 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

2700

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F = 400 A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je F = 400 A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C

1.90

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5666A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =50 nH ,T vj = 25 o C

42.0

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

329

A

E réc

Récupération Énergie

16.2

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5534A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =50 nH ,T vj = 125 o C

71.9

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

382

A

E réc

Récupération Énergie

30.0

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.35

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.044 0.107

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.014 0.034 0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g