GD900SGX120C2SA_B20,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C = 100o C

1410

900

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1800

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T =175o C

5000

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C =900A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.80

2.25

V

E C =900A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.10

E C =900A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.15

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =22.5le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

5.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.6

oh

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15V... +15V

7.40

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A,

Barre Gon = 1.5Ω,R Goff = 0,9Ω, V Généralement générés =±15V,T j =25o C

257

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

96

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

628

n.S.

t f

Temps d'automne

103

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

43

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

82

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A,

Barre Gon = 1.5Ω,R Goff = 0,9Ω,

V Généralement générés =±15V,T j = 125o C

268

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

107

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

659

n.S.

t f

Temps d'automne

144

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

59

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

118

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A,

Barre Gon = 1.5Ω,R Goff = 0,9Ω,

V Généralement générés =±15V,T j = 150o C

278

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

118

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

680

n.S.

t f

Temps d'automne

155

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

64

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

134

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V,

V MEC ≤1200V

3600

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F =900A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.71

2.16

V

E F =900A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.74

E F =900A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.75

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V Généralement générés =- 15V T j =25o C

76

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

513

A

E réc

Récupération Énergie

38.0

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 125o C

143

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

684

A

E réc

Récupération Énergie

71.3

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V Généralement générés =- 15V T j = 150o C

171

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

713

A

E réc

Récupération Énergie

80.8

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.18

mΩ

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.030

0.052

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.016

0.027

0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g