Toutes les catégories
Obtenir un devis

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

Page d’accueil /  Produits /  Module IGBT /  Module IGBT 1200V

GD800HFX120C6HA,Module IGBT,STARPOWER

1200V 800A

Brand:
Le système de régulation
Spu:
GD800HFX120C6HA
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 800A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • L technologie IGBT à tranchée avec faible VCE(sat)
  • capacité de court-circuit de 10 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de la jonction 175
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Substrat en Si3N4 pour une faible résistance thermique
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie AMB en Si3N4

Applications Typiques

  • Véhicule hybride et électrique
  • Invertisseurs pour moteur
  • Énergie ininterrompue

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =100o C

800

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1600

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

5172

L

Diode

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

800

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1600

A

Module

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

2500

V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.95

2.40

V

E C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.30

E C = 800 A, V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.40

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

0.7

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

62.1

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

1.74

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

4.66

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C = 800A, Barre G =1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, L S =40nH ,T j =25o C

266

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

98

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

394

n.S.

t f

Temps d'automne

201

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

108

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

73.8

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C = 800A, Barre G =1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, L S =40nH ,T j =125o C

280

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

115

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

435

n.S.

t f

Temps d'automne

275

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

153

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

91.3

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C = 800A, Barre G =1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, L S =40nH ,T j =150o C

282

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

117

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

446

n.S.

t f

Temps d'automne

290

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

165

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

94.4

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

2400

A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F = 800 A, V Généralement générés =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

E F = 800 A, V Généralement générés =0V,T j =125o C

2.15

E F = 800 A, V Généralement générés =0V,T j =150o C

2.20

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=5800A/μs,V Généralement générés =-15V, L S =40nH ,T j =25o C

48.1

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

264

A

E réc

Récupération Énergie

18.0

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4800A/μs,V Généralement générés =-15V, L S =40nH ,T j =125o C

95.3

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

291

A

E réc

Récupération Énergie

35.3

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4550A/μs,V Généralement générés =-15V, L S =40nH ,T j =150o C

107

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

293

A

E réc

Récupération Énergie

38.5

je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.029 0.050

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.028 0.049 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g

Le schéma

image(c537ef1333).png

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Produit associé

Vous avez des questions sur les produits?

Notre équipe de vente professionnelle attend votre consultation.
Vous pouvez suivre leur liste de produits et poser toutes les questions qui vous intéressent.

Obtenir un devis

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000