GD800HFX120C6HA,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=100o C

800

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1600

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

5172

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

800

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1600

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.95

2.40

V

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

2.30

IC= 800 A, V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.40

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

0.7

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

62.1

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

1.74

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

4.66

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, LS =40nH ,T j =25o C

266

n.S.

t r

Il est temps de monter.

98

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

394

n.S.

t f

Temps d'automne

201

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

108

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

73.8

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, LS =40nH ,T j =125o C

280

n.S.

t r

Il est temps de monter.

115

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

435

n.S.

t f

Temps d'automne

275

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

153

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

91.3

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C= 800A, R G=1.0Ω, V Généralement générés = ± 15 V, LS =40nH ,T j =150o C

282

n.S.

t r

Il est temps de monter.

117

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

446

n.S.

t f

Temps d'automne

290

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

165

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

94.4

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

2400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF = 800 A, V Généralement générés =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

IF = 800 A, V Généralement générés =0V,T j =125o C

2.15

IF = 800 A, V Généralement générés =0V,T j =150o C

2.20

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=5800A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =40nH ,T j =25o C

48.1

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

264

A

Eréc

Récupération Énergie

18.0

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4800A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =40nH ,T j =125o C

95.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

291

A

Eréc

Récupération Énergie

35.3

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F = 800A,

-di/dt=4550A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =40nH ,T j =150o C

107

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

293

A

Eréc

Récupération Énergie

38.5

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.029 0.050

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.028 0.049 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g