GD100PIX120C6SNA, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =100o C

155

100

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

200

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

511

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

100

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

200

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1600

V

E O

Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale

100

A

E Le FSM

Courant de pointe p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1150

880

A

E 2t

E 2t-valeur,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

6600

3850

A 2s

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =100o C

87

50

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

100

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

308

L

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

25

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

50

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de la jonction (inversor, frein) Température maximale de la jonction (redresseur)

175

150

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =100A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

2.15

V

E C =100A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.95

E C =100A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =4.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

7.5

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

10.4

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.29

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

0.78

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =100A, Barre G = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

218

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

35

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

287

n.S.

t f

Temps d'automne

212

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

9.23

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.85

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =100A, Barre G = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

242

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

41

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

352

n.S.

t f

Temps d'automne

323

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

13.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

9.95

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =100A, Barre G = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

248

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

43

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

365

n.S.

t f

Temps d'automne

333

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

14.9

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

10.5

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =100A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

E F =100A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.90

E F =100A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =100A,

-di/dt=2500A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C

5.89

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

103

A

E réc

Récupération Énergie

3.85

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =100A,

-di/dt=2100A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C

13.7

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

109

A

E réc

Récupération Énergie

6.64

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =100A,

-di/dt=1950A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C

15.6

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

109

A

E réc

Récupération Énergie

7.39

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =100A, T j =150o C

0.95

V

E Barre

Courant inverse

T j =150o C,V Barre =1600V

2.0

le nombre de

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =50A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

2.15

V

E C =50A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.95

E C =50A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =2.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V

5.18

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.15

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 ... + 15V

0.39

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =50A, Barre G =15Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

171

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

32

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

340

n.S.

t f

Temps d'automne

82

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

6.10

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

2.88

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =50A, Barre G =15Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

182

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

43

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

443

n.S.

t f

Temps d'automne

155

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

8.24

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

4.43

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =50A, Barre G =15Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

182

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

43

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

464

n.S.

t f

Temps d'automne

175

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

8.99

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

4.94

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

200

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =25A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

E F =25A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.90

E F =25A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C

2.9

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

55

A

E réc

Récupération Énergie

0.93

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C

5.1

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

58

A

E réc

Récupération Énergie

1.72

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =25A,

-di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C

5.6

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

60

A

E réc

Récupération Énergie

2.01

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

40

nH

Barre CC+EE Barre AA ’+CC ’

Module de résistance au plomb nce,Terminal à Puce

4.00 3.00

mΩ

Barre le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT -invertisseur )

Jonction-à-Case (par Diode-invert eur)

Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur)

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT -frein -hachoir ) Junction-to-Case (par Diode-frein-chop par)

0.293 0.505 0.503 0.487 1.233

Pour les produits de base

Barre thCH

Étude de cas -à -Disjoncteur (parIGBT -invertisseur )

Couvercle-dissipateur de chaleur (par Diode-in verter)

Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur)

Étude de cas -à -Disjoncteur (parIGBT -frein -hachoir )Couvercle-dissipateur de chaleur (par Diode-frein- chopper) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur

3.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g