Introduction brève 
Module IGBT ,produit par   Le système de régulation . 1200V 100A. Je suis désolé. 
Caractéristiques 
- Technologie IGBT à faible VCE (sat) 
- capacité de court-circuit de 10 μs 
- VCE (sat) avec coefficient de température positif 
- 
Température maximale de la jonction 175 ℃ 
- Cas à faible inductance 
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD 
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC 
Applications Typiques 
- Invertisseurs pour moteur 
- Amplificateur à servo-entraînement CA et CC 
- Énergie ininterrompue 
 
- Je ne sais pas.  Le montant maximal  Notes de notation  T   F   = 25 o   C    à moins  autrement  noté  
Unité de mesure de la pression 
| Le symbole  | Description    | Valeur    | Unité  | 
| V. Le groupe Le CES  | Voltage du collecteur-émetteur  | 1200 | V. Le groupe  | 
| V. Le groupe GES  | Voltage de l'émetteur de la porte  | ± 20  | V. Le groupe  | 
| Je C    | Courant collecteur @ T C   = 25 o   C @ T   C   = 100 o   C    | 155 100 | A  | 
| Je Cm  | Courant collecteur pulsé t p =1ms  | 200 | A  | 
| P D  | Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o   C    | 511 | Le  | 
Déplacement de diode 
 
| Le symbole  | Description    | Valeur    | Unité  | 
| V. Le groupe RRM  | Tension inverse de crête répétitive âge  | 1200 | V. Le groupe  | 
| Je F    | Diode courant continu avant Cu rente  | 100 | A  | 
| Je FM  | Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms  | 200 | A  | 
Diode-redresseur 
 
| Le symbole  | Description    | Valeur    | Unité  | 
| V. Le groupe RRM  | Tension inverse de crête répétitive âge  | 1600 | V. Le groupe  | 
| Je O    | Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale  | 100 | A  | 
| Je Le FSM  | Courant de pointe p =10ms @ T j = 25o   C      @ T j = 150 o   C    | 1150 880 | A  | 
| Je 2t    | Je 2t-valeur,t p =10ms @ T j = 25 o   C     @ T j = 150 o   C    | 6600 3850 | A 2s  | 
Frein IGBT 
 
| Le symbole  | Description    | Valeur    | Unité  | 
| V. Le groupe Le CES  | Voltage du collecteur-émetteur  | 1200 | V. Le groupe  | 
| V. Le groupe GES  | Voltage de l'émetteur de la porte  | ± 20  | V. Le groupe  | 
| Je C    | Courant collecteur @ T C   = 25 o   C @ T   C   = 100 o   C    | 87 50 | A  | 
| Je Cm  | Courant collecteur pulsé t p =1ms  | 100 | A  | 
| P D  | Puissance maximale Dissipation @ T j = 175 o   C    | 308 | Le  | 
Diode -frein   
 
| Le symbole  | Description    | Valeur    | Unité  | 
| V. Le groupe RRM  | Tension inverse de crête répétitive âge  | 1200 | V. Le groupe  | 
| Je F    | Diode courant continu avant Cu rente  | 25 | A  | 
| Je FM  | Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms  | 50 | A  | 
Module 
 
| Le symbole  | Description    | Valeur    | Unité  | 
| T   jmax  | Température maximale de la jonction (inversor, frein)  Température maximale de la jonction (redresseur)  | 175 150 | o   C    | 
| T   le jouet  | Température de fonctionnement des jonctions  | -40 à +150  | o   C    | 
| T   GST  | Plage de température de stockage  | -40 à +125  | o   C    | 
| V. Le groupe ISO  | Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t   = 1 minute  | 2500 | V. Le groupe  | 
L'IGBT -invertisseur  Caractéristiques  T   C   = 25 o   C    à moins  autrement  noté 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unité  | 
|     V. Le groupe CE (sat)  |     Collecteur à émetteur  Voltage de saturation  | Je C   =100A,V Généralement générés = 15 V,  T   j = 25 o   C    |   | 1.70 | 2.15 |     V. Le groupe  | 
| Je C   =100A,V Généralement générés = 15 V,  T   j = 125 o   C    |   | 1.95 |   | 
| Je C   =100A,V Généralement générés = 15 V,  T   j = 150 o   C    |   | 2.00 |   | 
| V. Le groupe Généralement générés (le ) | Seuil d'émetteur de porte  Tension  | Je C   =4.00 le nombre de ,V. Le groupe CE   = V. Le groupe Généralement générés , T   j = 25 o   C    | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V. Le groupe  | 
| Je Le CES  | Le collecteur  Coupe -Éteint Actuel  | V. Le groupe CE   = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,  T   j = 25 o   C    |   |   | 1.0 | le nombre de  | 
| Je GES  | Fuite de l'émetteur de la porte  Actuel  | V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE   =0V, T   j = 25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Le gint  | Résistance à la porte interne ance  |   |   | 7.5 |   | oh  | 
| C   - Je vous en prie.  | Capacité d'entrée  | V. Le groupe CE   = 25V, f=1 MHz,  V. Le groupe Généralement générés =0V  |   | 10.4 |   | nF  | 
| C   rés  | Transfert inverse  Capacité  |   | 0.29 |   | nF  | 
| Q: Le numéro G    | Charge de la porte  | V. Le groupe Généralement générés =-15  ... + 15V  |   | 0.78 |   | le taux de décharge  | 
| t   d (sur ) | Temps de retard d'activation  |     V. Le groupe CC =600V,I C   =100A,   R G   = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V,  T   j = 25 o   C    |   | 218 |   | n.S.  | 
| t   r  | Il est temps de monter.  |   | 35 |   | n.S.  | 
| t   d(off)  | Débranchement  Temps de retard  |   | 287 |   | n.S.  | 
| t   f    | Temps d'automne  |   | 212 |   | n.S.  | 
| E sur  | On le met en marche  Le changement  Perte de  |   | 9.23 |   | je suis désolé.  | 
| E éteint  | Commutateur d'arrêt  Perte de  |   | 6.85 |   | je suis désolé.  | 
| t   d (sur ) | Temps de retard d'activation  |     V. Le groupe CC =600V,I C   =100A,   R G   = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V,  T   j = 125 o   C    |   | 242 |   | n.S.  | 
| t   r  | Il est temps de monter.  |   | 41 |   | n.S.  | 
| t   d(off)  | Débranchement  Temps de retard  |   | 352 |   | n.S.  | 
| t   f    | Temps d'automne  |   | 323 |   | n.S.  | 
| E sur  | On le met en marche  Le changement  Perte de  |   | 13.6 |   | je suis désolé.  | 
| E éteint  | Commutateur d'arrêt  Perte de  |   | 9.95 |   | je suis désolé.  | 
| t   d (sur ) | Temps de retard d'activation  |     V. Le groupe CC =600V,I C   =100A,   R G   = 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V,  T   j = 150 o   C    |   | 248 |   | n.S.  | 
| t   r  | Il est temps de monter.  |   | 43 |   | n.S.  | 
| t   d(off)  | Débranchement  Temps de retard  |   | 365 |   | n.S.  | 
| t   f    | Temps d'automne  |   | 333 |   | n.S.  | 
| E sur  | On le met en marche  Le changement  Perte de  |   | 14.9 |   | je suis désolé.  | 
| E éteint  | Commutateur d'arrêt  Perte de  |   | 10.5 |   | je suis désolé.  | 
|   Je SC  |   Données SC  | t   P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,  T   j = 150 o   C,V CC =900V,  V. Le groupe MEC ≤1200V  |   |   400 |   |   A  | 
Diode -invertisseur  Caractéristiques  T   C   = 25 o   C    à moins  autrement  noté 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unité  | 
|   V. Le groupe F    | Diode vers l'avant  Tension  | Je F   =100A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o   C    |   | 1.85 | 2.30 |   V. Le groupe  | 
| Je F   =100A,V Généralement générés =0V,T j =1 25o   C    |   | 1.90 |   | 
| Je F   =100A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o   C    |   | 1.95 |   | 
| Q: Le numéro r  | Charge récupérée  |   V. Le groupe R =600V,I F   =100A,  -di/dt=2500A/μs,V Généralement générés =-15V  T   j = 25 o   C    |   | 5.89 |   | le taux de décharge  | 
| Je RM  | Période de pointe à l'envers  Courant de récupération  |   | 103 |   | A  | 
| E réc  | Récupération  Énergie  |   | 3.85 |   | je suis désolé.  | 
| Q: Le numéro r  | Charge récupérée  |   V. Le groupe R =600V,I F   =100A,  -di/dt=2100A/μs,V Généralement générés =-15V  T   j = 125 o   C    |   | 13.7 |   | le taux de décharge  | 
| Je RM  | Période de pointe à l'envers  Courant de récupération  |   | 109 |   | A  | 
| E réc  | Récupération  Énergie  |   | 6.64 |   | je suis désolé.  | 
| Q: Le numéro r  | Charge récupérée  |   V. Le groupe R =600V,I F   =100A,  -di/dt=1950A/μs,V Généralement générés =-15V  T   j = 150 o   C    |   | 15.6 |   | le taux de décharge  | 
| Je RM  | Période de pointe à l'envers  Courant de récupération  |   | 109 |   | A  | 
| E réc  | Récupération  Énergie  |   | 7.39 |   | je suis désolé.  | 
 
Diode -redresseur    Caractéristiques  T   C   = 25 o   C    à moins  autrement  noté 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unité  | 
| V. Le groupe F    | Diode vers l'avant  Tension  | Je F   =100A, T   j = 150 o   C    |   | 0.95 |   | V. Le groupe  | 
| Je R  | Courant inverse    | T   j = 150 o   C,V R =1600V  |   |   | 2.0 | le nombre de  | 
L'IGBT -frein    Caractéristiques  T   C   = 25 o   C    à moins  autrement  noté 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unité  | 
|     V. Le groupe CE (sat)  |     Collecteur à émetteur  Voltage de saturation  | Je C   =50A,V Généralement générés = 15 V,  T   j = 25 o   C    |   | 1.70 | 2.15 |     V. Le groupe  | 
| Je C   =50A,V Généralement générés = 15 V,  T   j = 125 o   C    |   | 1.95 |   | 
| Je C   =50A,V Généralement générés = 15 V,  T   j = 150 o   C    |   | 2.00 |   | 
| V. Le groupe Généralement générés (le ) | Seuil d'émetteur de porte  Tension  | Je C   =2.00 le nombre de ,V. Le groupe CE   = V. Le groupe Généralement générés , T   j = 25 o   C    | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V. Le groupe  | 
| Je Le CES  | Le collecteur  Coupe -Éteint Actuel  | V. Le groupe CE   = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V,  T   j = 25 o   C    |   |   | 1.0 | le nombre de  | 
| Je GES  | Fuite de l'émetteur de la porte  Actuel  | V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE   =0V, T   j = 25 o   C    |   |   | 400 | nA  | 
| R Le gint  | Résistance interne de la porte  |   |   | 0 |   | oh  | 
| C   - Je vous en prie.  | Capacité d'entrée  | V. Le groupe CE   = 25V, f=1 MHz,  V. Le groupe Généralement générés =0V  |   | 5.18 |   | nF  | 
| C   rés  | Transfert inverse  Capacité  |   | 0.15 |   | nF  | 
| Q: Le numéro G    | Charge de la porte  | V. Le groupe Généralement générés =-15  ... + 15V  |   | 0.39 |   | le taux de décharge  | 
| t   d (sur ) | Temps de retard d'activation  |     V. Le groupe CC =600V,I C   =50A,    R G   =15Ω,V Généralement générés = ± 15 V,  T   j = 25 o   C    |   | 171 |   | n.S.  | 
| t   r  | Il est temps de monter.  |   | 32 |   | n.S.  | 
| t   d(off)  | Débranchement  Temps de retard  |   | 340 |   | n.S.  | 
| t   f    | Temps d'automne  |   | 82 |   | n.S.  | 
| E sur  | On le met en marche  Le changement  Perte de  |   | 6.10 |   | je suis désolé.  | 
| E éteint  | Commutateur d'arrêt  Perte de  |   | 2.88 |   | je suis désolé.  | 
| t   d (sur ) | Temps de retard d'activation  |     V. Le groupe CC =600V,I C   =50A,    R G   =15Ω,V Généralement générés = ± 15 V,  T   j = 125 o   C    |   | 182 |   | n.S.  | 
| t   r  | Il est temps de monter.  |   | 43 |   | n.S.  | 
| t   d(off)  | Débranchement  Temps de retard  |   | 443 |   | n.S.  | 
| t   f    | Temps d'automne  |   | 155 |   | n.S.  | 
| E sur  | On le met en marche  Le changement  Perte de  |   | 8.24 |   | je suis désolé.  | 
| E éteint  | Commutateur d'arrêt  Perte de  |   | 4.43 |   | je suis désolé.  | 
| t   d (sur ) | Temps de retard d'activation  |     V. Le groupe CC =600V,I C   =50A,    R G   =15Ω,V Généralement générés = ± 15 V,  T   j = 150 o   C    |   | 182 |   | n.S.  | 
| t   r  | Il est temps de monter.  |   | 43 |   | n.S.  | 
| t   d(off)  | Débranchement  Temps de retard  |   | 464 |   | n.S.  | 
| t   f    | Temps d'automne  |   | 175 |   | n.S.  | 
| E sur  | On le met en marche  Le changement  Perte de  |   | 8.99 |   | je suis désolé.  | 
| E éteint  | Commutateur d'arrêt  Perte de  |   | 4.94 |   | je suis désolé.  | 
|   Je SC  |   Données SC  | t   P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,  T   j = 150 o   C,V CC =900V,  V. Le groupe MEC ≤1200V  |   |   200 |   |   A  | 
Diode -frein    Caractéristiques  T   C   = 25 o   C    à moins  autrement  noté 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unité  | 
|   V. Le groupe F    | Diode vers l'avant  Tension  | Je F   =25A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o   C    |   | 1.85 | 2.30 |   V. Le groupe  | 
| Je F   =25A,V Généralement générés =0V,T j = 125 o   C    |   | 1.90 |   | 
| Je F   =25A,V Généralement générés =0V,T j = 150 o   C    |   | 1.95 |   | 
| Q: Le numéro r  | Charge récupérée  |   V. Le groupe R =600V,I F   =25A,  -di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V  T   j = 25 o   C    |   | 2.9 |   | le taux de décharge  | 
| Je RM  | Période de pointe à l'envers  Courant de récupération  |   | 55 |   | A  | 
| E réc  | Récupération  Énergie  |   | 0.93 |   | je suis désolé.  | 
| Q: Le numéro r  | Charge récupérée  |   V. Le groupe R =600V,I F   =25A,  -di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V  T   j = 125 o   C    |   | 5.1 |   | le taux de décharge  | 
| Je RM  | Période de pointe à l'envers  Courant de récupération  |   | 58 |   | A  | 
| E réc  | Récupération  Énergie  |   | 1.72 |   | je suis désolé.  | 
| Q: Le numéro r  | Charge récupérée  |   V. Le groupe R =600V,I F   =25A,  -di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V  T   j = 150 o   C    |   | 5.6 |   | le taux de décharge  | 
| Je RM  | Période de pointe à l'envers  Courant de récupération  |   | 60 |   | A  | 
| E réc  | Récupération  Énergie  |   | 2.01 |   | je suis désolé.  | 
 
 
 
NTC  Caractéristiques  T   C   = 25 o   C    à moins  autrement  noté 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Conditions d'essai  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unité  | 
| R 25 | Résistance nominale  |   |   | 5.0 |   | kΩ  | 
| ∆R/R  | Déviation  de  R 100 | T   C   = 100  o   C   ,R 100= 493,3Ω  | -5 |   | 5 | % | 
| P 25 | Puissance    Dissipation  |   |   |   | 20.0 | mW  | 
| B 25 à 50%  | Valeur B  | R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.  |   | 3375 |   | K    | 
| B 25/80  | Valeur B  | R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.  |   | 3411 |   | K    | 
| B 25/100  | Valeur B  | R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.  |   | 3433 |   | K    | 
Module  Caractéristiques  T   C   = 25 o   C    à moins  autrement  noté 
 
| Le symbole  | Paramètre  | Je ne sais pas.  | - Je sais.  | Je suis désolé.  | Unité  | 
| L CE    | Inductivité de déplacement  |   | 40 |   | nH  | 
| R CC+EE   R AA + CC  ’ | Module de résistance au plomb nce,Terminal à Puce  |   | 4.00 3.00 |   | mΩ  | 
|     R le CJJ  | Réservoir -à -Étude de cas  (parIGBT -invertisseur ) Jonction-à-Case (par Diode-invert eur)  Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur)  Réservoir -à -Étude de cas  (parIGBT -frein   -hachoir ) Junction-to-Case (par Diode-frein-chop par)  |   |   | 0.293 0.505 0.503 0.487 1.233 |     Pour les produits de base  | 
|     R thCH  | Étude de cas -à -Disjoncteur  (parIGBT -invertisseur ) Couvercle-dissipateur de chaleur (par Diode-in verter)  Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur)  Étude de cas -à -Disjoncteur  (parIGBT -frein   -hachoir )Couvercle-dissipateur de chaleur (par Diode-frein- chopper) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)  |   | 0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009 |   |     Pour les produits de base  | 
| M  | Le couple de montage  Pour les appareils de type à moteur  | 3.0 |   | 6.0 | N.m.  | 
| G    | Poids  de  Module  |   | 300 |   | g    |