Présentation succincte
Module IGBT ,produit par Le système de régulation .1200V 100A. Je suis désolé.
Caractéristiques
- Technologie IGBT à faible VCE (sat)
- capacité de court-circuit de 10 μs
- VCE (sat) avec coefficient de température positif
-
Température maximale de la jonction 175 ℃
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
- Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Applications Typiques
- Invertisseurs pour moteur
- Amplificateur à servo-entraînement CA et CC
- Énergie ininterrompue
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté
Unité de mesure de la pression
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
IC |
Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C |
155
100
|
A |
ICm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
200 |
A |
PD |
Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C |
511 |
L |
Déplacement de diode
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1200 |
V |
IF |
Diode courant continu avant Cu rente |
100 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
200 |
A |
Diode-redresseur
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1600 |
V |
IO |
Courant de sortie moyen 5 0Hz/60Hz, onde sinusoïdale |
100 |
A |
ILe FSM |
Courant de pointe p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
1150
880
|
A |
I2t |
I2t-valeur,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C |
6600
3850
|
A2s |
Frein IGBT
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
IC |
Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C |
87
50
|
A |
ICm |
Courant collecteur pulsé t p =1ms |
100 |
A |
PD |
Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C |
308 |
L |
Diode -frein
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
V RRM |
Tension inverse de crête répétitive âge |
1200 |
V |
IF |
Diode courant continu avant Cu rente |
25 |
A |
IFM |
Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms |
50 |
A |
Module
Le symbole |
DESCRIPTION |
Valeur |
Unité |
T jmax |
Température maximale de la jonction (inversor, frein) Température maximale de la jonction (redresseur) |
175
150
|
o C |
T le jouet |
Température de fonctionnement des jonctions |
-40 à +150 |
o C |
T GST |
Plage de température de stockage |
-40 à +125 |
o C |
V ISO |
Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute |
2500 |
V |
L'IGBT -invertisseur Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur Voltage de saturation
|
IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
IC=100A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
IC=4.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ILe CES |
Le collecteur Découpé -Éteint Actuel |
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
le nombre de |
IGES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Le gint |
Résistance à la porte interne ance |
|
|
7.5 |
|
oh |
C- Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V |
|
10.4 |
|
nF |
Crés |
Transfert inverse Capacité |
|
0.29 |
|
nF |
QG |
Charge de la porte |
V Généralement générés =-15 ... + 15V |
|
0.78 |
|
le taux de décharge |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=100A, R G= 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C
|
|
218 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
35 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
287 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
212 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
9.23 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
6.85 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=100A, R G= 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C
|
|
242 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
41 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
352 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
323 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
13.6 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
9.95 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=100A, R G= 1,6Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C
|
|
248 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
43 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
365 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
333 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
14.9 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
10.5 |
|
je suis désolé. |
|
ISC
|
Données SC
|
t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,
T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V
|
|
400
|
|
A
|
Diode -invertisseur Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V F
|
Diode vers l'avant Tension |
IF =100A,V Généralement générés =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
IF =100A,V Généralement générés =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
IF =100A,V Généralement générés =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=2500A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C
|
|
5.89 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
103 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
3.85 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=2100A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C
|
|
13.7 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
109 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
6.64 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F =100A,
-di/dt=1950A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C
|
|
15.6 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
109 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
7.39 |
|
je suis désolé. |
Diode -redresseur Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
V F |
Diode vers l'avant Tension |
IF =100A, T j =150o C |
|
0.95 |
|
V |
IR |
Courant inverse |
T j =150o C,V R =1600V |
|
|
2.0 |
le nombre de |
L'IGBT -frein Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur Voltage de saturation
|
IC=50A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
IC=50A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C |
|
1.95 |
|
IC=50A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C |
|
2.00 |
|
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte Tension |
IC=2.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ILe CES |
Le collecteur Découpé -Éteint Actuel |
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
le nombre de |
IGES |
Fuite de l'émetteur de la porte Actuel |
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Le gint |
Résistance interne de la porte |
|
|
0 |
|
oh |
C- Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V |
|
5.18 |
|
nF |
Crés |
Transfert inverse Capacité |
|
0.15 |
|
nF |
QG |
Charge de la porte |
V Généralement générés =-15 ... + 15V |
|
0.39 |
|
le taux de décharge |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=50A, R G=15Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C
|
|
171 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
32 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
340 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
82 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
6.10 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
2.88 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=50A, R G=15Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C
|
|
182 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
43 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
443 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
155 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
8.24 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
4.43 |
|
je suis désolé. |
t d (activé ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C=50A, R G=15Ω,V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C
|
|
182 |
|
n.S. |
t r |
Il est temps de monter. |
|
43 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
464 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
175 |
|
n.S. |
Eactivé |
On le met en marche Le changement Perte de |
|
8.99 |
|
je suis désolé. |
Eéteint |
Commutateur d'arrêt Perte de |
|
4.94 |
|
je suis désolé. |
|
ISC
|
Données SC
|
t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,
T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V
|
|
200
|
|
A
|
Diode -frein Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
|
V F
|
Diode vers l'avant Tension |
IF =25A,V Généralement générés =0V,T j =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
IF =25A,V Généralement générés =0V,T j =125o C |
|
1.90 |
|
IF =25A,V Généralement générés =0V,T j =150o C |
|
1.95 |
|
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F =25A,
-di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C
|
|
2.9 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
55 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
0.93 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F =25A,
-di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V T j =125o C
|
|
5.1 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
58 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
1.72 |
|
je suis désolé. |
Qr |
Charge récupérée |
V R =600V,I F =25A,
-di/dt=900A/μs,V Généralement générés =-15V T j =150o C
|
|
5.6 |
|
le taux de décharge |
IRM |
Période de pointe à l'envers
Courant de récupération
|
|
60 |
|
A |
Eréc |
Récupération Énergie |
|
2.01 |
|
je suis désolé. |
NTC Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
R 25 |
Résistance nominale |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Déviation de R 100 |
T C=100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Puissance
Dissipation
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé. |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé. |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valeur B |
R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé. |
|
3433 |
|
K |
Module Caractéristiques T C=25o C à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unité |
LCE |
Inductivité de déplacement |
|
40 |
|
nH |
R CC+EE R AA ’+CC ’ |
Module de résistance au plomb nce,Terminal à Puce |
|
4.00 3.00 |
|
mΩ |
|
R le CJJ
|
Réservoir -à -Boîtier (parIGBT -invertisseur )
Jonction-à-Case (par Diode-invert eur)
Junction-to-Case (par Diode-rectif ieur)
Réservoir -à -Boîtier (parIGBT -frein -hachoir ) Junction-to-Case (par Diode-frein-chop par)
|
|
|
0.293 0.505 0.503 0.487 1.233 |
Pour les produits de base
|
|
R thCH
|
Boîtier -à -Disjoncteur (parIGBT -invertisseur )
Couvercle-dissipateur de chaleur (par Diode-in verter)
Case-to-Heatsink (par Diode-re ctifieur)
Boîtier -à -Disjoncteur (parIGBT -frein -hachoir )Couvercle-dissipateur de chaleur (par Diode-frein- chopper) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)
|
|
0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009 |
|
Pour les produits de base
|
M |
Le couple de montage Pour les appareils de type à moteur |
3.0 |
|
6.0 |
N.m. |
G |
Poids de Module |
|
300 |
|
g |
EN
