GD450HFX120N6HY , Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

ICN

Collecteur Cu implémenté rente

450

A

IC

Courant collecteur @ T F =100o C

300

A

ICRM

Répétitif Picote Le collecteur Actuel tp limité par T vjop

900

A

PD

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =65o C T vj =175o C

1208

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pic répétitif généralement générés

1200

V

IFN

Collecteur Cu implémenté rente

450

A

IF

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

IMFN

Répétitif Picote Avant Actuel tp limité par T vjop

900

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement de la jonction continue

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

d Creepage

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

7.3 7.3

mm

d Clair

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

7.3 4.0

mm

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.25

1.70

V

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

1.35

IC= 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.40

IC=450A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.40

IC=450A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

1.65

IC=450A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

1.70

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=15.6le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.8

6.4

7.0

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.67

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

81.2

nF

Coes

Capacité de sortie

1.56

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.53

nF

QG

Charge de la porte

V CE =600V,I C =450A, V Généralement générés =-8... +15V

5.31

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=450A, R G= 1,5Ω, LS =20nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =25o C

361

n.S.

t r

Il est temps de monter.

63

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

729

n.S.

t f

Temps d'automne

150

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

57.8

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

34.7

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=450A, R G= 1,5Ω, LS =20nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =150o C

406

n.S.

t r

Il est temps de monter.

81

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

825

n.S.

t f

Temps d'automne

235

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

80.6

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

45.9

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=450A, R G= 1,5Ω, LS =20nH ,V Généralement générés =-8V/+15V,

T vj =175o C

420

n.S.

t r

Il est temps de monter.

84

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

844

n.S.

t f

Temps d'automne

241

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

88.9

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

47.5

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤6μs, V G

E= 15 V,

1800

A

T vj =175o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.60

V

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.50

IF = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.45

IF =450A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.80

IF =450A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.75

IF =450A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.70

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=7460A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =20nH ,T vj =25o C

19.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

294

A

Eréc

Récupération Énergie

8.32

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=5610A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =20nH ,T vj =150o C

49.9

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

308

A

Eréc

Récupération Énergie

14.1

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =450A,

-di/dt=5250A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =20nH ,T vj =175o C

56.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

311

A

Eréc

Récupération Énergie

15.6

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R

Nominale Résistance

T C=0 o C

T C=150 o C

1000

1573

oh oh

T Cr

Coefficient de température nt

0.38

%/K

T SH

Auto Chauffage

T C=0 o C

Im =0,1...0,3 mA

0.4

K/mW

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

5

nH

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.5

barre

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △V/ △t=2,67 L/ mIN ,T F =65o C

0.083 0.105

0.095 0.121

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M5

3.6 5.4

4.4 6.6

N.m.

G

Poids de Module

220

g