GD600HFX120C2SA , Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

Voltage transitoire de l'émetteur de la porte

±20 ±30

V

IC

Courant collecteur @ T C=25o C @ T C=100o C

925

600

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1200

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

3000

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode courant continu avant Cu rente

600

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolation RMS, f=50Hz, t= une minute.

4000

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.65

2.00

V

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.95

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.25

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

60.8

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

1.84

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

4.64

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V Généralement générés =±15V,T j =25o C

339

n.S.

t r

Il est temps de monter.

95

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

468

n.S.

t f

Temps d'automne

168

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

63.7

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

56.4

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V Généralement générés =±15V,T j =125o C

418

n.S.

t r

Il est temps de monter.

135

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

567

n.S.

t f

Temps d'automne

269

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

108

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

72.3

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A, R G=1.2Ω, LS =34nH , V Généralement générés =±15V,T j =150o C

446

n.S.

t r

Il est temps de monter.

151

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

602

n.S.

t f

Temps d'automne

281

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

123

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

78.2

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

2400

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.90

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=5210A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =34nH ,T j =25o C

49.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

300

A

Eréc

Récupération Énergie

24.1

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3490A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =34nH ,T j =125o C

85.2

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

314

A

Eréc

Récupération Énergie

33.8

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V CC =600V,I F =600A,

-di/dt=3080A/μs,V Généralement générés =-15V, LS =34nH ,T j =150o C

102

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

318

A

Eréc

Récupération Énergie

36.8

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

R CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.35

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Boîtier (parIGBT ) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.050 0.080

Pour les produits de base

R thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne. Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge doit être de 0,8 MPa. (voir le tableau ci-dessous)

0.033 0.052 0.010

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Poids de Module

300

g