Introduction succincte
Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 3600A.
Caractéristiques
- Technologie IGBT à faible VCE (sat)
- capacité de court-circuit de 10 μs
- VCE (sat) avec coefficient de température positif
- Cas à faible inductance
- Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
-
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
Applications Typiques
- Variateurs de courant alternatif
- Énergie ininterrompue
- Éoliennes
- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Description |
Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes. |
Unités |
V Le CES |
Voltage du collecteur-émetteur |
1200 |
V |
V GES |
Voltage de l'émetteur de la porte |
±20 |
V |
E C |
@ T C =25℃
@ T C =80℃
|
4800 |
A |
3600 |
E Cm (1) |
Courant collecteur pulsé t p = 1 ms |
7200 |
A |
E F |
Diode à courant continu vers l'avant |
3600 |
A |
E FM |
Diode à courbe avant maximale le loyer |
7200 |
A |
P D |
Puissance maximale Dissipation @ T j =175℃ |
16.7 |
kW |
T jmax |
Température maximale de jonction |
175 |
℃ |
T GST |
Plage de température de stockage |
-40 à +125 |
℃ |
V ISO |
Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V |
Montage |
Terminal de signal Vis:M4 |
1.8 à 2.1 |
|
Vis de terminal d'alimentation:M8 |
8.0 à 10 |
N.m. |
Couple |
Montage Pour les appareils de type à moteur |
4.25 à 5.75 |
|
Électrique Caractéristiques de L'IGBT T C =25℃ à moins autrement noté
Caractéristiques hors
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V (BR )Le CES |
Collecteur-Émetteur
Tension de rupture
|
T j =25℃ |
1200 |
|
|
V |
E Le CES |
Le collecteur Découpé -Éteint Actuel |
V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25℃ |
|
|
5.0 |
le nombre de |
E GES |
Fuite de l'émetteur de la porte
Actuel
|
V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25℃ |
|
|
400 |
nA |
Caractéristiques à l'état passant
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V Généralement générés (th) |
Seuil d'émetteur de porte
Tension
|
E C =145le nombre de ,V CE =V Généralement générés ,T j =25℃ |
5.0 |
5.8 |
6.5 |
V |
|
V CE (sat)
|
Collecteur à émetteur
Voltage de saturation
|
E C = 3600A,V Généralement générés = 15 V, T j =25℃ |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
E C = 3600A,V Généralement générés = 15 V, T j =125℃ |
|
2.00 |
2.45 |
Caractéristiques de commutation
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
Q: Le numéro G |
Charge de la porte |
V Généralement générés =- 15...+15V |
|
35.0 |
|
le taux de décharge |
Barre Le gint |
Résistance de porte interne |
T j =25℃ |
|
0.5 |
|
oh |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C = 3600A, Barre Gon = 0,8Ω,
Barre Goff =0,2Ω,
V Généralement générés =±15V,T j =25℃
|
|
600 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
235 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
825 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
145 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Perte de changement |
|
/ |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Perte de commutation à l'arrêt |
|
/ |
|
je suis désolé. |
t d (sur ) |
Temps de retard d'activation |
V CC =600V,I C = 3600A, Barre Gon = 0,8Ω,
Barre Goff =0,2Ω,
V Généralement générés =±15V,T j =125℃
|
|
665 |
|
n.S. |
t barre |
Il est temps de monter. |
|
215 |
|
n.S. |
t d(off) |
Débranchement Temps de retard |
|
970 |
|
n.S. |
t f |
Temps d'automne |
|
180 |
|
n.S. |
E sur |
On le met en marche Perte de changement |
|
736 |
|
je suis désolé. |
E éteint |
Perte de commutation à l'arrêt |
|
569 |
|
je suis désolé. |
C - Je vous en prie. |
Capacité d'entrée |
V CE = 25V, f=1 MHz, V Généralement générés =0V
|
|
258 |
|
nF |
C oes |
Capacité de sortie |
|
13.5 |
|
nF |
C rés |
Transfert inverse
Capacité
|
|
11.7 |
|
nF |
|
E SC
|
Données SC
|
t S C ≤10μs,V Généralement générés = 15 V, T j =125℃,V CC =900V, V MEC ≤les autres |
|
14000
|
|
A
|
L CE |
Inductivité de déplacement |
|
|
10 |
|
nH |
Barre CC ’+EE ’ |
Module de résistance au plomb, Terminal au chip |
|
|
0.12 |
|
m oh |
Électrique Caractéristiques de Diode T C =25℃ à moins autrement noté
Le symbole |
Paramètre |
Conditions d'essai |
Je ne sais pas. |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
V F |
Diode vers l'avant
Tension
|
E F = 3600A |
T j =25℃ |
|
1.65 |
2.15 |
V |
T j =125℃ |
|
1.65 |
2.15 |
Q: Le numéro barre |
Charge récupérée |
E F = 3600A,
V Barre =600V,
Barre Gon = 0,8Ω,
V Généralement générés =- 15V
|
T j =25℃ |
|
360 |
|
le taux de décharge |
T j =125℃ |
|
670 |
|
E RM |
Récupération Actuel |
T j =25℃ |
|
2500 |
|
A |
T j =125℃ |
|
3200 |
|
E réc |
Récupération Énergie |
T j =25℃ |
|
97 |
|
je suis désolé. |
T j =125℃ |
|
180 |
|
Caractéristiques thermiques les tics
Le symbole |
Paramètre |
- Je sais. |
Je suis désolé. |
Unités |
Barre θ JC |
Les points de jonction (par IGB) T) |
|
9.0 |
K/kW |
Barre θ JC |
Les points de contact sont les points de contact les plus importants. de) |
|
15.6 |
K/kW |
Barre θ CS |
Casse à évier
(grasse conductrice appliquée, par M (voir le tableau ci-dessous)
|
4 |
|
K/kW |
Poids |
Poids de Module |
2250 |
|
g |
EN
