Module IGBT 1200V

GD3600SGT120C4S,Module IGBT,STARPOWER

1200V 3600A

Brand:

Le système de régulation

Spu:

Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.

Introduction
Le schéma

Introduction

Introduction brève

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 3600A.

Caractéristiques

Technologie IGBT à faible VCE (sat)
capacité de court-circuit de 10 μs
VCE (sat) avec coefficient de température positif
Cas à faible inductance
Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC

Applications Typiques

Variateurs de courant alternatif
Énergie ininterrompue
Éoliennes

- Je ne sais pas. Le montant maximal Notes de notation T C = 25 ℃ à moins autrement noté

Le symbole	Description	Les données de référence sont fournies par les autorités compétentes.	Unités
V. Le groupe Le CES	Voltage du collecteur-émetteur	1200	V. Le groupe
V. Le groupe GES	Voltage de l'émetteur de la porte	± 20	V. Le groupe
Je C	@ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	4800	Une
Je C	@ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	3600	Une
Je Cm (1)	Courant collecteur pulsé t p = 1 ms	7200	Une
Je F	Diode à courant continu vers l'avant	3600	Une
Je FM	Diode à courbe avant maximale le loyer	7200	Une
P D	Puissance maximale Dissipation @ T j =17 5℃	16.7	kW
T jmax	Température maximale de jonction	175	℃
T GST	Plage de température de stockage	-40 à +125	℃
V. Le groupe ISO	Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V. Le groupe
Montage	Terminal de signal Vis:M4	1.8 à 2.1
Montage	Vis de terminal d'alimentation:M8	8.0 à 10	N.m.
Couple	Montage Pour les appareils de type à moteur	4.25 à 5.75

Électrique Caractéristiques de L'IGBT T C = 25 ℃ à moins autrement noté

Caractéristiques hors

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe (BR )Le CES	Collecteur-Émetteur Tension de rupture	T j = 25 ℃	1200			V. Le groupe
Je Le CES	Le collecteur Coupe -Éteint Actuel	V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 ℃			5.0	le nombre de
Je GES	Fuite de l'émetteur de la porte Actuel	V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 ℃			400	nA

Caractéristiques à l'état passant

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe Généralement générés (le )	Seuil d'émetteur de porte Tension	Je C = 145 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés ,T j = 25 ℃	5.0	5.8	6.5	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 3600A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 ℃		1.70	2.15	V. Le groupe
V. Le groupe CE (sat)	Collecteur à émetteur Voltage de saturation	Je C = 3600A,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 ℃		2.00	2.45	V. Le groupe

Caractéristiques de commutation

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai	Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
Q: Le numéro G	Charge de la porte	V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15...+15V		35.0		le taux de décharge
R Le gint	Résistance de porte interne	T j = 25 ℃		0.5		oh
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = 3600A, R Gon = 0,8Ω, R Goff =0,2Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15V,T j = 25 ℃		600		n.S.
t r	Il est temps de monter.			235		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			825		n.S.
t f	Temps d'automne			145		n.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Perte de changement			/		je suis désolé.
E. Je suis désolé. éteint	Perte de commutation à l'arrêt			/		je suis désolé.
t d (sur )	Temps de retard d'activation	V. Le groupe CC =600V,I C = 3600A, R Gon = 0,8Ω, R Goff =0,2Ω, V. Le groupe Généralement générés = ± 15V,T j = 125 ℃		665		n.S.
t r	Il est temps de monter.			215		n.S.
t d(off)	Débranchement Temps de retard			970		n.S.
t f	Temps d'automne			180		n.S.
E. Je suis désolé. sur	On le met en marche Perte de changement			736		je suis désolé.
E. Je suis désolé. éteint	Perte de commutation à l'arrêt			569		je suis désolé.
C - Je vous en prie.	Capacité d'entrée	V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V		258		nF
C oes	Capacité de sortie			13.5		nF
C rés	Transfert inverse Capacité			11.7		nF
Je SC	Données SC	t S C ≤ 10μs,V Généralement générés = 15 V, T j = 125 ℃ ,V CC =900V, V. Le groupe MEC ≤ les autres		14000		Une
L CE	Inductivité de déplacement			10		nH
R CC + EE ’	Module de résistance au plomb, Terminal au chip			0.12		m oh

Électrique Caractéristiques de Diode T C = 25 ℃ à moins autrement noté

Le symbole	Paramètre	Conditions d'essai		Je ne sais pas.	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F = 3600A	T j = 25 ℃		1.65	2.15	V. Le groupe
V. Le groupe F	Diode vers l'avant Tension	Je F = 3600A	T j = 125 ℃		1.65	2.15	V. Le groupe
Q: Le numéro r	Charge récupérée	Je F = 3600A, V. Le groupe R =600V, R Gon = 0,8Ω, V. Le groupe Généralement générés je suis désolé. 15V	T j = 25 ℃		360		le taux de décharge
Q: Le numéro r	Charge récupérée		T j = 125 ℃		670		le taux de décharge
Je RM	Récupération Actuel		T j = 25 ℃		2500		Une
Je RM	Récupération Actuel		T j = 125 ℃		3200		Une
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie		T j = 25 ℃		97		je suis désolé.
E. Je suis désolé. réc	Récupération Énergie		T j = 125 ℃		180		je suis désolé.

Caractéristiques thermiques les tics

Le symbole	Paramètre	- Je sais.	Je suis désolé.	Unités
R θ JC	Les points de jonction (par IGB) T)		9.0	K/kW
R θ JC	Les points de contact sont les points de contact les plus importants. de)		15.6	K/kW
R θ CS	Casse à évier (grasse conductrice appliquée, par M (voir le tableau ci-dessous)	4		K/kW
Poids	Poids de Module	2250		g