les appareils de type "électronique" doivent être équipés de systèmes de chauffage de type "électronique" ou "électronique" de type "électronique" de type "électronique" de type "électronique" de type "électronique" de type "électronique".
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Introduction brève
Modules de thyristor à coupure rapide ,MK(H)x 400 MK 400,4 00A .Air refroidissement,produit par TECHSEM .
VDRM, VRRM |
Type & Contour |
|
800V |
Le numéro de série de la licence est le numéro de série de la licence. |
Le numéro de série de la licence MHX400-08-416F3 |
1000V |
Le code de conduite est le code de conduite de l'appareil. |
Le numéro de série MHX400-10-416F3 |
les autres |
Le code de conduite est le code de conduite de l'appareil. |
Le numéro de série MHx400-12-416F3 |
1400V |
Le code de conduite est le code de conduite de l'appareil. |
Le numéro de série MHX400-14-416F3 |
1600V |
Le code de conduite est le code de conduite de l'appareil. |
Le numéro de série MHX400-16-416F3 |
1800V |
Le code de conduite est le code de conduite de l'appareil. |
Le numéro de série MHX400-18-416F3 |
Caractéristiques :
Applications Typiques
Le symbole |
Caractéristique |
Conditions d'essai |
Tj( ℃ ) |
Valeur |
Unité |
||
Min |
Type |
Max |
|||||
Les États membres |
Courant moyen en état passant |
180。demi-onde sinusoïdale 50 Hz, refroidie d'un seul côté, Tc=85 ℃ |
125 |
|
|
400 |
Une |
RMS (en anglais seulement) |
Courant de l'état actif RMS |
|
|
628 |
Une |
||
Idrm Irrm |
Courant de crête répétitif |
à VDRM à VRRM |
125 |
|
|
100 |
le nombre de |
Je TSM |
Courant de surtension en état passant |
onde sinusoïdale demi-cycle 10ms VR=60%VRRM |
125 |
|
|
8 |
kA |
Je 2t |
I2t pour coordination de fusion |
|
|
320 |
Une 2s* 10 3 |
||
V. Le groupe À |
Voltage de seuil |
|
125 |
|
|
0.83 |
V. Le groupe |
rT |
Résistance de pente en état passant |
|
|
0.72 |
mΩ |
||
V. Le groupe TM |
Tension de pointe en état passant |
Le débit de la commande est de |
25 |
|
|
2.40 |
V. Le groupe |
dv/dt |
Taux critique d'augmentation de la tension de seuil |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
800 |
V/μs |
di/dt |
Taux critique d'augmentation du courant en état actif |
Source de porte 1.5A tr ≤0.5μs Répétitif |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
Je suis désolé. |
Frais de recouvrement |
Les capacités de décharge sont calculées en fonction des niveaux de tension de l'appareil. |
125 |
|
650 |
|
µC |
tq |
Temps d'extinction commuté par circuit |
Les données de l'échantillon doivent être fournies à l'échantillon. |
125 |
15 |
|
35 |
μs |
TIG |
Courant de déclenchement de porte |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
le nombre de |
Vgt |
Tension de déclenchement de porte |
0.8 |
|
3.0 |
V. Le groupe |
||
Je suis |
Courant de maintien |
10 |
|
200 |
le nombre de |
||
VGD |
Tension de porte non déclenchée |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.2 |
V. Le groupe |
Rth(j-c) |
Résistance thermique jonction à boîtier |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.065 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Résistance thermique du boîtier au dissipateur |
Refroidi par un seul côté par puce |
|
|
|
0.023 |
℃ /W |
VISO |
Tension d'isolement |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
2500 |
|
|
V. Le groupe |
FM |
Couple de connexion des bornes (M10) |
|
|
|
12.0 |
|
N m |
Couple de montage (M6) |
|
|
|
6.0 |
|
N m |
|
Tvj |
Température de jonction |
|
|
-40 |
|
115 |
℃ |
TSTG |
Température de stockage |
|
|
-40 |
|
115 |
℃ |
Wt |
Poids |
|
|
|
1500 |
|
g |
Le schéma |
416F3 |
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