GD900HFA120C6S, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

IC

Courant collecteur @ T C=90o C

900

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1800

A

PD

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

3409

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

IF

Diode à dérive continue le loyer

900

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1800

A

ILe FSM

Courant de pointe p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

4100

3000

A

I2t

I2t-valeur,t p =10ms @ T j =25o C

@ T j =150o C

84000

45000

A2s

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

IC=900A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC=900A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.60

IC=900A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

1.65

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=24.0le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.5

6.3

7.0

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.5

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

51.5

nF

Crés

Transfert inverse

Capacité

0.36

nF

QG

Charge de la porte

V Généralement générés =- 15...+15V

13.6

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=900A, Barre G=0.51Ω, L S =40nH, V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =25o C

330

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

140

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

842

n.S.

t f

Temps d'automne

84

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

144

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

87.8

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=900A, Barre G=0.51Ω, L S =40nH, V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =125o C

373

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

155

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

915

n.S.

t f

Temps d'automne

135

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

186

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

104

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=900A, Barre G=0.51Ω, L S =40nH, V Généralement générés =-8V/+15V,

T j =175o C

390

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

172

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

950

n.S.

t f

Temps d'automne

162

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement

Perte de

209

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

114

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤8μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =800V, V MEC ≤les autres

3200

A

t P≤6μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =175o C,V CC =800V, V MEC ≤les autres

3000

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V F

Diode vers l'avant

Tension

IF =900A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF =900A,V Généralement générés =0V,T j =125o C

1.65

IF =900A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.55

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =40nH ,T j =25o C

91.0

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

441

A

Eréc

Récupération Énergie

26.3

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =40nH ,T j =125o C

141

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

493

A

Eréc

Récupération Énergie

42.5

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V Généralement générés =-8V, LS =40nH ,T j =175o C

174

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

536

A

Eréc

Récupération Énergie

52.4

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

20

nH

Barre CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.80

mΩ

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les données de référence sont fournies par le système de mesure de la capacité. (voir aussi

0.044

0.076

Pour les produits de base

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le système de chauffage doit être conforme aux normes de sécurité énoncées à l'annexe II. diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.028

0.049

0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g