GD260HTA120P7H_T,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

ICN

Collecteur Cu implémenté rente

260

A

IC

Courant collecteur @ T F =125o C

150

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

520

A

PD

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75o C T vj =175o C

526

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pic répétitif généralement générés

1200

V

IFN

Collecteur Cu implémenté rente

260

A

IF

Diode courant continu avant Cu rente

150

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

520

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150 +150 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.15

1.50

V

IC=150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =125o C

1.20

IC=150A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

1.20

IC=260A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.35

IC=260A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

1.55

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=10.4le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

6.4

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

2.50

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

54.1

nF

Coes

Capacité de sortie

1.04

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.35

nF

QG

Charge de la porte

V CE =600V,I C =260A, V Généralement générés =-8... +15V

3.54

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=150A,

R G= 3,3Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V,

LS =35nH ,T vj =25o C

345

n.S.

t r

Il est temps de monter.

61

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

933

n.S.

t f

Temps d'automne

105

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

19.6

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

11.0

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=150A, R G= 3,3Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V,

LS =35nH ,T vj =125o C

376

n.S.

t r

Il est temps de monter.

69

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1052

n.S.

t f

Temps d'automne

164

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

25.3

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

14.3

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=150A, R G= 3,3Ω,

V Généralement générés =-8V/+15V,

LS =35nH ,T vj =150o C

382

n.S.

t r

Il est temps de monter.

73

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1085

n.S.

t f

Temps d'automne

185

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

27.6

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

15.7

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =150o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

800

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =150A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.45

1.80

V

IF =150A,V Généralement générés =0V,T vj =125o C

1.40

IF =150A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.35

IF =260A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.65

IF =260A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.65

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2690A/μs,V Généralement générés = 8V LS =35nH ,T vj =25o C

14.2

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

123

A

Eréc

Récupération Énergie

3.79

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2210A/μs,V Généralement générés = 8V LS =35nH ,T vj =125o C

24.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

137

A

Eréc

Récupération Énergie

6.30

je suis désolé.

Qr

Charge récupérée

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2130A/μs,V Généralement générés = 8V LS =35nH ,T vj =150o C

27.3

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

142

A

Eréc

Récupération Énergie

7.08

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

△p

Chute de pression de refroidissement Cir cuit

δ V⁄Δt=10.0dm3/min;TF=2 5 o C;Refroidissement Fluide=50% Eau/50% Éthylène Glycol

50

mbar

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement cuit

2.0

barre

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.165 0.265

0.190 0.305

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

685

g