Y70ZKD,diode de récupération rapide

Le symbole

Caractéristique

Conditions d'essai

Tj( ℃ )

Valeur

Unité

Min

Type

Max

IF(AV)

Courant direct moyen

180。onde sinusoïdale demi 50Hz refroidi des deux côtés,

TC=85 ℃

150

1876

Une

RRVM

Voltage inverse de pointe répétitif

tp = 10 ms

150

2100

3000

V. Le groupe

RSI

Courant de crête répétitif

à VRRM

150

195

le nombre de

MFI

Courant de surtension avant

10ms onde sinusoïdale demi VR=0.6VRRM

150

25

kA

I2t

I2t pour coordination de fusion

3125

Une ²s*10 ³

VFO

Voltage de seuil

150

1.55

V. Le groupe

rF

Résistance de pente directe

0.29

mΩ

VFM

Tension directe de crête

ITM=3000A, F=35kN

25

3.20

V. Le groupe

MRI

Courant de récupération inverse

ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-60A/μs, VR= 100V

150

260

Une

le

Temps de récupération inverse

10

μs

Je suis désolé.

Frais de recouvrement

1300

1500

le taux de décharge

Rth(j-c)

Résistance thermique jonction à boîtier

À 180 ° sinus, force de serrage refroidie des deux côtés 35kN

0.012

℃ /W

Rth(c-h)

Résistance thermique du boîtier au dissipateur de chaleur

0.003

FM

Force de montage

30

40

kN

Tvj

Température de jonction

-40

150

℃

TSTG

Température de stockage

-40

160

℃

Wt

Poids

880

g

Le schéma

ZT60cT