GD300MPX120C6SA,Module IGBT,STARPOWER

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

468

300

A

Je CRM

Répétitif Picote Le collecteur Actuel tp limité par T vjop

600

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj = 175 o C

1530

Le

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

Je MFN

Répétitif Picote Avant Actuel tp limité par T vjop

600

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

300

A

Je MFN

Répétitif Picote Avant Actuel tp limité par T vjop

600

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T vjmax

Température maximale de jonction

175

o C

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS, f=50Hz, t = 1 minute

2500

V. Le groupe

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C

1.70

2.15

V. Le groupe

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 125 o C

1.95

Je C = 300 A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 150 o C

2.00

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =12,0 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T vj = 25 o C

5.6

6.2

6.8

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T vj = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T vj = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance à la porte interne ance

2.5

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE = 25V, f=1 MHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

31.1

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.87

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15 ... + 15V

2.33

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G =2,4Ω, Ls=35nH, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T vj = 25 o C

215

n.S.

t r

Il est temps de monter.

53

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

334

n.S.

t f

Temps d'automne

205

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

21.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

20.7

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G =2,4Ω, Ls=35nH, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T vj = 125 o C

231

n.S.

t r

Il est temps de monter.

59

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

361

n.S.

t f

Temps d'automne

296

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

30.1

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

28.1

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C = 300A, R G =2,4Ω, Ls=35nH, V. Le groupe Généralement générés =±15V,T vj = 150 o C

240

n.S.

t r

Il est temps de monter.

62

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

376

n.S.

t f

Temps d'automne

311

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

32.9

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

29.9

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T vj = 150 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

1200

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C

1.90

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V. Le groupe Généralement générés =-15V,T vj = 25 o C

36.3

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

235

A

E réc

Récupération Énergie

15.7

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V. Le groupe Généralement générés =-15V,T vj = 125 o C

61.3

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

257

A

E réc

Récupération Énergie

27.5

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V. Le groupe Généralement générés =-15V,T vj = 150 o C

68.8

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

262

A

E réc

Récupération Énergie

30.8

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unités

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V. Le groupe

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj = 125 o C

1.90

Je F = 300 A,V Généralement générés =0V,T vj = 150 o C

1.95

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=5683A/μs, Ls=35nH, V. Le groupe Généralement générés =-15V,T vj = 25 o C

36.2

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

290

A

E réc

Récupération Énergie

13.4

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V. Le groupe Généralement générés =-15V,T vj = 125 o C

56.6

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

301

A

E réc

Récupération Énergie

22.2

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe CC =600V,I F = 300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V. Le groupe Généralement générés =-15V,T vj = 150 o C

65.9

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

306

A

E réc

Récupération Énergie

26.3

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

35

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

1.45

mΩ

R le CJJ

Réservoir -à -Étude de cas (parIGBT -invertisseur ) Jonction-à-Case (par Diode-invert eur) Jonction-à-Case (par Diode-3-nive au)

0.098 0.176 0.176

Pour les produits de base

R thCH

Case-à-Dissipateur (par IGBT-in verter) Case-à-Dissipateur (par Diode-i nverseur) Case-à-Dissipateur (par Diode-3- niveau) Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

0.033 0.059 0.059 0.009

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M6 Le couple de montage Vire M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Poids de Module

350

g