GD600HTA120P6HT, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

600

A

Je C

Courant collecteur @ T F = 90 o C

450

A

Je Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1200

A

P D

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75 o C T j = 175 o C

1075

Le

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe RRM

Voltage inverse de pic répétitif généralement générés

1200

V. Le groupe

Je FN

Collecteur Cu implémenté rente

600

A

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

450

A

Je FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150 +150 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V. Le groupe ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V. Le groupe

d Creepage

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

9.0 9.0

mm

d Clair

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

4.5 4.5

mm

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.40

V. Le groupe

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.65

Je C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j = 175 o C

1.70

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, T j = 25 o C

1.60

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, T j = 150 o C

1.90

Je C =600A,V Généralement générés = 15 V, T j = 175 o C

2.00

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C = 15,6 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T j = 25 o C

6.4

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T j = 25 o C

1.0

le nombre de

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T j = 25 o C

400

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

1.67

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

81.2

nF

C oes

Capacité de sortie

1.56

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.53

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe CE =600V,I C = 600A, V Généralement générés =-8... +15V

5.34

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff =2.2Ω, L S = 22nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, T j = 25 o C

290

n.S.

t r

Il est temps de monter.

81

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

895

n.S.

t f

Temps d'automne

87

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

53.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

47.5

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff =2.2Ω, L S = 22nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, T j = 150 o C

322

n.S.

t r

Il est temps de monter.

103

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1017

n.S.

t f

Temps d'automne

171

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

84.2

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

63.7

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff =2.2Ω, L S = 22nH,

V. Le groupe Généralement générés =-8V/+15V, T j = 175 o C

334

n.S.

t r

Il est temps de monter.

104

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1048

n.S.

t f

Temps d'automne

187

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

89.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

65.4

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤6μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

2000

A

T j = 175 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.80

V. Le groupe

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.75

Je F =450A,V Généralement générés =0V,T j =1 75o C

1.70

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T j = 25 o C

1.95

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T j =1 50o C

1.95

Je F =600A,V Généralement générés =0V,T j =1 75o C

1.90

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =600A,

-di/dt=7040A/μs,V Généralement générés = 8V L S = 22 nH ,T j = 25 o C

22.5

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

304

A

E réc

Récupération Énergie

10.8

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =600A,

-di/dt=5790A/μs,V Généralement générés = 8V L S = 22 nH ,T j = 150 o C

46.6

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

336

A

E réc

Récupération Énergie

18.2

je suis désolé.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

V. Le groupe R =600V,I F =600A,

-di/dt=5520A/μs,V Généralement générés = 8V L S = 22 nH ,T j = 175 o C

49.8

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

346

A

E réc

Récupération Énergie

19.8

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de R 100

T C = 100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25 à 50%

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25 à 50% 1/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/80 1/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

R 2= R 25exp [B 25/100 1/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

8

nH

R CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.75

mΩ

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement je suis là.

2.5

bar

R thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,T F =75 o C

0.081 0.118

0.093 0.136

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Poids de Module

750

g