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Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

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GD600HTA120P6HT, Module IGBT, STARPOWER

1200V 720A Package:P6

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
  • Introduction
  • Le schéma
  • Schéma de circuit équivalent
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT ,produit par Le système de régulation . 1200V 600A. Je suis désolé.

Caractéristiques

  • Technologie IGBT à faible VCE (sat)
  • Faibles pertes de commutation
  • capacité de court-circuit de 6 μs
  • VCE (sat) avec coefficient de température positif
  • Température maximale de jonction 175oC
  • Cas à faible inductance
  • Récupération inverse rapide et douce anti-parallèle FWD
  • Baseplate en pinfin en cuivre isolé utilisant la technologie Si3N4AMB

Applications Typiques

  • Automobile application
  • Véhicule hybride et électrique
  • Invertisseurs pour moteur

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T F =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E Nom de la CN

Collecteur Cu implémenté rente

600

A

E C

Courant collecteur @ T F =90o C

450

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1200

A

P D

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75o C T j =175o C

1075

L

Diode

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pic répétitif généralement générés

1200

V

E FN

Collecteur Cu implémenté rente

600

A

E F

Diode courant continu avant Cu rente

450

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Module

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150 +150 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Creepage

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

9.0 9.0

mm

d Clair

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

4.5 4.5

mm

L'IGBT Caractéristiques T F =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.40

V

E C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.65

E C =450A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

1.70

E C =600A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.60

E C =600A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.90

E C =600A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =15.6le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

6.4

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

1.67

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

81.2

nF

C oes

Capacité de sortie

1.56

nF

C rés

Transfert inverse Capacité

0.53

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V CE =600V,I C = 600A, V Généralement générés =-8... +15V

5.34

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =600A,

Barre Gon =1,0Ω, Barre Goff =2.2Ω, L S = 22nH,

V Généralement générés =-8V/+15V, T j =25o C

290

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

81

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

895

n.S.

t f

Temps d'automne

87

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

53.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

47.5

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =600A,

Barre Gon =1,0Ω, Barre Goff =2.2Ω, L S = 22nH,

V Généralement générés =-8V/+15V, T j =150o C

322

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

103

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1017

n.S.

t f

Temps d'automne

171

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

84.2

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

63.7

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =600A,

Barre Gon =1,0Ω, Barre Goff =2.2Ω, L S = 22nH,

V Généralement générés =-8V/+15V, T j =175o C

334

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

104

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1048

n.S.

t f

Temps d'automne

187

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

89.8

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

65.4

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

2000

A

T j =175o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

Diode Caractéristiques T F =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =450A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

V

E F =450A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.75

E F =450A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.70

E F =600A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.95

E F =600A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

E F =600A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.90

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =600A,

-di/dt=7040A/μs,V Généralement générés = 8V L S =22nH ,T j =25o C

22.5

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

304

A

E réc

Récupération Énergie

10.8

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =600A,

-di/dt=5790A/μs,V Généralement générés = 8V L S =22nH ,T j =150o C

46.6

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

336

A

E réc

Récupération Énergie

18.2

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =600A,

-di/dt=5520A/μs,V Généralement générés = 8V L S =22nH ,T j =175o C

49.8

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

346

A

E réc

Récupération Énergie

19.8

je suis désolé.

NTC Caractéristiques T F =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C =100 o C ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Module Caractéristiques T F =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

8

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.75

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement je suis là.

2.5

barre

Barre thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) V/ t=10.0 dm 3/min ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Poids de Module

750

g

Le schéma

Schéma de circuit équivalent

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