GD600HTA120P6HT, Module IGBT, STARPOWER

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

ICN

Collecteur Cu implémenté rente

600

A

IC

Courant collecteur @ T F =90o C

450

A

ICm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1200

A

PD

Dissipation de puissance maximale le projet @ T F =75o C T j =175o C

1075

L

Le symbole

DESCRIPTION

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pic répétitif généralement générés

1200

V

IFN

Collecteur Cu implémenté rente

600

A

IF

Diode courant continu avant Cu rente

450

A

IFM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1200

A

Le symbole

DESCRIPTION

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement de la jonction continue

Pour 10s dans une période de 30s, occurrence maximum 3000 fois sur la durée de vie moi

-40 à +150 +150 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

d Creepage

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

9.0 9.0

mm

d Clair

Terminal à évier de chaleur Terminal à terminal

4.5 4.5

mm

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

IC=450A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.40

V

IC=450A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.65

IC=450A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

1.70

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.60

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

1.90

IC=600A,V Généralement générés = 15 V, T j =175o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

IC=15.6le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

6.4

V

ILe CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T j =25o C

1.0

le nombre de

IGES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

1.67

oh

C- Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

81.2

nF

Coes

Capacité de sortie

1.56

nF

Crés

Transfert inverse Capacité

0.53

nF

QG

Charge de la porte

V CE =600V,I C = 600A, V Généralement générés =-8... +15V

5.34

le taux de décharge

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A,

Barre Gon =1,0Ω, Barre Goff =2.2Ω, LS = 22nH,

V Généralement générés =-8V/+15V, T j =25o C

290

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

81

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

895

n.S.

t f

Temps d'automne

87

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

53.5

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

47.5

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A,

Barre Gon =1,0Ω, Barre Goff =2.2Ω, LS = 22nH,

V Généralement générés =-8V/+15V, T j =150o C

322

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

103

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1017

n.S.

t f

Temps d'automne

171

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

84.2

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

63.7

je suis désolé.

t d (activé )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C=600A,

Barre Gon =1,0Ω, Barre Goff =2.2Ω, LS = 22nH,

V Généralement générés =-8V/+15V, T j =175o C

334

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

104

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

1048

n.S.

t f

Temps d'automne

187

n.S.

Eactivé

On le met en marche Le changement Perte de

89.8

je suis désolé.

Eéteint

Commutateur d'arrêt Perte de

65.4

je suis désolé.

ISC

Données SC

t P≤6μs, V Généralement générés = 15 V,

2000

A

T j =175o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

IF =450A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.80

V

IF =450A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.75

IF =450A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.70

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.95

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =150o C

1.95

IF =600A,V Généralement générés =0V,T j =175o C

1.90

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =600A,

-di/dt=7040A/μs,V Généralement générés = 8V LS =22nH ,T j =25o C

22.5

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

304

A

Eréc

Récupération Énergie

10.8

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =600A,

-di/dt=5790A/μs,V Généralement générés = 8V LS =22nH ,T j =150o C

46.6

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

336

A

Eréc

Récupération Énergie

18.2

je suis désolé.

Qbarre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =600A,

-di/dt=5520A/μs,V Généralement générés = 8V LS =22nH ,T j =175o C

49.8

le taux de décharge

IRM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

346

A

Eréc

Récupération Énergie

19.8

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Déviation de Barre 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2- je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2- je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2- je suis désolé.

3433

K

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

LCE

Inductivité de déplacement

8

nH

Barre CC+EE

Module de résistance au plomb, Terminal au chip

0.75

mΩ

p

Pression maximale dans le circuit de refroidissement je suis là.

2.5

barre

Barre thJF

Réservoir -à -Réfrigération Douce (parIGBT )Jonction au fluide de refroidissement (par D iode) △V/ △t=10.0 dm 3/mIN ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

Pour les produits de base

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M5 Le couple de montage Vire M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m.

G

Poids de Module

750

g