IDG75X12T2, IGBT discrète, puissance de démarrage

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C @ T C =100o C

150

75

A

E Cm

Impulsé Le collecteur Actuel t p limité par T vjmax

225

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj =175o C

852

L

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V

E F

Diode courant continu avant Cu rente

75

A

E FM

Impulsé Le collecteur Actuel t p limité par T vjmax

225

A

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-55 à +150

o C

T S

Température de soudage,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

E C =75A,V Généralement générés = 15 V, T vj =25o C

1.75

2.20

V

E C =75A,V Généralement générés = 15 V, T vj =150o C

2.10

E C =75A,V Généralement générés = 15 V, T vj =175o C

2.20

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =3.00le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V, T vj =25o C

250

μA

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

100

nA

Barre Le gint

Résistance interne de la porte

2.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE =25V,f=100kHz, V Généralement générés =0V

6.58

nF

C oes

Capacité de sortie

0.40

C rés

Transfert inverse Capacité

0.19

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15…+15V

0.49

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =75A, Barre G = 4,7Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

135

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

87

n.S.

t f

Temps d'automne

255

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

12.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

3.6

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =75A, Barre G = 4,7Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

140

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

164

n.S.

t f

Temps d'automne

354

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

17.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.3

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =75A, Barre G = 4,7Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

140

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

167

n.S.

t f

Temps d'automne

372

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

18.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.7

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V Généralement générés = 15 V,

T vj =175o C,V CC =800V, V MEC ≤1200V

300

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant Tension

E F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

E F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =150o C

1.75

E F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =175o C

1.75

le

Diode à l'envers Temps de récupération

V Barre =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V Généralement générés =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

n.S.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

4.2

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

22

A

E réc

Récupération Énergie

1.1

je suis désolé.

le

Diode à l'envers Temps de récupération

V Barre =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V Généralement générés =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

n.S.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

9.80

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

33

A

E réc

Récupération Énergie

2.7

je suis désolé.

le

Diode à l'envers Temps de récupération

V Barre =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V Généralement générés =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

n.S.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

11.2

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

35

A

E réc

Récupération Énergie

3.1

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.176 0.371

Pour les produits de base

Barre thJA

Jonction-à-Ambiant

40

Pour les produits de base