IDG75X12T2, IGBT discrète, puissance de démarrage

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V. Le groupe

V. Le groupe GES

Voltage de l'émetteur de la porte

± 20

V. Le groupe

Je C

Courant collecteur @ T C = 25 o C @ T C = 100 o C

150

75

A

Je Cm

Impulsé Le collecteur Actuel t p limité par T vjmax

225

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T vj = 175 o C

852

Le

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V. Le groupe RRM

Tension inverse de crête répétitive âge

1200

V. Le groupe

Je F

Diode courant continu avant Cu rente

75

A

Je FM

Impulsé Le collecteur Actuel t p limité par T vjmax

225

A

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

T vjop

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +175

o C

T GST

Plage de température de stockage

-55 à +150

o C

T S

Température de soudage,1.6mm f rom case for 10s

260

o C

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe CE (sat)

Collecteur à émetteur Voltage de saturation

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 25 o C

1.75

2.20

V. Le groupe

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 150 o C

2.10

Je C =75A,V Généralement générés = 15 V, T vj = 175 o C

2.20

V. Le groupe Généralement générés (le )

Seuil d'émetteur de porte Tension

Je C =3.00 le nombre de ,V. Le groupe CE = V. Le groupe Généralement générés , T vj = 25 o C

5.0

5.8

6.5

V. Le groupe

Je Le CES

Le collecteur Coupe -Éteint Actuel

V. Le groupe CE = V. Le groupe Le CES ,V. Le groupe Généralement générés =0V, T vj = 25 o C

250

μA

Je GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V. Le groupe Généralement générés = V. Le groupe GES ,V. Le groupe CE =0V, T vj = 25 o C

100

nA

R Le gint

Résistance interne de la porte

2.0

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V. Le groupe CE =25V,f=100kHz, V. Le groupe Généralement générés =0V

6.58

nF

C oes

Capacité de sortie

0.40

C rés

Transfert inverse Capacité

0.19

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V. Le groupe Généralement générés =-15…+15V

0.49

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =75A, R G = 4,7Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, Ls=40nH,

T vj = 25 o C

41

n.S.

t r

Il est temps de monter.

135

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

87

n.S.

t f

Temps d'automne

255

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

12.5

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

3.6

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =75A, R G = 4,7Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, Ls=40nH,

T vj = 150 o C

46

n.S.

t r

Il est temps de monter.

140

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

164

n.S.

t f

Temps d'automne

354

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

17.6

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.3

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V. Le groupe CC =600V,I C =75A, R G = 4,7Ω,

V. Le groupe Généralement générés = ± 15 V, Ls=40nH,

T vj = 175 o C

46

n.S.

t r

Il est temps de monter.

140

n.S.

t d(off)

Débranchement Temps de retard

167

n.S.

t f

Temps d'automne

372

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement Perte de

18.7

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt Perte de

6.7

je suis désolé.

Je SC

Données SC

t P ≤ 10 μs, V. Le groupe Généralement générés = 15 V,

T vj = 175 o C,V CC =800V, V. Le groupe MEC ≤1200V

300

A

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V. Le groupe F

Diode vers l'avant Tension

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj = 2 5o C

1.75

2.20

V. Le groupe

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =15 0o C

1.75

Je F =75A,V Généralement générés =0V,T vj =17 5o C

1.75

le

Diode à l'envers Temps de récupération

V. Le groupe R =600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V Généralement générés =-15 V, Ls=40nH,

T vj = 25 o C

267

n.S.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

4.2

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

22

A

E réc

Récupération Énergie

1.1

je suis désolé.

le

Diode à l'envers Temps de récupération

V. Le groupe R =600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V Généralement générés =-15 V, Ls=40nH,

T vj = 150 o C

432

n.S.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

9.80

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

33

A

E réc

Récupération Énergie

2.7

je suis désolé.

le

Diode à l'envers Temps de récupération

V. Le groupe R =600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V Généralement générés =-15 V, Ls=40nH,

T vj = 175 o C

466

n.S.

Q: Le numéro r

Charge récupérée

11.2

le taux de décharge

Je RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

35

A

E réc

Récupération Énergie

3.1

je suis désolé.

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

R le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T) Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

0.176 0.371

Pour les produits de base

R thJA

Jonction-à-Ambiant

40

Pour les produits de base