Toutes les catégories
Obtenir un devis

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Module IGBT 1200V

Module IGBT 1200V

Page d’accueil /  Produits /  Module IGBT /  Module IGBT 1200V

GD900HFX120P1SA, Module IGBT, STARPOWER

1200V 900A, Emballage:P1

Brand:
Le système de régulation
Spu:
Les données sont fournies par les autorités compétentes.
  • Introduction
  • Le schéma
Introduction

Introduction succincte

Module IGBT , produit par STARPOWER. 1200V 900A.

Caractéristiques

  • Faible V CE (assis ) Tranchée L'IGBT tECHNOLOGIE
  • 10 μs capab de court-circuit l'égalité
  • V CE (assis ) avec positifs température coefficient
  • Maximum température de jonction 175o C
  • Faible inductance étude de cas
  • Plaque de base en cuivre isolée utilisant la technologie DBC
  • Capacité de puissance élevée et de cyclage thermique ité

Typique Applications

  • Convertisseur de haute puissance
  • Énergie solaire
  • Véhicule hybride et électrique

- Je ne sais pas. Maximum Notes de notation T C =25o C à moins autrement noté

L'IGBT

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V Le CES

Voltage du collecteur-émetteur

1200

V

V GES

Voltage de l'émetteur de la porte

±20

V

E C

Courant collecteur @ T C =25o C

@ T C = 100o C

1522

900

A

E Cm

Courant collecteur pulsé t p =1ms

1800

A

P D

Puissance maximale Dissipation @ T j =175o C

5.24

kW

Diode

Le symbole

Description

Valeurs

Unité

V RRM

Voltage inverse de pointe répétitif

1200

V

E F

Diode à dérive continue le loyer

900

A

E FM

Courant Avant Maximum du Diode t p =1ms

1800

A

Module

Le symbole

Description

Valeur

Unité

T jmax

Température maximale de jonction

175

o C

T le jouet

Température de fonctionnement des jonctions

-40 à +150

o C

T GST

Température de stockage Autonomie

-40 à +125

o C

V ISO

Tension d'isolement RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

L'IGBT Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V CE (sat)

Collecteur à émetteur

Voltage de saturation

E C =900A,V Généralement générés = 15 V, T j =25o C

1.70

2.15

V

E C =900A,V Généralement générés = 15 V, T j =125o C

1.95

E C =900A,V Généralement générés = 15 V, T j =150o C

2.00

V Généralement générés (th)

Seuil d'émetteur de porte Tension

E C =22.5le nombre de ,V CE =V Généralement générés , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

E Le CES

Le collecteur Découpé -Éteint

Actuel

V CE =V Le CES ,V Généralement générés =0V,

T j =25o C

1.0

le nombre de

E GES

Fuite de l'émetteur de la porte Actuel

V Généralement générés =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barre Le gint

Résistance à la porte interne ance

0.63

oh

C - Je vous en prie.

Capacité d'entrée

V CE = 25V, f=1 MHz,

V Généralement générés =0V

93.2

nF

C rés

Transfert inverse

Capacité

2.61

nF

Q: Le numéro G

Charge de la porte

V Généralement générés =-15 +15V

6.99

le taux de décharge

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A, Barre G = 1,6Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =25o C

214

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

150

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

721

n.S.

t f

Temps d'automne

206

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

76

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

128

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A, Barre G = 1,6Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =125o C

235

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

161

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

824

n.S.

t f

Temps d'automne

412

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

107

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

165

je suis désolé.

t d (sur )

Temps de retard d'activation

V CC =600V,I C =900A, Barre G = 1,6Ω,

V Généralement générés = ± 15 V, T j =150o C

235

n.S.

t barre

Il est temps de monter.

161

n.S.

t d (éteint )

Débranchement Temps de retard

876

n.S.

t f

Temps d'automne

464

n.S.

E sur

On le met en marche Le changement

Perte de

112

je suis désolé.

E éteint

Commutateur d'arrêt

Perte de

180

je suis désolé.

E SC

Données SC

t P ≤ 10 μs,V Généralement générés = 15 V,

T j =150o C,V CC =900V, V MEC ≤1200V

3600

A

Diode Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

V F

Diode vers l'avant

Tension

E F =900A,V Généralement générés =0V,T j =25o C

1.90

2.25

V

E F =900A,V Généralement générés =0V,T j = 125o C

1.85

E F =900A,V Généralement générés =0V,T j = 150o C

1.80

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V Généralement générés =-15V T j =25o C

86

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

475

A

E réc

Récupération Énergie

36.1

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V Généralement générés =-15V T j = 125o C

143

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

618

A

E réc

Récupération Énergie

71.3

je suis désolé.

Q: Le numéro barre

Charge récupérée

V Barre =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V Généralement générés =-15V T j = 150o C

185

le taux de décharge

E RM

Période de pointe à l'envers

Courant de récupération

665

A

E réc

Récupération Énergie

75.1

je suis désolé.

NTC Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Conditions d'essai

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

Barre 25

Résistance nominale

5.0

δR/R

Déviation de Barre 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Puissance

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/501/T 2-

je suis désolé.

3375

K

B 25/80

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/801/T 2-

je suis désolé.

3411

K

B 25/100

Valeur B

Barre 2= R 25exp [B 25/1001/T 2-

je suis désolé.

3433

K

Module Caractéristiques T C =25o C à moins autrement noté

Le symbole

Paramètre

Je ne sais pas.

- Je sais.

Je suis désolé.

Unité

L CE

Inductivité de déplacement

18

nH

Barre CC+EE

Résistance au plomb du module, terminal à la puce

0.30

Barre le CJJ

Les points de jonction (par IGB) T)

Les points de contact entre les deux cas (par D) iode)

28.6

51.9

K/kW

Barre thCH

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Les données sont disponibles en ligne.

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 ± 0,9 diode)

Pour les appareils de traitement des eaux usées, le coefficient de charge est de 0,8%. Module)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

Le couple de connexion du terminal, Vire M4 Connexion Terminal Couple, Vire M8 Le couple de montage Vire M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.m.

G

Poids de Module

825

g

Le schéma

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Produit associé

Vous avez des questions sur les produits?

Notre équipe de vente professionnelle attend votre consultation.
Vous pouvez suivre leur liste de produits et poser toutes les questions qui vous intéressent.

Obtenir un devis

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000

Obtenir un devis gratuit

Notre représentant vous contactera sous peu.
Courriel
Nom
Nom de l'entreprise
Message
0/1000