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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD900HFX120P1SA,Módulo IGBT,STARPOWER

1200V 900A, Envase:P1

Brand:
El sistema de energía
Spu:
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las
  • Introducción
  • Esquema
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT , producido por STARPOWER. 1200V 900A.

Características

  • Bajo V CE (sat ) Trinchera El IGBT tecnología
  • 10 μs capacidad de cortocircuito el mismo
  • V CE (sat ) con positivo temperatura coeficiente
  • Máximo temperatura de unión 175o C
  • Baja inductancia caso
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC
  • Alta capacidad de potencia y ciclo térmico ciudad

Típico Aplicaciones

  • Convertidor de Alta Potencia
  • Energía Solar
  • Vehículo Híbrido y Eléctrico

En absoluto Máximo Calificaciones T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

IC

Corriente Colectora @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1522

900

A

ICm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

1800

A

PD

Disipación de potencia máxima @ T j =175o C

5.24

kW

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

UNIDAD

V RRM

Voltado inverso de pico repetitivo

1200

V

IF

Diodo de dirección continua hacia adelante alquiler

900

A

I- ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1800

A

MÓDULO

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

T jmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

T el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o C

T El GST

Temperatura de almacenamiento Gama

-40 a +125

o C

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

El IGBT Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor

Voltagem de saturación

ICel valor de las emisiones de CO2 GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25o C

1.70

2.15

V

ICel valor de las emisiones de CO2 GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125o C

1.95

ICel valor de las emisiones de CO2 GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150o C

2.00

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

IC=22.5el número de ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

IEl CES

El colector Cortado -Off

Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

el número de

IEl GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

0.63

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE el valor de la energía de la corriente

93.2

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa

Capacidad

2.61

nF (número de trabajo)

QG

Cargo por puerta

V GE =-15 ﹍+15V

6.99

el valor de la concentración

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C= 900A, Barra G=1.6Ω,

V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25o C

214

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

150

el Consejo

t d (off )

Apagado Tiempo de retraso

721

el Consejo

t f

Tiempo de caída

206

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

76

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

128

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C= 900A, Barra G=1.6Ω,

V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125o C

235

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

161

el Consejo

t d (off )

Apagado Tiempo de retraso

824

el Consejo

t f

Tiempo de caída

412

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

107

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

165

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C= 900A, Barra G=1.6Ω,

V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150o C

235

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

161

el Consejo

t d (off )

Apagado Tiempo de retraso

876

el Consejo

t f

Tiempo de caída

464

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio

Pérdida

112

mJ

Eoff

Cambiar el encendido

Pérdida

180

mJ

ISC

Datos de la SC

t P≤ 10 μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T j =150o C, V CC =900V, V El CEM no más de 1200 V

3600

A

Diodo Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante

Tensión

IF el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =25o C

1.90

2.25

V

IF el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j = 125o C

1.85

IF el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j = 150o C

1.80

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j =25o C

86

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

475

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

36.1

mJ

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j = 125o C

143

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

618

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

71.3

mJ

Qbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F = 900A,

-di/dt=4800A/μs,V GE el valor de la presión de escape T j = 150o C

185

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

665

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

75.1

mJ

NTC Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

kΩ

δR/R

Desviación de Barra 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2-

¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

MÓDULO Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

LCE

Inductividad de alejamiento

18

nH

Barra CC+EE

Resistencia de plomo del módulo, terminal al chip

0.30

mΩ

Barra el JC

Enlace a la caja (por IGB) T)

Enlace a la caja (por D) yodo)

28.6

51.9

K/kW

Barra el CH

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga

El sistema de refrigeración de la caja (p) diodo de acero)

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: Módulo)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

El par de conexión de la terminal, Tornillo M4 Conexión Terminal Par, El tornillo M8 Torque de montaje El tornillo M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

Nuevo Méjico

G

Peso de MÓDULO

825

g

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