Ventajas técnicas del MOSFET de unión súper
## MOSFET de unión súper de alto rendimiento
Basados en la avanzada tecnología de unión súper, nuestros productos alcanzan un excelente equilibrio entre capacidad de alta tensión, alta eficiencia y fiabilidad sobresaliente. Mediante un diseño innovador de estructura de compensación de carga, los dispositivos reducen eficazmente la resistencia en estado de conducción (RDS(on)), minimizan las pérdidas por conducción y mejoran la eficiencia general del sistema.
Con un rendimiento de conmutación rápido, parámetros parásitos bajos y una excelente estabilidad térmica, los MOSFET de unión súper están diseñados para satisfacer los exigentes requisitos de aplicaciones de alta frecuencia y alta densidad de potencia. Se utilizan ampliamente en fuentes de alimentación industriales, sistemas de alimentación para servidores, equipos de carga para vehículos eléctricos (EV), sistemas fotovoltaicos de almacenamiento de energía y aplicaciones de accionamiento de motores.
Gracias a la avanzada tecnología de procesamiento de semiconductores y un control de calidad riguroso, nuestros MOSFET de unión súper ofrecen a clientes globales soluciones de semiconductores de potencia de alto rendimiento y alta fiabilidad.
El MOSFET de unión súper introduce un control del campo eléctrico lateral mediante estructuras alternadas de columnas de tipo P, basándose en el diseño tradicional de VDMOS, lo que hace que la distribución del campo eléctrico vertical se aproxime a una forma rectangular ideal.
Bajo las mismas condiciones de resistencia epitaxial, esta estructura incrementa la capacidad del dispositivo para soportar voltaje en aproximadamente un 20 %. Para productos con la misma clasificación de voltaje, la tecnología de superunión puede reducir la resistencia en conducción por unidad de área a menos de 1/8 de la que presentan las estructuras tradicionales, logrando así una optimización sinérgica entre las pérdidas de conducción y las características de bloqueo.
Los productos de la serie de MOSFET de unión súper de nuestra empresa se fabrican mediante tecnologías avanzadas de zanja profunda y epitaxiales múltiples, lo que les confiere una resistencia en conducción y una carga de compuerta extremadamente bajas, reduciendo significativamente las pérdidas por conducción y conmutación. Son especialmente adecuados para sistemas de conversión electrónica de potencia de alta densidad de potencia y alta eficiencia.
¿Por qué elegir nuestros productos de la serie MOSFET?
Bajas pérdidas de conducción
Baja pérdida de conmutación
Alta densidad de potencia
Gama completa de productos
Aplicaciones
- Cargador de vehículo (OBC)
- fuente de alimentación para servidores
- fuente de Alimentación de Comunicación
- Convertidor DC/DC montado en vehículo
- pilas de carga
- cARGADOR
- adaptador
- Alimentación de TV
- nuevas energías
- LED
- PC
Diagrama esquemático del MOSFET de unión superpuesta (epitaxia múltiple)

Comparación entre el MOSFET planar y el MOSFET de unión superpuesta

Sobre nosotros
Nos enfocamos en el aplicación de productos IGBT y circuitos integrados (IC). Basándonos en la aplicación de los IC para IGBT, hemos ampliado nuestro espectro de productos a la personalización de ensamblajes de potencia de gama alta; al mismo tiempo, nuestra actividad se ha expandido al campo de los productos de control automático, incluidos convertidores analógico-digitales (ADC) y digitales-analógicos (DAC), reguladores de tensión de baja caída (LDO), amplificadores de instrumentación, relés electromagnéticos, PhotoMOS y MOSFET. De este modo, podemos colaborar con los principales fabricantes chinos en nuestros campos de especialización para ofrecer a nuestros clientes productos fiables y rentables.
Fundados sobre los principios de innovación y excelencia, estamos a la vanguardia de las soluciones alternativas y tecnologías en el sector semiconductor.
Nuestra visión es proporcionar soluciones alternativas a nuestros clientes, mejorar el rendimiento costo-eficacia de sus soluciones de aplicación y garantizar la seguridad de su cadena de suministro mediante fabricación en China.







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