T caso = 25 ° C T caso = 25° C a menos que se ha dicho de otro modo |
(El símbolo ) |
(Parámetro) |
(Condiciones de ensayo) |
(MIN) |
(Typ ) |
(Máx. ) |
(Unidad ) |
|
Yo El CES
|
Corriente de corte del colector |
V GE = 0V, V CE = V El CES |
|
|
1 |
el número de |
V GE = 0V, V CE = V El CES , T caso = 125 °C |
|
|
30 |
el número de |
V GE = 0V, V CE = V El CES , T caso = 150 °C |
|
|
50 |
el número de |
Yo El GES |
Fugas de la puerta actual |
V GE el valor de la presión de escape será igual a: V CE el valor de la energía |
|
|
1 |
mA |
V GE (TD) |
Voltagem de umbral de la puerta |
Yo C = 40 el número de , V GE = V CE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
V |
|
V CE (sat )(*1)
|
Saturación del colector-emittente tensión |
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo C= 500A |
|
2.40 |
2.90 |
V |
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo C = 500A, T vj = 125 °C |
|
2.95 |
3.40 |
V |
V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Yo C = 500A, T vj = 150 °C |
|
3.10 |
3.60 |
V |
Yo F |
Corriente de diodo hacia adelante |
CC |
|
500 |
|
R |
Yo El MFR |
Diodo máximo hacia adelante actual |
t P = 1 ms |
|
1000 |
|
R |
|
V F (*1)
|
Voltado del diodo hacia adelante
|
Yo F = 500A |
|
2.10 |
2.60 |
V |
Yo F = 500A, T vj = 125 °C |
|
2.25 |
2.70 |
V |
Yo F = 500A, T vj = 150 °C |
|
2.25 |
2.70 |
V |
Cies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25 V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
90 |
|
nF (número de trabajo) |
Pg |
Cargo por puerta |
± 15 V |
|
9 |
|
el valor de la concentración |
Cres |
Capa de transferencia inversa citación |
V CE = 25 V, V GE = 0V, f = 1MHz |
|
2 |
|
nF (número de trabajo) |
C M |
Módulo inductancia |
|
|
25 |
|
nH |
Barra INT |
Resistencia interna del transistor |
|
|
310 |
|
el valor de la carga |
|
Yo SC
|
Cortocircuito corriente, Yo SC |
T vj = 150 °C, V CC = 2500V, V GE ≤de una potencia de 15 V, t p ≤10 μs,
V CE (máx. ) = V El CES – C (*2) ×di /dt ,IEC 6074-9
|
|
1800
|
|
R
|
EN
