Introducción
Características ：
- Base de montaje aislada 3000V~
- Tecnología de unión de soldadura con mayor capacidad de ciclo de potencia
- Ahorro de espacio y peso
Aplicaciones típicas
- Varios rectificadores
- Suministro de CC para inversor PWM
V RSM |
V RRM |
Tipo y contorno |
900V |
800V |
MDx160-08-229H3 |
1100V |
1000V |
MDx160-10-229H3 |
1300V |
1200V |
MDx160-12-229H3 |
1500V |
1400V |
MDx160-14-229H3 |
las demás |
1600V |
MDx160-16-229H3 |
1900V |
1800V |
MDx160-18-229H3 |
|
El símbolo
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Características
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Condiciones de ensayo
|
Tj( °C)
|
Valor |
Unidad
|
Mínimo |
Tipo |
Máx. |
IF(AV) |
Corriente media directa |
180° media onda sinusoidal 50Hz enfriado por un lado, TC=100 °C |
150
|
|
|
160 |
A |
IF(RMS) |
Corriente directa RMS |
|
|
251 |
A |
MIRR |
Corriente pico repetitiva |
en VRRM |
150 |
|
|
12 |
el número de |
El IFSM |
Corriente de avance de sobretensión |
10ms media onda sinusoidal VR=0.6VRRM
|
150
|
|
|
4 |
kA |
El 1 de enero |
I2t para coordinación de fusibles |
|
|
80 |
A2s*103 |
VFO |
Voltaje de umbral |
|
150
|
|
|
0.85 |
V |
rF |
Resistencia de pendiente directa |
|
|
1.25 |
m oh, también |
VFM |
Voltaje directo pico |
IFM=480A |
25 |
|
|
1.50 |
V |
Rth(j-c) |
Resistencia térmica
Unión a caja
|
Enfriado por un lado por chip |
|
|
|
0.20 |
C /W |
Rth(c-h) |
Resistencia térmica de la caja al disipador |
Enfriado por un lado por chip |
|
|
|
0.08 |
C /W |
VISO (en inglés) |
Voltaje de aislamiento |
50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(máx) |
|
3000 |
|
|
V |
|
- ¿ Qué?
|
Par de conexión de terminal (M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N ·m |
Par de montaje (M6) |
|
|
4.5 |
|
6 |
N ·m |
TSTG |
Temperatura almacenada |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
El |
Peso |
|
|
|
165 |
|
g |
Esquema |
229H3 |
Esquema del circuito equivalente
EN
