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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD720HTA120P6HT, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 720A Paquete: P6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD720HTA120P6HT
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 720A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • Bajas pérdidas de conmutación
  • capacidad de cortocircuito de 4μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de unión 175oC
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base aislada de pinfin de cobre utilizando tecnología Si3N4AMB

Aplicaciones típicas

  • Automotriz aplicación
  • Vehículo Híbrido y Eléctrico
  • Inversores para motor de transmisión

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

ICN

El colector Cu implementado renta

720

A

IC

Corriente Colectora @ T F =65o C

600

A

ICm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

1440

A

PD

Disposición máxima de energía ation @ T F =75o C T vj =175o C

1204

A

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valores

Unidad

V RRM

Volta inversa de pico repetitivo el sector de la energía

1200

V

IFN

El colector Cu implementado renta

720

A

IF

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

600

A

I- ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1440

A

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T vjmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

T vjop

Temperatura de las uniones de funcionamiento continua

Por 10s dentro de un período de 30s, ocurrencia máximo 3000 veces durante la vida útil yo

-40 a +150 +150 a +175

o C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

V ISO

El valor de la tensión de aislamiento RMS,f=50Hz,t=1 mIN

3000

V

El IGBT Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

IC=600A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25o C

1.50

V

IC=600A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =150o C

1.80

IC=600A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =175o C

1.85

IC=720A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25o C

1.60

IC=720A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =175o C

2.05

V El sector de la energía (th)

Umbral de emisor de puertas Voltaje

IC=15.6el número de ,V CE =V El sector de la energía , T vj =25o C

6.0

V

IEl CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, T vj =25o C

1.0

el número de

IEl GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.67

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f = 100 kHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

48.7

nF (número de trabajo)

Ces

Capacidad de salida

1.55

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.26

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V CE =800V,I C el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =-8... +15V

3.52

el valor de la concentración

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =800V,I C=600A,

Barra ¿ Qué pasa? =3.0Ω, Barra - ¿ Qué? =1,0Ω, LS =24nH,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: T vj =25o C

208

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

65

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

505

el Consejo

t f

Tiempo de caída

104

el Consejo

Eactivado

Enciende Conmutación Pérdida

77.7

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

62.2

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =800V,I C=600A,

Barra ¿ Qué pasa? =3.0Ω, Barra - ¿ Qué? =1,0Ω, LS =24nH,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: T vj =150o C

225

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

75

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

567

el Consejo

t f

Tiempo de caída

191

el Consejo

Eactivado

Enciende Conmutación Pérdida

110

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

83.4

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC =800V,I C=600A,

Barra ¿ Qué pasa? =3.0Ω, Barra - ¿ Qué? =1,0Ω, LS =24nH,

V El sector de la energía el valor de la presión de escape de la unidad de carga será igual a: T vj =175o C

226

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

77

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

583

el Consejo

t f

Tiempo de caída

203

el Consejo

Eactivado

Enciende Conmutación Pérdida

118

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

85.9

mJ

ISC

Datos de la SC

t P≤4μs, V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =175o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

2600

A

Diodo Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

IF =600A,V El sector de la energía =0V,T vj =25o C

1.95

V

IF =600A,V El sector de la energía =0V,T vj =150o C

1.95

IF =600A,V El sector de la energía =0V,T vj =175o C

1.90

IF =720A,V El sector de la energía =0V,T vj =25o C

2.05

IF =720A,V El sector de la energía =0V,T vj =175o C

2.05

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =800V,I F =600A,

-di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V El sector de la energía =-8V, T vj =25o C

44.3

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

346

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

16.2

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =800V,I F =600A,

-di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V El sector de la energía =-8V, T vj =150o C

73.4

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

385

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

27.8

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra =800V,I F =600A,

-di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V El sector de la energía =-8V, T vj =175o C

80.7

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

392

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

30.7

mJ

NTC Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de Barra 100

T C=100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Potencia

Disipación

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características T F =25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

LCE

Inductividad de alejamiento

8

nH

Barra CC+EE

Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip

0.75

p

Presión máxima en el círculo de enfriamiento el cuco

T placa de base <40o C

T placa de base 40o C

(presión relativa)

2.5 2.0

barra

Barra el JF

Unión -a -Refrigeración El fluido (perIGBT )Unión a Líquido de Enfriamiento (por Di iodo) V/ t=10,0 dM 3/mIN ,T F =75o C

0.072 0.104

0.083 0.120

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, El tornillo M5 Torque de montaje Tornillo M4

3.6 1.8

4.4 2.2

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

750

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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