Introducción breve
Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 600A. ¿ Qué?
Características
- Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
- capacidad de cortocircuito de 10 μs
- VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
-
Temperatura máxima de la unión 175 ℃
- Cuadro de baja inductancia
- Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
- Base de cobre aislada con tecnología DBC
Aplicaciones típicas
- Inversores para motor de transmisión
- Con un volumen de carga de más de 300 W
- Suministro de energía ininterrumpible
En absoluto Máximo Calificaciones T F =25o C a menos que de otro modo anotado
El IGBT
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
UNIDAD |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
IC |
Corriente Colectora @ T C=25o C@ T C=70o C |
857
600
|
A |
ICm |
Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms |
1200 |
A |
PD |
Disipación de potencia máxima @ T vj =150o C |
4310 |
A |
Diodo
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
UNIDAD |
V RRM |
Volt inverso de pico repetitivo edad |
1200 |
V |
IF |
Diodo continuo hacia adelante Cu renta |
600 |
A |
I- ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
1200 |
A |
MÓDULO
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
UNIDAD |
T vjmax |
Temperatura máxima de unión |
150 |
o C |
T vjop |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +125 |
o C |
T El GST |
Rango de Temperatura de Almacenamiento |
-40 a +125 |
o C |
V ISO |
Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto |
2500 |
V |
El IGBT Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
|
V CE (sat)
|
Recolector al emisor Voltagem de saturación |
IC=600A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25o C |
|
3.00 |
3.45 |
V
|
IC=600A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =125o C |
|
3.80 |
|
V GE (th) |
Umbral de emisor de puertas Tensión |
IC=12el número de ,V CE =V GE , T vj =25o C |
4.8 |
5.8 |
6.8 |
V |
IEl CES |
El colector Cortado -Off Actual |
V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
5.0 |
el número de |
IEl GES |
Fugas de los emisores de puertas Actual |
V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Barra El ginto |
Resistencia de la puerta interna el |
|
|
0.31 |
|
ω |
Cies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente |
|
43.6 |
|
nF (número de trabajo) |
Cres |
Transferencia inversa Capacidad |
|
2.72 |
|
nF (número de trabajo) |
QG |
Cargo por puerta |
V GE =-15V…+15V |
|
8.32 |
|
el valor de la concentración |
t d (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C=600A, Barra G=1.5Ω, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Es =50nH ,T vj =25o C
|
|
317 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
76 |
|
el Consejo |
t no se puede |
Apagado Tiempo de retraso |
|
548 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
55 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio Pérdida |
|
20.2 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
34.2 |
|
mJ |
t d (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C=600A, Barra G=1.5Ω, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Es =50nH ,T vj =125o C
|
|
325 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
79 |
|
el Consejo |
t no se puede |
Apagado Tiempo de retraso |
|
595 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
59 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio Pérdida |
|
27.2 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
38.4 |
|
mJ |
ISC |
Datos de la SC |
t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.
T vj =125o C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V
|
|
3000 |
|
A |
Diodo Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
V F |
Diodo hacia adelante Tensión |
IF =600A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF =600A,V GE =0V,T vj =125o C |
|
1.90 |
|
Qbarra |
Cargo recuperado |
V Barra = 600 V,I F =600A,
-di/dt=7745A/μs,V GE se aplicará el método siguiente: Es =50nH ,T vj =25o C
|
|
58.0 |
|
el valor de la concentración |
IRM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
489 |
|
A |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
28.1 |
|
mJ |
Qbarra |
Cargo recuperado |
V Barra = 600 V,I F =600A,
-di/dt=7355A/μs,V GE se aplicará el método siguiente: Es =50nH ,T vj =25o C
|
|
100 |
|
el valor de la concentración |
IRM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
563 |
|
A |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
48.2 |
|
mJ |
MÓDULO Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
UNIDAD |
LCE |
Inductividad de alejamiento |
|
|
20 |
nH |
Barra CC+EE |
Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip |
|
0.35 |
|
mΩ |
Barra el JC |
Unión -a -Caso (perIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo) |
|
|
0.029 0.069 |
El número de unidades |
|
Barra el CH
|
En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga Caja-a-disipador (pe r Diodo) Caja-a-disipador (por M ódulo) |
|
0.014 0.034 0.010 |
|
El número de unidades |
M |
El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje Tornillo M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
Nuevo Méjico |
G |
Peso de MÓDULO |
|
300 |
|
g |
EN
