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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD600SGU120C2SD, Módulo IGBT, STARPOWER

1200V 720A Paquete: C2.1

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD600SGU120C2SD
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 600A. ¿ Qué?

Características

  • Tecnología IGBT de trinchera con baja VCE (sat)
  • capacidad de cortocircuito de 10 μs
  • VCE (sat) con coeficiente de temperatura positivo
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Cuadro de baja inductancia
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Base de cobre aislada con tecnología DBC

Aplicaciones típicas

  • Inversores para motor de transmisión
  • Con un volumen de carga de más de 300 W
  • Suministro de energía ininterrumpible

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25a C a menos que de otro modo anotado

El IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

Yo C

Corriente Colectora @ T C=25a C@ T C=70a C

857

600

R

Yo Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

1200

R

PG

Disipación de potencia máxima @ T vj =150a C

4310

R

Diodo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

Yo F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

600

R

Yo - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

1200

R

Módulo

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

Unidad

T vjmax

Temperatura máxima de unión

150

a C

T vjop

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +125

a C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

a C

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

2500

V

El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

Yo C=600A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =25a C

3.00

3.45

V

Yo C=600A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T vj =125a C

3.80

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

Yo C=12el número de ,V CE =V GE , T vj =25a C

4.8

5.8

6.8

V

Yo El CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T vj =25a C

5.0

el número de

Yo El GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T vj =25a C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna el

0.31

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f=1MHz, V GE el valor de la energía de la corriente

43.6

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

2.72

nF (número de trabajo)

PG

Cargo por puerta

V GE =-15V…+15V

8.32

el valor de la concentración

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=600A, Barra G=1.5Ω, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Es =50nH ,T vj =25a C

317

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

76

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

548

el Consejo

t f

Tiempo de caída

55

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

20.2

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

34.2

mJ

t g (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=600A, Barra G=1.5Ω, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. Es =50nH ,T vj =125a C

325

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

79

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

595

el Consejo

t f

Tiempo de caída

59

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

27.2

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

38.4

mJ

Yo SC

Datos de la SC

t P≤10μs, V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape.

T vj =125a C, V CC el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. V El CEM no más de 1200 V

3000

R

Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

V F

Diodo hacia adelante Tensión

Yo F =600A,V GE =0V,T vj =25a C

1.85

2.30

V

Yo F =600A,V GE =0V,T vj =125a C

1.90

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =600A,

-di/dt=7745A/μs,V GE se aplicará el método siguiente: Es =50nH ,T vj =25a C

58.0

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

489

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

28.1

mJ

Pbarra

Cargo recuperado

V Barra = 600 V,I F =600A,

-di/dt=7355A/μs,V GE se aplicará el método siguiente: Es =50nH ,T vj =25a C

100

el valor de la concentración

Yo RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

563

R

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

48.2

mJ

Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

Unidad

CCE

Inductividad de alejamiento

20

nH

Barra CC+EE

Modulo de resistencia al plomo, Terminal a el chip

0.35

Barra el JC

Unión -a -Caso (perIGBT ) Junción-a-Caja (por D iodo)

0.029 0.069

El número de unidades

Barra el CH

En el caso de los equipos de refrigeración de aire acondicionado, el valor de la presión de refrigeración debe ser igual o superior a: El número de unidades de carga Caja-a-disipador (pe r Diodo) Caja-a-disipador (por M ódulo)

0.014 0.034 0.010

El número de unidades

M

El par de conexión de la terminal, Tornillo M6 Torque de montaje Tornillo M6

2.5 3.0

5.0 5.0

Nuevo Méjico

G

Peso de Módulo

300

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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