Solución de Alimentación de Alta Tensión — Módulo IGBT de 6500 V y 750 A
Suministramos módulos IGBT de alto rendimiento de 6500 V y 750 A para aplicaciones industriales exigentes de potencia.
El módulo cuenta con capacidad de alta tensión, excelente rendimiento en conducción de corriente, bajas pérdidas de conmutación y una estabilidad térmica sobresaliente, lo que lo hace adecuado para sistemas de tracción ferroviaria, inversores de media tensión, accionamientos industriales, sistemas de energía renovable y convertidores de alta potencia.
Con una calidad fiable y un rendimiento estable, nuestro pRODUCTOS puede ayudar a mejorar la eficiencia del sistema y la fiabilidad operativa en condiciones de trabajo severas.
Podemos proporcionar documentación técnica, aplicación soporte técnico y soluciones de cooperación flexibles según los requisitos del cliente.
Si busca un proveedor chino de confianza para módulos IGBT de alta tensión, no dude en contactarnos para seguir conversando.
Parámetros clave
V El CES |
6500 V |
V CE (sat) Es el tipo. |
3.0 V |
I C Máx. |
750 A |
I C(RM) Máx. |
1500 A |
Aplicaciones típicas
- Las unidades de tracción
- Controladores de motor
- Red Inteligente
- Invertidor de alta fiabilidad
Características
- Base de AISiC
- Substratos de AIN
- Capacidad de ciclo térmico elevada
- 10 μs Resistir a cortocircuito
El valor máximo absoluto El precio los
El símbolo |
Parámetros |
Condiciones de ensayo |
Valor |
Unidad |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
VGE = 0V, TC = 25 °C |
6500 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
TC= 25 °C |
± 20 |
V |
I C |
Corriente colector-emitente |
TC = 80 °C |
750 |
A |
I C(PK) |
Corriente máxima del colector |
tP=1 ms |
1500 |
A |
P máx. |
Disposición máxima de energía del transistor |
La temperatura de los gases de efecto invernadero se calculará en función de la temperatura de los gases de efecto invernadero. |
11.7 |
kW |
I 2t |
Diodo I2t |
La temperatura de la corriente de aire de la unidad de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de la unidad de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de |
460 |
kA2s |
V sólo |
Voltado de aislamiento por módulo |
(Terminales comunes a la placa base), AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C |
10.2 |
kV |
¿Qué es? PD |
Descarga parcial - por módulo |
El número de unidades de producción V1 = 6900V, V2 = 5100V, 50Hz RMS |
10 |
pC |
Datos térmicos y mecánicos
El símbolo |
Explicación |
Valor |
Unidad |
|
Distancia de creepage
|
Terminal para el sumidero |
56.0 |
mm |
Terminal a terminal |
56.0 |
mm |
|
Autorización
|
Terminal para el sumidero |
26.0 |
mm |
Terminal a terminal |
26.0 |
mm |
CTI (Índice de seguimiento comparativo) |
|
600 |
|
Rth(J-C) IGBT |
Resistencia térmica - IGBT |
|
|
8.5
|
K / kW |
|
Rth(J-C) Diodo
|
Resistencia térmica - Diodo |
|
|
19.0
|
K / kW
|
|
Rth(C-H) IGBT
|
Resistencia térmica -
de la carcasa al disipador de calor (IGBT)
|
Par de montaje 5Nm,
con grasa de montaje 1W/m·°C
|
|
9
|
K / kW
|
|
Rth(C-H) Diodo
|
Resistencia térmica -
de la carcasa al disipador de calor (Diodo)
|
Par de montaje 5Nm,
con grasa de montaje 1W/m·°C
|
|
18
|
K / kW
|
Tvjop |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
El IGBT |
-40 |
125 |
°C |
Diodo |
-40 |
125 |
°C |
TSTG |
Rango de Temperatura de Almacenamiento |
|
-40 |
125 |
°C |
|
M
|
Par de tornillo
|
Montaje – M6 |
|
5 |
Nm |
Conexiones eléctricas – M4 |
|
2 |
Nm |
Conexiones eléctricas – M8 |
|
10 |
Nm |
Características Eléctricas
El símbolo |
Parámetros |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
El CIEM
|
Corriente de corte del colector
|
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
el número de |
VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C |
|
|
90 |
el número de |
El IGES |
Corriente de fuga de la puerta |
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
mA |
VGE (TH) |
Voltagem de umbral de la puerta |
IC = 120mA, VGE = VCE |
5.00 |
6.00 |
7.00 |
V |
|
VCE (sat) ((*1)
|
Saturación del colector-emittente
voltaje
|
VGE =15V, IC = 750A |
|
3.0 |
3.4 |
V |
VGE =15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C |
|
3.9 |
4.3 |
V |
IF |
Corriente de diodo hacia adelante |
CC |
|
750 |
|
A |
El número de personas |
Corriente de pico directa del diodo |
tP = 1 ms |
|
1500 |
|
A |
|
VF(*1)
|
Voltado del diodo hacia adelante
|
IF = 750A, VGE = 0 |
|
2.55 |
2.90 |
V |
IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C |
|
2.90 |
3.30 |
V |
|
ISC
|
Corriente de cortocircuito |
Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,
VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, CEI 6074-9
|
|
2800
|
|
A
|
Configuración del Circuito
Esquema
Laboratorio bien equipado
Contamos con un laboratorio bien equipado para pruebas y controlamos estrictamente la calidad de nuestros productos. Esto asegura que la tasa de aprobación de los productos que entregamos a nuestros clientes alcance el 100%.
Fábrica moderna automatizada
La fábrica moderna automatizada garantiza que todos los indicadores de rendimiento de nuestros productos sean altamente consistentes, minimizando al máximo las diferencias en los parámetros de cada producto. Esto no solo asegura la confiabilidad y consistencia de nuestros productos, sino que también sirve como una garantía importante para el funcionamiento seguro y confiable de los equipos de nuestros clientes.
Capacidad productiva suficiente
La sólida capacidad integral del fabricante y su suficiente capacidad de producción garantizan la entrega puntual de cada pedido.
Caso de Aplicación
1. Antecedentes del Proyecto
Sistema de Transmisión de Tracción de Vehículos de Transporte Ferroviario - Convertidor de Tracción Principal .
2. Problemas principales
Ciclos térmicos debido a arranques/paros frecuentes, alta vibración, vida útil de más de 25 años
3. Nuestra Solución
(1) Diseño personalizado de baja resistencia térmica (ΔTj＜40°C)
(2)Paquete reforzado mecánicamente (certificado IEC 61373)
4. Informe de simulación de por vida proporcionado (100.000 ciclos de potencia) Especificaciones clave
- 6500V
- 750A~ 250A
5. Resultados
Desplegado en 50 trenes de metro. La velocidad promedio de diseño es de 350 Km/H - 0% tasa de fallos en campo (hasta 2024) - Eficiencia del sistema 98%
6. Comentarios del cliente: Los módulos IGBT cumplieron con todos nuestros estrictos requisitos de confiabilidad y eficiencia, con un excelente soporte técnico." —Ingeniero Jefe.
7. Destacados del servicio de exportación
🌍 **Soporte global**: - Entrega de muestras en 48 horas (UE/NA/SEA) - FAE locales para diseño de topología
Por qué elegirnos?
Beijing World E To Technology Co., Ltd. es proveedor líder de productos semiconductores como módulo IGBT, IGBT discretos, chips IGBT, ADC/DAC, tiristor en China, dedicada principalmente a la distribución oficial de las marcas CRRC, Starpower, Techsem NARI. Con calificación para importación y exportación y 11 años de experiencia en esta industria, exportamos a Rusia, Emiratos Árabes Unidos y muchas otras zonas de Europa.
Contamos con estrictos criterios para la selección de fabricantes, equipos técnicos profesionales y control de calidad de los productos, garantizando el correcto funcionamiento de los proyectos de nuestros clientes en los campos del transporte ferroviario, industria eléctrica, vehículos eléctricos, inversores para motores y convertidores de frecuencia.
Mientras tanto, ayudar a los clientes a personalizar diversos tiristores y conjuntos de potencia según sus requisitos especiales de parámetros es otro componente importante de nuestra fabricación por contrato y una de nuestras ventajas.
Entrega segura
Cooperamos con las principales empresas internacionales de transporte de carga para garantizar un transporte oportuno.
Al mismo tiempo, empaquetamos cuidadosamente cada lote de mercancía que entregamos a nuestros clientes según sus requisitos, para garantizar que nuestros productos lleguen completos y sin daños.
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