Introducción breve
Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 275A. ¿ Qué?
Características
-
Bajo VCE(sat) Tecnología IGBT de zanja
-
VCE (sat) con positivo temperatura coeficiente
-
Temperatura máxima de la unión 175 ℃
- Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
-
Aislado placa base de cobre usando Si3 N4 Tecnología AMB
Aplicaciones típicas
Energía Solar
3-niveles- aplicación
En absoluto Máximo Calificaciones T F =25a C a menos que de otro modo anotado
T1-T4 IGBT
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
V El CES |
Voltagem del colector-emittente |
1200 |
V |
V El GES |
Voltagem del emisor de la puerta |
±20 |
V |
Yo CN |
Colector C implementado el precio de la renta |
275 |
R |
Yo C |
Corriente Colectora @ T C=100a C |
110 |
R |
Yo Cm |
Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms |
450 |
R |
Diodo D1/D4
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
V RRM |
Volt inverso de pico repetitivo edad |
1200 |
V |
Yo FN |
Corriente hacia adelante implementada ent |
275 |
R |
Yo F |
Diodo continuo hacia adelante Cu renta |
300 |
R |
Yo - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
450 |
R |
Diodo D2/D3
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
V RRM |
Volt inverso de pico repetitivo edad |
1200 |
V |
Yo FN |
Corriente hacia adelante implementada ent |
275 |
R |
Yo F |
Diodo continuo hacia adelante Cu renta |
225 |
R |
Yo - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
450 |
R |
Diodo D5/D6
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
V RRM |
Volt inverso de pico repetitivo edad |
1200 |
V |
Yo FN |
Corriente hacia adelante implementada ent |
275 |
R |
Yo F |
Diodo continuo hacia adelante Cu renta |
300 |
R |
Yo - ¿ Qué? |
Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms |
450 |
R |
Módulo
El símbolo |
DESCRIPCIÓN |
Valor |
Unidad |
T jmax |
Temperatura máxima de unión |
175 |
a C |
T el juego |
Temperatura de funcionamiento de las uniones |
-40 a +150 |
a C |
T El GST |
Rango de Temperatura de Almacenamiento |
-40 a +125 |
a C |
V ISO |
Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto |
3200 |
V |
T1-T4 El IGBT Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
V CE (sat)
|
Recolector al emisor Voltagem de saturación
|
Yo C=225A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25a C |
|
2.00 |
2.45 |
V
|
Yo C=225A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125a C |
|
2.70 |
|
Yo C=225A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150a C |
|
2.90 |
|
V GE (th) |
Umbral de emisor de puertas Tensión |
Yo C=9.00el número de ,V CE =V GE , T j =25a C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Yo El CES |
El colector Cortado -Off Actual |
V CE =V El CES ,V GE =0V, T j =25a C |
|
|
1.0 |
el número de |
Yo El GES |
Fugas de los emisores de puertas Actual |
V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25a C |
|
|
400 |
nA |
Barra El ginto |
Resistencia de la puerta interna |
|
|
1.7 |
|
ω |
Cies |
Capacidad de entrada |
V CE = 25V, f = 100 kHz, V GE el valor de la energía de la corriente |
|
38.1 |
|
nF (número de trabajo) |
Cres |
Transferencia inversa Capacidad |
|
0.66 |
|
nF (número de trabajo) |
PG |
Cargo por puerta |
V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica |
|
2.52 |
|
el valor de la concentración |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C=225A, Barra G=2Ω,V GE =-8/+15V, CS =36nH ,T j =25a C
|
|
154 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
45 |
|
el Consejo |
t no se puede |
Apagado Tiempo de retraso |
|
340 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
76 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio Pérdida |
|
13.4 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
8.08 |
|
mJ |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C=225A, Barra G=2Ω,V GE =-8/+15V, CS =36nH ,T j =125a C
|
|
160 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
49 |
|
el Consejo |
t no se puede |
Apagado Tiempo de retraso |
|
388 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
112 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio Pérdida |
|
17.6 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
11.2 |
|
mJ |
t g (activado ) |
Tiempo de retraso de encendido |
V CC = 600 V,I C=225A, Barra G=2Ω,V GE =-8/+15V, CS =36nH ,T j =150a C
|
|
163 |
|
el Consejo |
t barra |
Tiempo de ascenso |
|
51 |
|
el Consejo |
t no se puede |
Apagado Tiempo de retraso |
|
397 |
|
el Consejo |
t f |
Tiempo de caída |
|
114 |
|
el Consejo |
Eactivado |
Enciende Cambio Pérdida |
|
18.7 |
|
mJ |
Eoff |
Cambiar el encendido Pérdida |
|
12.0 |
|
mJ |
D1/D4 Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
V F
|
Diodo hacia adelante Tensión |
Yo F el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =25a C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
Yo F el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =125a C |
|
1.60 |
|
Yo F el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =150a C |
|
1.60 |
|
Pbarra |
Recuperado Cargar |
V Barra = 600 V,I F =225A,
-di/dt=5350A/μs,V GE el valor de la presión de escape CS =36nH ,T j =25a C
|
|
20.1 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
250 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
6.84 |
|
mJ |
Pbarra |
Recuperado Cargar |
V Barra = 600 V,I F =225A,
-di/dt=5080A/μs,V GE el valor de la presión de escape CS =36nH ,T j =125a C
|
|
32.5 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
277 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
11.5 |
|
mJ |
Pbarra |
Recuperado Cargar |
V Barra = 600 V,I F =225A,
-di/dt=4930A/μs,V GE el valor de la presión de escape CS =36nH ,T j =150a C
|
|
39.0 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
288 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
14.0 |
|
mJ |
D2/D3 Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
V F
|
Diodo hacia adelante Tensión |
Yo F =225A,V GE =0V,T j =25a C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
Yo F =225A,V GE =0V,T j =125a C |
|
1.60 |
|
Yo F =225A,V GE =0V,T j =150a C |
|
1.60 |
|
D5/D6 Diodo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
|
V F
|
Diodo hacia adelante Tensión |
Yo F el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =25a C |
|
1.60 |
2.05 |
V
|
Yo F el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =125a C |
|
1.60 |
|
Yo F el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =150a C |
|
1.60 |
|
Pbarra |
Recuperado Cargar |
V Barra = 600 V,I F =225A,
-di/dt=5050A/μs,V GE el valor de la presión de escape CS =30nH ,T j =25a C
|
|
18.6 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
189 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
5.62 |
|
mJ |
Pbarra |
Recuperado Cargar |
V Barra = 600 V,I F =225A,
-di/dt=4720A/μs,V GE el valor de la presión de escape CS =30nH ,T j =125a C
|
|
34.1 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
250 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
11.4 |
|
mJ |
Pbarra |
Recuperado Cargar |
V Barra = 600 V,I F =225A,
-di/dt=4720A/μs,V GE el valor de la presión de escape CS =30nH ,T j =150a C
|
|
38.9 |
|
el valor de la concentración |
Yo RM |
Pico invertido
Corriente de recuperación
|
|
265 |
|
R |
Ereconocimiento |
Recuperación inversa Energía |
|
13.2 |
|
mJ |
NTC Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Condiciones de ensayo |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
Barra 25 |
Resistencia nominal |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Desviación de Barra 100 |
T C=100a C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Disipación de potencia |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Valor B |
Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2-¿Qué es lo que se está haciendo? |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Valor B |
Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2-¿Qué es lo que se está haciendo? |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Valor B |
Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo? |
|
3433 |
|
K |
Módulo Características T C=25a C a menos que de otro modo anotado
El símbolo |
Parámetro |
Mín. |
Es el tipo. |
Máx. |
Unidad |
CCE |
Inductividad de alejamiento |
|
15 |
|
nH |
|
Barra el JC
|
Unión-a-Carcasa (por T1 -T4 IGBT) Unión-a-Carcasa (por D1/D4 D yodo) Unión-a-Carcasa (por D2/D3 D yodo) Unión-a-Carcasa (por D5/D6 D yodo) |
|
|
0.070 0.122 0.156 0.122 |
El número de unidades
|
|
Barra el CH
|
Carcasa-a-Dissipador (por T 1-T4 IGBT) Carcasa-a-Dissipador (por D1/D4 Diodo) Carcasa-a-Dissipador (por D2/D3 Diodo) Carcasa-a-Dissipador (por D5/D6 Diodo) |
|
0.043 0.053 0.069 0.053 |
|
El número de unidades
|
M |
Torque de montaje El motor de la unidad de carga |
3.0 |
|
5.0 |
Nuevo Méjico |
G |
Peso de Módulo |
|
250 |
|
g |
EN
