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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD275MJS120L6S, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT, 1200V 275A, Envase: L6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD275MJS120L6S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Breve introducción

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía . 1200V 275A. ¿ Qué?

Características

  • Bajo VCE(sat) Tecnología IGBT de zanja
  • VCE (sat) con positivo temperatura coeficiente
  • Temperatura máxima de la unión 175
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Aislado placa base de cobre usando Si3 N4 Tecnología AMB

Aplicaciones típicas

Energía Solar

3-niveles- aplicación

En absoluto Máximo Calificaciones El F =25o Do a menos que de otro modo anotado

T1-T4 IGBT

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

I CN

Colector C implementado el precio de la renta

275

A

I Do

Corriente Colectora @ T Do =100o Do

110

A

I Cm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

450

A

Diodo D1/D4

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

I FN

Corriente hacia adelante implementada ent

275

A

I F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

300

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

450

A

Diodo D2/D3

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

I FN

Corriente hacia adelante implementada ent

275

A

I F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

225

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

450

A

Diodo D5/D6

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

I FN

Corriente hacia adelante implementada ent

275

A

I F

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

300

A

I - ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

450

A

Módulo

El símbolo

Descripción

Valor

UNIDAD

El jmax

Temperatura máxima de unión

175

o Do

El el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o Do

El El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o Do

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

3200

V

T1-T4 El IGBT Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

I Do =225A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =25o Do

2.00

2.45

V

I Do =225A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =125o Do

2.70

I Do =225A,V El sector de la energía el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. El j =150o Do

2.90

V El sector de la energía (th )

Umbral de emisor de puertas Voltaje

I Do =9.00el número de ,V CE =V El sector de la energía , El j =25o Do

5.6

6.2

6.8

V

I El CES

El colector Corte -Off Corriente

V CE =V El CES ,V El sector de la energía =0V, El j =25o Do

1.0

el número de

I El GES

Fugas de los emisores de puertas Corriente

V El sector de la energía =V El GES ,V CE =0V, El j =25o Do

400

nA

R El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.7

ω

Do ies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f = 100 kHz, V El sector de la energía el valor de la energía de la corriente

38.1

nF (número de trabajo)

Do res

Transferencia inversa Capacidad

0.66

nF (número de trabajo)

¿Qué es? GRAMO

Cargo por puerta

V El sector de la energía el valor de la carga de la corriente eléctrica

2.52

el valor de la concentración

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =225A, R GRAMO =2Ω,V El sector de la energía =-8/+15V, L S =36nH ,El j =25o Do

154

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

45

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

340

el Consejo

el f

Tiempo de caída

76

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

13.4

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

8.08

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =225A, R GRAMO =2Ω,V El sector de la energía =-8/+15V, L S =36nH ,El j =125o Do

160

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

49

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

388

el Consejo

el f

Tiempo de caída

112

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

17.6

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

11.2

mJ

el d (on )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I Do =225A, R GRAMO =2Ω,V El sector de la energía =-8/+15V, L S =36nH ,El j =150o Do

163

el Consejo

el r

Tiempo de ascenso

51

el Consejo

el no se puede

Apagado Tiempo de retraso

397

el Consejo

el f

Tiempo de caída

114

el Consejo

Mi on

Enciende Conmutación Pérdida

18.7

mJ

Mi off

Cambiar el encendido Pérdida

12.0

mJ

D1/D4 Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =25o Do

1.60

2.05

V

I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =125o Do

1.60

I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =150o Do

1.60

¿Qué es? r

Recuperado Cargar

V R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =36nH ,El j =25o Do

20.1

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

250

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

6.84

mJ

¿Qué es? r

Recuperado Cargar

V R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =36nH ,El j =125o Do

32.5

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

277

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

11.5

mJ

¿Qué es? r

Recuperado Cargar

V R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =36nH ,El j =150o Do

39.0

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

288

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

14.0

mJ

D2/D3 Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

I F =225A,V El sector de la energía =0V,T j =25o Do

1.60

2.05

V

I F =225A,V El sector de la energía =0V,T j =125o Do

1.60

I F =225A,V El sector de la energía =0V,T j =150o Do

1.60

D5/D6 Diodo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante Voltaje

I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =25o Do

1.60

2.05

V

I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =125o Do

1.60

I F el valor de las emisiones de CO2 El sector de la energía =0V,T j =150o Do

1.60

¿Qué es? r

Recuperado Cargar

V R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =30nH ,El j =25o Do

18.6

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

189

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

5.62

mJ

¿Qué es? r

Recuperado Cargar

V R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =30nH ,El j =125o Do

34.1

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

250

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

11.4

mJ

¿Qué es? r

Recuperado Cargar

V R = 600 V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V El sector de la energía el valor de la presión de escape L S =30nH ,El j =150o Do

38.9

el valor de la concentración

I RM

Pico invertido

Corriente de recuperación

265

A

Mi reconocimiento

Recuperación inversa Energía

13.2

mJ

NTC Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

R 25

Resistencia nominal

5.0

∆R/R

Desviación de R 100

El Do =100o Do ,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Disipación de potencia

20.0

mW

B 25/50

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

Módulo Características El Do =25o Do a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

L CE

Inductividad de alejamiento

15

nH

R el JC

Unión-a-Carcasa (por T1 -T4 IGBT) Unión-a-Carcasa (por D1/D4 D yodo) Unión-a-Carcasa (por D2/D3 D yodo) Unión-a-Carcasa (por D5/D6 D yodo)

0.070 0.122 0.156 0.122

El número de unidades

R el CH

Carcasa-a-Dissipador (por T 1-T4 IGBT) Carcasa-a-Dissipador (por D1/D4 Diodo) Carcasa-a-Dissipador (por D2/D3 Diodo) Carcasa-a-Dissipador (por D5/D6 Diodo)

0.043 0.053 0.069 0.053

El número de unidades

METRO

Torque de montaje El motor de la unidad de carga

3.0

5.0

Nuevo Méjico

GRAMO

Peso de Módulo

250

gRAMO

Esquema

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