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Módulo IGBT 1200V

Módulo IGBT 1200V

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GD275MJS120L6S, Módulo IGBT, STARPOWER

Módulo IGBT, 1200V 275A, Envase: L6

Brand:
El sistema de energía
Spu:
GD275MJS120L6S
  • Introducción
  • Esquema
  • Esquema del circuito equivalente
Introducción

Introducción breve

Modulo IGBT ,producido por El sistema de energía .1200V 275A. ¿ Qué?

Características

  • Bajo VCE(sat) Tecnología IGBT de zanja
  • VCE (sat) con positivo temperatura coeficiente
  • Temperatura máxima de la unión 175 ℃
  • Recuperación inversa rápida y suave FWD antiparallel
  • Aislado placa base de cobre usando Si3 N4 Tecnología AMB

Aplicaciones típicas

Energía Solar

3-niveles- aplicación

En absoluto Máximo Calificaciones T F =25o C a menos que de otro modo anotado

T1-T4 IGBT

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

V El CES

Voltagem del colector-emittente

1200

V

V El GES

Voltagem del emisor de la puerta

±20

V

ICN

Colector C implementado el precio de la renta

275

A

IC

Corriente Colectora @ T C=100o C

110

A

ICm

Corriente Colectora Pulsada t p =1 ms

450

A

Diodo D1/D4

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

IFN

Corriente hacia adelante implementada ent

275

A

IF

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

300

A

I- ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

450

A

Diodo D2/D3

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

IFN

Corriente hacia adelante implementada ent

275

A

IF

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

225

A

I- ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

450

A

Diodo D5/D6

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

V RRM

Volt inverso de pico repetitivo edad

1200

V

IFN

Corriente hacia adelante implementada ent

275

A

IF

Diodo continuo hacia adelante Cu renta

300

A

I- ¿ Qué?

Corriente Directa Máxima del Diodo t p =1 ms

450

A

MÓDULO

El símbolo

DESCRIPCIÓN

Valor

UNIDAD

T jmax

Temperatura máxima de unión

175

o C

T el juego

Temperatura de funcionamiento de las uniones

-40 a +150

o C

T El GST

Rango de Temperatura de Almacenamiento

-40 a +125

o C

V ISO

Voltaje de aislamiento RMS, f=50Hz, t = 1 minuto

3200

V

T1-T4 El IGBT Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V CE (sat)

Recolector al emisor Voltagem de saturación

IC=225A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =125o C

2.70

IC=225A,V GE el valor de la presión de escape es el valor de la presión de escape. T j =150o C

2.90

V GE (th)

Umbral de emisor de puertas Tensión

IC=9.00el número de ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

IEl CES

El colector Cortado -Off Actual

V CE =V El CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

el número de

IEl GES

Fugas de los emisores de puertas Actual

V GE =V El GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Barra El ginto

Resistencia de la puerta interna

1.7

ω

Cies

Capacidad de entrada

V CE = 25V, f = 100 kHz, V GE el valor de la energía de la corriente

38.1

nF (número de trabajo)

Cres

Transferencia inversa Capacidad

0.66

nF (número de trabajo)

QG

Cargo por puerta

V GE el valor de la carga de la corriente eléctrica

2.52

el valor de la concentración

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=225A, Barra G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =25o C

154

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

45

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

340

el Consejo

t f

Tiempo de caída

76

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

13.4

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

8.08

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=225A, Barra G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =125o C

160

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

49

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

388

el Consejo

t f

Tiempo de caída

112

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

17.6

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

11.2

mJ

t d (activado )

Tiempo de retraso de encendido

V CC = 600 V,I C=225A, Barra G=2Ω,V GE =-8/+15V, LS =36nH ,T j =150o C

163

el Consejo

t barra

Tiempo de ascenso

51

el Consejo

t no se puede

Apagado Tiempo de retraso

397

el Consejo

t f

Tiempo de caída

114

el Consejo

Eactivado

Enciende Cambio Pérdida

18.7

mJ

Eoff

Cambiar el encendido Pérdida

12.0

mJ

D1/D4 Diodo Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante Tensión

IF el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =125o C

1.60

IF el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =150o C

1.60

Qbarra

Recuperado Cargar

V Barra = 600 V,I F =225A,

-di/dt=5350A/μs,V GE el valor de la presión de escape LS =36nH ,T j =25o C

20.1

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

250

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

6.84

mJ

Qbarra

Recuperado Cargar

V Barra = 600 V,I F =225A,

-di/dt=5080A/μs,V GE el valor de la presión de escape LS =36nH ,T j =125o C

32.5

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

277

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

11.5

mJ

Qbarra

Recuperado Cargar

V Barra = 600 V,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V GE el valor de la presión de escape LS =36nH ,T j =150o C

39.0

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

288

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

14.0

mJ

D2/D3 Diodo Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante Tensión

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.60

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

D5/D6 Diodo Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

V F

Diodo hacia adelante Tensión

IF el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =25o C

1.60

2.05

V

IF el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =125o C

1.60

IF el valor de las emisiones de CO2 GE =0V,T j =150o C

1.60

Qbarra

Recuperado Cargar

V Barra = 600 V,I F =225A,

-di/dt=5050A/μs,V GE el valor de la presión de escape LS =30nH ,T j =25o C

18.6

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

189

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

5.62

mJ

Qbarra

Recuperado Cargar

V Barra = 600 V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE el valor de la presión de escape LS =30nH ,T j =125o C

34.1

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

250

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

11.4

mJ

Qbarra

Recuperado Cargar

V Barra = 600 V,I F =225A,

-di/dt=4720A/μs,V GE el valor de la presión de escape LS =30nH ,T j =150o C

38.9

el valor de la concentración

IRM

Pico invertido

Corriente de recuperación

265

A

Ereconocimiento

Recuperación inversa Energía

13.2

mJ

NTC Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Condiciones de ensayo

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

Barra 25

Resistencia nominal

5.0

kΩ

∆R/R

Desviación de Barra 100

T C=100o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Disipación de potencia

20.0

mW

B 25/50

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/501/T 2-¿Qué es lo que se está haciendo?

3375

K

B 25/80

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/801/T 2-¿Qué es lo que se está haciendo?

3411

K

B 25/100

Valor B

Barra 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- ¿Qué es lo que se está haciendo?

3433

K

MÓDULO Características T C=25o C a menos que de otro modo anotado

El símbolo

Parámetro

Mín.

Es el tipo.

Máx.

UNIDAD

LCE

Inductividad de alejamiento

15

nH

Barra el JC

Unión-a-Carcasa (por T1 -T4 IGBT) Unión-a-Carcasa (por D1/D4 D yodo) Unión-a-Carcasa (por D2/D3 D yodo) Unión-a-Carcasa (por D5/D6 D yodo)

0.070 0.122 0.156 0.122

El número de unidades

Barra el CH

Carcasa-a-Dissipador (por T 1-T4 IGBT) Carcasa-a-Dissipador (por D1/D4 Diodo) Carcasa-a-Dissipador (por D2/D3 Diodo) Carcasa-a-Dissipador (por D5/D6 Diodo)

0.043 0.053 0.069 0.053

El número de unidades

M

Torque de montaje El motor de la unidad de carga

3.0

5.0

Nuevo Méjico

G

Peso de MÓDULO

250

g

Esquema

Esquema del circuito equivalente

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