T65ZPR,Gerechtigungsdiode

I _T(AV)

4380Ein

V _RRM

5200V 5600V

6000V 6500V

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180。halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt,

TC= 100 ℃

150

1510

Ein

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

150

5600

6500

V

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

Bei VRRM

150

150

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle VR=0.6VRRM

150

26

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

3380

Ein ²s* 10 ³

VFO

Schwellenspannung

150

0.92

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

0.39

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

IFM=3000A, F=34kN

25

1.85

V

Qrr

Einziehungsgebühr

IFM= 1000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

150

5000

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180 ° sinus, doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 34kN

0.014

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.0035

FM

Montagekraft

27

34

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

150

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

160

℃

Wt

Gewicht

820/ 1100

g

Gliederung

ZT60cT / ZT60dT