GD200HFX120C2SA_B36, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

W C

Kollektorstrom @ T C =25o C

@ T C =100o C

340

200

Ein

W CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

400

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

1190

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

W F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

200

Ein

W FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

Ein

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

W C =200A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

W C =200A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

W C =200A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

W C =8.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

W CES

Sammler Geschnitten -Aus

Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

W GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

3.75

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.58

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

1.55

μC

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

150

nS

t r

Aufstiegszeit

32

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

330

nS

t f

Herbstzeit

93

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

9.7

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.3

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125o C

161

nS

t r

Aufstiegszeit

37

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

412

nS

t f

Herbstzeit

165

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

20.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

17.0

mJ

t d (bei )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150o C

161

nS

t r

Aufstiegszeit

43

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

433

nS

t f

Herbstzeit

185

nS

E bei

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

22.4

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

19.1

mJ

W SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

800

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

W F =200A,V GE =0V,T j =25o C

2.40

2.90

V

W F =200A,V GE =0V,T j =125o C

1.95

W F =200A,V GE =0V,T j =150o C

1.80

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

20.3

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

160

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.0

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

38.4

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

201

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

14.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4950A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

44.2

μC

W RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

212

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.6

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.126

0.211

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g