GD400HTX120P6HFL,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

400

A

I C

Kollektorstrom @ T K =100 o C

250

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T K = 75 o C T j =175 o C

862

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE

1200

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

400

A

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

250

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

I 2t

I 2t-Wert,t p =10ms @ T j =125 o C @ T j =150 o C

17860

15664

A 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

3000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =250A,V GE =15V, T j =25 o C

1.45

1.80

V

I C =250A,V GE =15V, T j =125 o C

1.65

I C =250A,V GE =15V, T j =150 o C

1.70

I C =380A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

I C =380A,V GE =15V, T j =150 o C

2.15

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =9.75 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

2.4

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

33.6

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.43

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.82

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =600V,I C =250A, V GE =-8...+15V

1.98

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =25 o C

231

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

545

nS

t k

Herbstzeit

172

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

23.2

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =125 o C

241

nS

t r

Aufstiegszeit

57

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

619

nS

t k

Herbstzeit

247

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.7

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =150 o C

245

nS

t r

Aufstiegszeit

57

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

641

nS

t k

Herbstzeit

269

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

30.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

30.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =250A,V GE =0V,T j =25 o C

1.50

1.90

V

I K =250A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.45

I K =250A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.40

I K =380A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

I K =380A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.60

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 250 A,

-di/dt=4860A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =25 o C

9.10

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

160

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.39

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 250 A,

-di/dt=4300A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =125 o C

21.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

192

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.43

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 250 A,

-di/dt=4120A/μs,V GE = 8V L S =24 nH ,T j =150 o C

25.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

203

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.97

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T K = 75 o C

64

mbar

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.5

stange

R die

Junction -bis zu -Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel

0.098 0.128

0.116 0.150

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht von Modul

750

g