GD400HTX120P6HFL,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

ICN

Implementierter Sammler Cu rrent

400

A

IC

Kollektorstrom @ T F =100o C

250

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

PD

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =75o C T j =175o C

862

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE

1200

V

IFN

Implementierter Sammler Cu rrent

400

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

250

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

I2t

I2t-Wert,t p =10ms @ T j =125o C @ T j =150o C

17860

15664

A2s

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

3000

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=250A,V GE =15V, T j =25o C

1.45

1.80

V

IC=250A,V GE =15V, T j =125o C

1.65

IC=250A,V GE =15V, T j =150o C

1.70

IC=380A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

IC=380A,V GE =15V, T j =150o C

2.15

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=9.75mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

2.4

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

33.6

nF

C- Die

Ausgangskapazität

1.43

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.82

nF

QG

Gate-Ladung

V CE =600V,I C =250A, V GE =-8...+15V

1.98

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 250 A, R G= 2,2Ω, LS =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

231

nS

t r

Aufstiegszeit

50

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

545

nS

t f

Herbstzeit

172

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.6

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

23.2

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 250 A, R G= 2,2Ω, LS =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =125o C

241

nS

t r

Aufstiegszeit

57

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

619

nS

t f

Herbstzeit

247

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.6

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.7

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 250 A, R G= 2,2Ω, LS =24nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =150o C

245

nS

t r

Aufstiegszeit

57

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

641

nS

t f

Herbstzeit

269

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

30.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

30.9

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤6μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =250A,V GE =0V,T j =25o C

1.50

1.90

V

IF =250A,V GE =0V,T j =125o C

1.45

IF =250A,V GE =0V,T j =150o C

1.40

IF =380A,V GE =0V,T j =25o C

1.65

IF =380A,V GE =0V,T j =150o C

1.60

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 250 A,

-di/dt=4860A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =25o C

9.10

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

160

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.39

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 250 A,

-di/dt=4300A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =125o C

21.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

192

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.43

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 250 A,

-di/dt=4120A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =150o C

25.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

203

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.97

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10,0 dm 3/mINUTE ,T F =75o C

64

mbar

p

Maximaler Kühldruck schönheit

2.5

stab

R die

Junction – bis – Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel

0.098 0.128

0.116 0.150

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht aus Modul

750

g