IGBT-Modul, YMIF1200-33, Einzelschalter-IGBT, CRRC

Parameter

Symbol

Bedingungen

M in

M achse

Einheit

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

VCES

VGE=0V,Tvj≥25°C

3300

V

DC kollektorstrom

IC

TC = 80 °C

1200

A

Spitzenstrom des Kollektors

ICM

tp =1ms,Tc=80°C

2400

A

Gate-Emitter-Spannung

VGE

-20

20

V

Gesamtleistungsverlust

Ptot

TC =25°C, pro Schalter (IGBT)

10500

W

DC Vorwärtsstrom

IF

1200

A

Spitzen-Vorwärtsstrom

IFRM

tp = 1 ms

2400

A

Stromstoß

IFSM

VR = 0 V, Tvj = 125 °C,

tp = 10 ms, halbe Signalwelle

9000

A

IGBT Kurzschluss SOA

tpsc

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

10

μs

Isolationsspannung

Schnüren

1 min, f = 50 Hz

10200

V

Junction-Temperatur

Fernsehen

150

°C

Junction-Betriebstemperatur

Tvj(op)

-50

125

°C

Gehäusetemperatur

TC

-50

125

°C

Lagertemperatur

Tstg

-50

125

°C

Montagedrehmomente

M s

Basis-Kühlkörper, M6-Schrauben

4

6

Nm

Mt1

Hauptanschlüsse, M8-Schrauben ,

8

10

Mt2

Hilfsanschlüsse, M6-Schrauben

2

3

Parameter

Symbol

Bedingungen

min

typ

max

Einheit

Kollektor (-Emitter) Durchbruchspannung

V(BR)CES

VGE = 0 V, IC= 12 mA, Tvj = 25 °C

3300

V

Sättigungsspannung des Kollektoremitters

VCE sat

Die Leistung der Prüfungen ist in der Regel von der Leistung der Prüfungen abhängig.

Tvj=25°C

3.1

3.4

V

Tvj=125°C

3.8

4.3

V

Kollektorabschaltstrom

ICES

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

12

mA

Tvj=125°C

120

mA

Durchlässigkeit des Tores

IGES

Die Prüfungen werden in der Regel in einem anderen Mitgliedstaat durchgeführt.

-500

500

nA

Gate-Emitter Schwellenwertspannung

VGE(th)

IC =240mA,VCE =VGE,Tvj =25°C

5.5

7.5

V

Gate-Ladung

QG

Die Leistung der Anlage ist in der Regel von der Leistung der Anlage abhängig.

12.1

μC

Eingangskapazität

Cies

Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten für die in Absatz 1 genannten Verfahren.

187

nF

Ausgangskapazität

Coes

11.57

nF

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

Cres

2.22

nF

Verzögerungszeit der Einleitung

die Daten sind nicht verfügbar.

VCC = 1800 V, IC = 1200 A,

RG = 3,9Ω, VGE = ± 15V

L σ = 280nH, induktive Last

Tvj=25°C

750

nS

Tvj=125°C

750

nS

Aufstiegszeit

tr

Tvj=25°C

400

nS

Tvj=125°C

470

nS

Verzögerungszeit für die Abschaltung

td (ausgeschaltet)

Tvj=25°C

1600

nS

Tvj=125°C

1800

nS

Herbstzeit

tF

Tvj=25°C

1100

nS

Tvj=125°C

1200

nS

Schaltverlust bei Schaltbetrieb

EON

Tvj=25°C

1400

mJ

Tvj=125°C

1800

mJ

Energieverlust beim Ausschalten

EOFF

Tvj=25°C

1300

mJ

Tvj=125°C

1700

mJ

Kurzschlussstrom

ISC

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die Berechnung der Leistungsspiegel.

5000

A

Parameter

Symbol

Bedingungen

min

typ

max

Einheit

Durchlassspannung

VF

IF = 1200 A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

V

Rückwärts-Rückgewinnungsstrom

Einfach

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG=2.3Ω ,VGE=±15V, L σ = 280nH, induktive Last

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

A

Wiederhergestellte Ladung

Qrr

Tvj = 25 °C

700

μC

Tvj = 125 °C

1000

μC

Rückwärts-Rückgewinnungszeit

trr

Tvj = 25 °C

850

nS

Tvj = 125 °C

2200

nS

Rückwärtsrekuperationsenergie

Erek

Tvj = 25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300

mJ