1200V 720A Verpackung:P6
Kurze Vorstellung
IGBT-Modul ,von Stärken .1200V 720A.
Merkmale
Typische Anwendungen
Absolut Maximal Kennwerte T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
IGBT
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Werte |
Einheit |
V CES |
Spannung zwischen Kollektor und Emitter |
1200 |
V |
V GES |
Spannung des Tor-Emitters |
±20 |
V |
ICN |
Implementierter Sammler Cu rrent |
720 |
A |
IC |
Kollektorstrom @ T F =65o C |
600 |
A |
ICm |
Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms |
1440 |
A |
PD |
Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =75o C T vj =175o C |
1204 |
W |
Diode
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Werte |
Einheit |
V RRM |
Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE |
1200 |
V |
IFN |
Implementierter Sammler Cu rrent |
720 |
A |
IF |
Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent |
600 |
A |
IFM |
Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms |
1440 |
A |
Modul
Symbol |
BESCHREIBUNG |
Wert |
Einheit |
T vjmax |
Maximale Junction-Temperatur |
175 |
o C |
|
T vjop |
Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich |
-40 bis +150 +150 bis +175 |
o C |
T Stg |
Lagerungstemperaturbereich |
-40 bis +125 |
o C |
V ISO |
Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE |
3000 |
V |
IGBT Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V CE(sat) |
Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung |
IC= 600 A, V GE =15V, T vj =25o C |
|
1.50 |
|
V |
IC= 600 A, V GE =15V, T vj =150o C |
|
1.80 |
|
|||
IC= 600 A, V GE =15V, T vj =175o C |
|
1.85 |
|
|||
IC=720A,V GE =15V, T vj =25o C |
|
1.60 |
|
|||
IC=720A,V GE =15V, T vj =175o C |
|
2.05 |
|
|||
V GE (th) |
Gate-Emitter-Schwelle Spannung |
IC=15.6mA ,V CE =V GE , T vj =25o C |
|
6.0 |
|
V |
ICES |
Sammler Geschnitten – Aus Aktuell |
V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
IGES |
Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell |
V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interner Gate-Widerstand |
|
|
1.67 |
|
ω |
Cies |
Eingangskapazität |
V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V |
|
48.7 |
|
nF |
C- Die |
Ausgangskapazität |
|
1.55 |
|
nF |
|
Cres |
Rückübertragungs- Kapazität |
|
0.26 |
|
nF |
|
F G |
Gate-Ladung |
V CE =800V,I C =600A, V GE =-8...+15V |
|
3.52 |
|
μC |
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =800V,I C= 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, LS =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj =25o C |
|
208 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
65 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
505 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
104 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
77.7 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
62.2 |
|
mJ |
|
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =800V,I C= 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, LS =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj =150o C |
|
225 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
75 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
567 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
191 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
110 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
83.4 |
|
mJ |
|
t d (ein ) |
Verzögerungszeit der Einleitung |
V CC =800V,I C= 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, LS =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj =175o C |
|
226 |
|
nS |
t r |
Aufstiegszeit |
|
77 |
|
nS |
|
t d ((aus) |
Ausschalten Verzögerungszeit |
|
583 |
|
nS |
|
t f |
Herbstzeit |
|
203 |
|
nS |
|
Eein |
Einschalten Schaltvorgang Verlust |
|
118 |
|
mJ |
|
Eaus |
Ausschaltsteuerung Verlust |
|
85.9 |
|
mJ |
|
ISC |
SC-Daten |
t P≤4μs, V GE =15V, T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V |
|
2600 |
|
A |
Diode Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
|
V F |
Diodenvorwärts Spannung |
IF = 600 A, V GE =0V,T vj =25o C |
|
1.95 |
|
V |
IF = 600 A, V GE =0V,T vj =150o C |
|
1.95 |
|
|||
IF = 600 A, V GE =0V,T vj =175o C |
|
1.90 |
|
|||
IF =720A,V GE =0V,T vj =25o C |
|
2.05 |
|
|||
IF =720A,V GE =0V,T vj =175o C |
|
2.05 |
|
|||
F r |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =800V,I F = 600A, -di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25o C |
|
44.3 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
346 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
16.2 |
|
mJ |
|
F r |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =150o C |
|
73.4 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
385 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
27.8 |
|
mJ |
|
F r |
Wiederhergestellte Ladung |
V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =175o C |
|
80.7 |
|
μC |
IRM |
Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom |
|
392 |
|
A |
|
Eerklärungen |
Rückwärtswiederherstellung Energie |
|
30.7 |
|
mJ |
NTC Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Prüfbedingungen |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
R 25 |
Nennwiderstand |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Abweichung aus R 100 |
T C=100 o C,R 100=493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Leistung Abgabe |
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B-Wert |
R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Eigenschaften T F =25o C es sei denn sonstige angegeben
Symbol |
Parameter |
Min. |
- Das ist typisch. |
Max. |
Einheit |
LCE |
Streuinduktivität |
|
8 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip |
|
0.75 |
|
mΩ |
|
p |
Maximaler Kühldruck schönheit T ausfallplatte <40o C T ausfallplatte 40o C (relativer Druck) |
|
|
2.5 2.0 |
stab |
|
R die |
Junction – nach – Kühlung Wasser (proIGBT )Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) △V/ △t=10,0 dm 3/mINUTE ,T F =75o C |
|
0.072 0.104 |
0.083 0.120 |
K/W |
M |
Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4 |
3.6 1.8 |
|
4.4 2.2 |
N.M |
G |
Gewicht aus Modul |
|
750 |
|
g |
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