GD720HTA120P6HLT, IGBT-Modul, STARPOWER

Einführung

Kurze Einführung

IGBT-Modul ,von Stärken . 1200V 720A.

Funktionen

Niedriges VCE(sat) Trench IGBT-Technologie
Niedrige Schaltverluste
4μs Kurzschlussfähigkeit
VCE(sat) mit positivem Temperaturkoeffizienten
Höchsttemperatur der Verbindung 175oC
Niedrige Induktivitätsgehäuse
Schnelle & sanfte Rückwärtsrekuperation antiparallele FWD
Isolierte Kupfer-Pinfin-Bodenplatte mit Si3N4AMB-Technologie

Typische Anwendungen

Automobilanwendung
Hybrid- und Elektrofahrzeuge
Wechselrichter für Motorantrieb

Absolut Maximum Kennwerte T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

IGBT

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V CES	Spannung zwischen Kollektor und Emitter	1200	V
V GES	Spannung des Tor-Emitters	±20	V
I CN	Implementierter Sammler Cu rrent	720	Ein
I C	Kollektorstrom @ T F =65 o C	600	Ein
I CM	Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms	1440	Ein
P D	Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F = 75 o C T vj =175 o C	1204	W

Diode

Symbol	Beschreibung	Werte	Einheit
V RRM	Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE	1200	V
I FN	Implementierter Sammler Cu rrent	720	Ein
I F	Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent	600	Ein
I FM	Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms	1440	Ein

Modul

Symbol	Beschreibung	Wert	Einheit
T vjmax	Maximale Junction-Temperatur	175	o C
T vjop	Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich	-40 bis +150 +150 bis +175	o C
T Stg	Lagerungstemperaturbereich	-40 bis +125	o C
V ISO	Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min	3000	V

IGBT Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V CE(sat)	Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung	I C = 600 A, V GE =15V, T vj =25 o C		1.50		V
		I C = 600 A, V GE =15V, T vj =150 o C		1.80
		I C = 600 A, V GE =15V, T vj =175 o C		1.85
		I C =720A,V GE =15V, T vj =25 o C		1.60
		I C =720A,V GE =15V, T vj =175 o C		2.05
V GE (th )	Gate-Emitter-Schwelle Spannung	I C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C		6.0		V
I CES	Sammler Schnitt -Aus Aktuell	V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C			1.0	mA
I GES	Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell	V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C			400	nA
R Gint	Interner Gate-Widerstand			1.67		ω
C ies	Eingangskapazität	V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V		48.7		nF
C - Die	Ausgangskapazität			1.55		nF
C res	Rückübertragungs- Kapazität			0.26		nF
Q G	Gate-Ladung	V CE =800V,I C =600A, V GE =-8...+15V		3.52		μC
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj =25 o C		208		nS
t r	Aufstiegszeit			65		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			505		nS
t f	Herbstzeit			104		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			77.7		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			62.2		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj =150 o C		225		nS
t r	Aufstiegszeit			75		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			567		nS
t f	Herbstzeit			191		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			110		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			83.4		mJ
t d (auf )	Verzögerungszeit der Einleitung	V CC =800V,I C = 600A, R Gon =3.0Ω, R Goff =1,0Ω, L S =24nH, V GE =-8V/+15V, T vj =175 o C		226		nS
t r	Aufstiegszeit			77		nS
t d ((aus)	Ausschalten Verzögerungszeit			583		nS
t f	Herbstzeit			203		nS
E auf	Einschalten Schaltvorgang Verlust			118		mJ
E aus	Ausschaltsteuerung Verlust			85.9		mJ
I SC	SC-Daten	t P ≤4μs, V GE =15V, T vj =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V		2600		Ein

Diode Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
V F	Diodenvorwärts Spannung	I F = 600 A, V GE =0V,T vj =2 5o C		1.95		V
		I F = 600 A, V GE =0V,T vj =150 o C		1.95
		I F = 600 A, V GE =0V,T vj =175 o C		1.90
		I F =720A,V GE =0V,T vj =2 5o C		2.05
		I F =720A,V GE =0V,T vj =175 o C		2.05
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=8281A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =25 o C		44.3		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			346		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			16.2		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6954A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =150 o C		73.4		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			385		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			27.8		mJ
Q r	Wiederhergestellte Ladung	V R =800V,I F = 600A, -di/dt=6679A/μs, L S =24n H, V GE =-8V, T vj =175 o C		80.7		μC
I RM	Spitzenrückwärts Rückgewinnungsstrom			392		Ein
E erklärungen	Rückwärtswiederherstellung Energie			30.7		mJ

NTC Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Prüfbedingungen	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
R 25	Nennwiderstand			5.0		kΩ
∆R/R	Abweichung von R 100	T C =100 o C ,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Leistung Abgabe				20.0	mW
B 25/50	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-Wert	R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Modul Eigenschaften T F =25 o C es sei denn sonstige angegeben

Symbol	Parameter	Min.	- Das ist typisch.	Max.	Einheit
L CE	Streuinduktivität		8		nH
R CC’+EE’	Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip		0.75		mΩ
p	Maximaler Kühldruck schönheit T ausfallplatte < 40 o C T ausfallplatte > 40 o C (relativer Druck)			2.5 2.0	stange
R die	Junction -um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Verbindungsflüssigkeit zur Kühlung (pro Di) ode) △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T F = 75 o C		0.072 0.104	0.083 0.120	K/W
M	Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.M
G	Gewicht von Modul		750		g