IGBT-Modul, YMIF1500-33 | I1-03, Einzelschalter-IGBT, 48 mm, CRRC

参数

符号

条件

der letzte Wert

eigenschaften

maksimalwert

单 位

极-发射极短路时的 (极- Ausstrahlung extrem kurzer Weg) 集电极- Ausstrahlungstromdruck

V (BR )CES

V GE =0V, IC=10mA ,T vj = 25°C

3300

V

kollektor-Emitter sättigungsspannung

V CEsat

IC=1500A,V GE =15V

T vj = 25°C

24

2.9

V

T vj = 125°C

2.95

3.4

V

T vj =150°C

3.1

3.6

集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)

ICES

V CE =3300V,V GE =0V

T vj = 25°C

1

mA

T vj = 125°C

90

mA

T vj =150°C

150

极漏电流 (极) 极leckstrom

IGES

V CE =0V, V GE =±20V, T vj = 125°C

1

uA

极-Emissionswert

V GE (th)

IC=240mA ,V CE =V GE ,T vj = 25°C

5.5

7

V

极电荷

F G

IC=1500A,V CE =1800V, V GE =-15V..15V

25

μC

Input-Kapazität

Cies

V CE =25V,V GE =0V,f=1MHz, T vj = 25°C

260

nF

gegenseitige Übertragungskapazität

Cres

6

开通 延迟

t (Das ist ein

V CC =1800V,I C=1500A,

V GE =±15V,Cge=330nF,

R G（ein ）=1.0ω ,R G（aus ）=1.5ω ,

Lσ =150nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

T vj = 25°C

750

nS

T vj = 125°C

730

T vj =150°C

730

aufstieg

t r

T vj = 25°C

340

T vj = 125°C

360

T vj =150°C

360

关断延迟

t d ((aus)

V CC =1800V,I C=1500A,

V GE =±15V,Cge=330nF,

R G（ein ）=1.0ω ,R G（aus ）=1.5ω ,

Lσ =150nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

T vj = 25°C

2100

nS

T vj = 125°C

2250

T vj =150°C

2290

- Ich bin nicht sicher.

t f

T vj = 25°C

540

T vj = 125°C

570

T vj =150°C

580

开通能量 (Wir haben eine Energie)

Eein

V CC =1800V,I C=1500A,

V GE =±15V,Cge=330nF,

R G（ein ）=1.0ω ,R G（aus ）=1.5ω ,

Lσ =150nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

T vj = 25°C

1450

mJ

T vj = 125°C

1900

T vj =150°C

2100

关断能量 (Schließenergie)

Eaus

V CC =1800V,I C=1500A,

V GE =±15V,Cge=330nF,

R G（ein ）=1.0ω ,R G（aus ）=1.5ω ,

Lσ =150nH,

感性负载 (gefühlsmäßige Belastung)

T vj = 25°C

2400

mJ

T vj = 125°C

2950

T vj =150°C

3200

参数

符号

条件

der letzte Wert

eigenschaften

maksimalwert

einheit

durchlassdurchschnittliche Spannung der Diode

V F

IF =1500A

T vj = 25°C

2.15

2.6

V

T vj = 125°C

2.25

2.7

T vj =150°C

2.25

2.7

rückwärts-Wiederherstellungsstrom

IrR

V CC =1800V,

IC=1500A,

d iF /dt=4800A/

uSA

T vj = 25°C

1250

A

T vj = 125°C

1420

A

T vj =150°C

1150

rückwärtswiederherstellungsladung

F rR

T vj = 25°C

880

μC

T vj = 125°C

1800

μC

T vj =150°C

1980

rückwärts-Wiederherstellungsenergie

Eerklärungen

T vj = 25°C

1550

mJ

T vj = 125°C

2450

T vj =150°C

2720