Kurze Einführung 
 Schweißthyristormodul   ,M TC26 ,26A, Luftkühlung   ,von TECHSEM produziert. 
 
VDRM, VRRM   | 
Typ & Umriss     | 
| 
 600V  
800V  
1000V  
1200V  
1400V    
1600V    
1800V    
 | 
MTC26-06-224H3/224H3B MTC26-08-224H3/224H3B MTC26-10-224H3/224H3B MTC26-12-224H3/224H3B MTC26-14-224H3/224H3B MTC26-16-224H3/224H3B MTC26-18-224H3/224H3B   | 
 
Merkmale :
- Isolierte Montagesockel 3000V~   
 
- 
Lötverbindungstechnologie mit  erhöhter Leistungszyklusfähigkeit   
 
- Platz- und Gewichtseinsparung   
 
 
Typische Anwendungen :
- AC/DC-Motorantriebe 
 
- Verschiedene Gleichrichter   
 
- DC-Versorgung für PWM-Wechselrichter   
 
 
| 
   
Symbol  
 | 
   
Eigenschaften  
 | 
   
Prüfbedingungen  
 | 
Tj(   ℃ )  | 
Wert     | 
   
Einheit  
 | 
Min     | 
TYP   | 
Max     | 
IT(AV)   | 
Mittlerer Einschaltstrom   | 
 180° halbe Sinuswelle 50Hz    
Einseitig gekühlt, Tc =85   ℃  
 | 
125  | 
   | 
   | 
26  | 
A   | 
IT(RMS)   | 
RMS Durchlassstrom     | 
125  | 
   | 
   | 
41  | 
A   | 
Ich bin hier   | 
Wiederholender Spitzenstrom     | 
bei VDRM bei VRRM   | 
125  | 
   | 
   | 
15  | 
mA     | 
ITSM   | 
Überschuss-Einschaltstrom   | 
10ms Halbsinuswelle VR=60%VRRM     | 
   
125 
 | 
   | 
   | 
1.6  | 
kA     | 
1 t   | 
I2t für Fusionskoordination     | 
   | 
   | 
12.8  | 
103A 2s   | 
VTO     | 
Schwellenspannung   | 
   | 
   
125 
 | 
   | 
   | 
0.75  | 
V   | 
rT   | 
Einschaltsteigungswiderstand   | 
   | 
   | 
7.68  | 
mΩ   | 
VTM     | 
Spitzeneinschaltspannung   | 
ITM=80A     | 
25  | 
   | 
   | 
1.55  | 
V   | 
dv/dt   | 
Kritische Steigrate der Ausschaltspannung     | 
VDM=67%VDRM     | 
125  | 
   | 
   | 
1000  | 
V/μs     | 
di/dt   | 
Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms     | 
 Gate-Source 1.5A    
tr ≤0.5μs Wiederholend    
 | 
125  | 
   | 
   | 
200  | 
A/μs     | 
IGT   | 
Gate-Auslöseström   | 
   
  
VA= 12V, IA= 1A    
 | 
   
  
25 
 | 
30  | 
   | 
200  | 
mA     | 
- Ich weiß.   | 
Gate-Auslösespannung   | 
0.6  | 
   | 
2.5  | 
V   | 
IH   | 
Haltestrom   | 
10  | 
   | 
250  | 
mA     | 
IL   | 
Haltestrom   | 
   | 
   | 
1000  | 
mA     | 
VGD   | 
Nicht-auslösende Gate-Spannung   | 
VDM=67%VDRM     | 
125  | 
   | 
   | 
0.2  | 
V   | 
Rth(j-c)     | 
Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse   | 
Einseitig gekühlt, pro Chip   | 
   | 
   | 
   | 
0.90  | 
℃  /W  | 
Rth(c-h)     | 
Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper     | 
Einseitig gekühlt, pro Chip   | 
   | 
   | 
   | 
0.15  | 
℃ /W  | 
VISO   | 
Isolationsspannung   | 
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)     | 
   | 
3000  | 
   | 
   | 
V   | 
| 
   
FM  
 | 
Thermische Verbindungsmoment(M5)     | 
   | 
   | 
2.5  | 
   | 
4.0  | 
N·m   | 
Montagedrehmoment (M6)     | 
   | 
   | 
4.5  | 
   | 
6.0  | 
N·m   | 
Fernsehen   | 
Junction-Temperatur   | 
   | 
   | 
-40  | 
   | 
125  | 
℃   | 
Tstg   | 
Lagertemperatur     | 
   | 
   | 
-40  | 
   | 
125  | 
℃   | 
Wt   | 
Gewicht   | 
   | 
   | 
   | 
100  | 
   | 
g     | 
Gliederung     | 
224H3   、224H3B     |