GD400SGU120C2SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =65 o C

542

400

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =150 o C

2840

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

400

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, T vj =25 o C

3.10

3.55

V

I C =400A,V GE =15V, T vj =125 o C

3.95

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =16 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

4.9

5.9

6.9

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.63

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

27.0

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

1.64

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15V…+15V

4.32

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V GE =±15V, L.S. =50 nH ,T vj =25 o C

275

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

455

nS

t k

Herbstzeit

45

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.2

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2.2Ω, V GE =±15V, L.S. =50 nH ,T vj =125 o C

281

nS

t r

Aufstiegszeit

69

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

495

nS

t k

Herbstzeit

57

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

32.9

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

19.9

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2700

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =400A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I K =400A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=5666A/μs,V GE = 15 V, L.S. =50 nH ,T vj =25 o C

42.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

329

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=5534A/μs,V GE = 15 V, L.S. =50 nH ,T vj =125 o C

71.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

382

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

30.0

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.044 0.107

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g