GD400SGU120C2SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C@ T C=65o C

542

400

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =150o C

2840

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

400

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

800

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=400A,V GE =15V, T vj =25o C

3.10

3.55

V

IC=400A,V GE =15V, T vj =125o C

3.95

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=16mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

4.9

5.9

6.9

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

0.63

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

27.0

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

1.64

nF

QG

Gate-Ladung

V GE =-15V…+15V

4.32

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 400A, R G=2.2Ω, V GE =±15V, L.S. =50nH ,T vj =25o C

275

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

455

nS

t f

Herbstzeit

45

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

26.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.2

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 400A, R G=2.2Ω, V GE =±15V, L.S. =50nH ,T vj =125o C

281

nS

t r

Aufstiegszeit

69

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

495

nS

t f

Herbstzeit

57

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

32.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

19.9

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

2700

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =400A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =400A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5666A/μs,V GE = 15 V, L.S. =50nH ,T vj =25o C

42.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

329

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

16.2

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 400A,

-di/dt=5534A/μs,V GE = 15 V, L.S. =50nH ,T vj =125o C

71.9

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

382

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

30.0

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction – bis – Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.044 0.107

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g