GD200HFU120C2S, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C =65 o C

262

200

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

400

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T =150 o C

1315

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

1200

V

I K

Diode kontinuierlich vorwärts rent

200

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

400

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

150

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

o C

T Stg

Lagertemperatur Reichweite

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C

3.00

3.45

V

I C =200A,V GE =15V, T j =125 o C

3.80

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =2.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

4.5

5.4

6.5

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.3

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz,

V GE =0V

13.0

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

0.85

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

2.10

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

87

nS

t r

Aufstiegszeit

40

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

451

nS

t k

Herbstzeit

63

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

6.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

11.9

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =200A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

88

nS

t r

Aufstiegszeit

44

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

483

nS

t k

Herbstzeit

78

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

11.4

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

13.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T j =125 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

1300

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =200A,V GE =0V,T j =25 o C

1.95

2.40

V

I K =200A,V GE =0V,T j =125 o C

2.00

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25 o C

13.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

236

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.6

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125 o C

23.0

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

269

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

30

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.095

0.202

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Gehäuse zu Kühlkörper (p er Diode)

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.029

0.063

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g