GD400HFQ120C2SD,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C

@ T C =100 o C

769

400

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =1 75o C

2272

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t= 1 Minute

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

I C =400A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C =400A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 16,00 mA ,V CE = V GE ,T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus

Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V,

T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

43.2

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.18

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =- 15…+15V

3.36

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, T vj =25 o C

288

nS

t r

Aufstiegszeit

72

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

314

nS

t k

Herbstzeit

55

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

43.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

12.4

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, T vj =125 o C

291

nS

t r

Aufstiegszeit

76

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

351

nS

t k

Herbstzeit

88

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

57.6

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

17.1

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, T vj =150 o C

293

nS

t r

Aufstiegszeit

78

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

365

nS

t k

Herbstzeit

92

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang

Verlust

62.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

18.6

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1500

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =400A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I K =400A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

I K =400A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Wiederhergestellt

Ladevorgang

V R =600V,I K = 400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE =- 15 V, L S =45 nH ,T vj =25 o C

38.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

252

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

11.2

mJ

Q r

Wiederhergestellt

Ladevorgang

V R =600V,I K = 400A,

-di /dt = 3860A/μs, V GE =- 15 V, L S =45 nH ,T vj =125 o C

61.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

255

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.7

mJ

Q r

Wiederhergestellt

Ladevorgang

V R =600V,I K = 400A,

-di /dt = 3720A/μs, V GE =- 15 V, L S =45 nH ,T vj =150 o C

75.9

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

257

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

20.5

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

20

nH

R CC’+EE’

Modulanschlusswiderstand, Terminal zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (pro IGB T)

Junction-to-Case (pro Di ode)

0.066

0.115

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g)

Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode)

Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g