H100ZPU,Gerechtigungsdiode

I _T(AV)

3300Ein

V _RRM

8000V 8500V

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IF(AV)

Mittlerer Vorwärtsstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz doppelseitig gekühlt

TC= 100 ℃

150

3300

Ein

VRRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsspannung

tp=10ms

150

8000

8500

V

IRRM

Wiederholender Spitzenstrom

bei VRRM tp= 10ms

150

300

mA

IFSM

Überspannungsstrom

10ms halbe Sinuswelle. VR=0.6VRRM

150

50

kA

1 t

I2t für Fusionskoordination

12500

10³Ein ²s

VFO

Schwellenspannung

150

0.96

V

rF

Vorwärtssteigungswiderstand

0.24

mΩ

VFM

Spitzenvorwärtsspannung

IFM=5000A, F= 100kN

25

2.10

V

Qrr

Einziehungsgebühr

IFM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V

150

23500

μC

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Bei 180 ° sinus. doppelseitig gekühlt, Klemmkraft 100kN

0.005

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

0.0015

FM

Montagekraft

98

113

kN

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

150

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

160

℃

Wt

Gewicht

2500

g

Gliederung

ZT100dT