GD150HFU120C2SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C = 85 o C

241

150

A

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

300

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T vj =150 o C

1262

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I K

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

A

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

300

A

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =150A,V GE =15V, T vj =25 o C

2.90

3.35

V

I C =150A,V GE =15V, T vj =125 o C

3.60

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =3.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.0

6.1

7.0

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.50

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.60

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A, R G =6,8Ω, Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =25 o C

74

nS

t r

Aufstiegszeit

92

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

401

nS

t k

Herbstzeit

31

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

19.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

3.09

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A, R G =6,8Ω, Ls=48nH, V GE =±15V,T vj =125 o C

61

nS

t r

Aufstiegszeit

95

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

444

nS

t k

Herbstzeit

47

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

22.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

3.99

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

975

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V K

Diodenvorwärts Spannung

I K =150A,V GE =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I K =150A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =150A,

-di/dt=1480A/μs,V GE = 15 V, L.S. =48 nH ,T vj =25 o C

13.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

91

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.01

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I K =150A,

-di/dt=1560A/μs,V GE = 15 V, L.S. =48 nH ,T vj =125 o C

22.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

111

A

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

6.65

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

30

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.35

mΩ

R thJC

Junction -bis zu -Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.099 0.259

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.028 0.072 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht von Modul

300

g