GD400HFU120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

± 20

V

I C

Kollektorstrom @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

660

400

A

I CM (1)

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

I K

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

A

I FM (1)

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

800

A

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j = 150℃

2660

W

T SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =125 ℃

10

μs

T j

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montage-Torque

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5.0

N.M

Montage Schraube:M6

3,0 bis 6.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

T j =25 ℃

1200

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 ℃

400

nA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

I C =4,0 mA ,V CE = V GE , T j =25 ℃

4.4

4.9

6.0

V

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

I C =400A,V GE =15V, T j =25 ℃

3.10

3.60

V

I C =400A,V GE =15V, T j = 125℃

3.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T j =25 ℃

680

nS

t r

Aufstiegszeit

142

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

638

nS

t k

Herbstzeit

99

nS

E auf

Einschaltsteuerung

Verlust

19.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

32.5

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,V GE = ± 15 V, T j = 125℃

690

nS

t r

Aufstiegszeit

146

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

669

nS

t k

Herbstzeit

108

nS

E auf

Einschaltsteuerung

Verlust

26.1

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung

Verlust

36.7

mJ

C ies

Eingangskapazität

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

33.7

nF

C - Die

Ausgangskapazität

2.99

nF

C res

Rückübertragungs-

Kapazität

1.21

nF

I SC

SC-Daten

T P ≤ 10μs,V GE =15 V, T j =25 ℃ ,

V CC =600V, V CEM ≤ 1200V

2600

A

R Gint

Interne Gate-Widerstands tance

0.5

ω

L CE

Streuinduktivität

18

nH

R CC ’+ EE ’

Modulanschlusswiderstand ce, Anschluss zu Chip

T C =25 ℃

0.32

m ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V K

Diodenvorwärts

Spannung

I K =400A

T j =25 ℃

1.95

2.35

V

T j = 125℃

1.85

Q r

Wiederhergestellte Ladung

I K = 400A,

V R = 600 V,

mit einer Breite von mehr als 20 mm, V GE =- 15V

T j =25 ℃

24.1

μC

T j = 125℃

44.3

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

T j =25 ℃

220

A

T j = 125℃

295

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

T j =25 ℃

13.9

mJ

T j = 125℃

24.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

R θ JC

Verbindungen zu Fällen (pro IG) BT)

0.047

K/W

R θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.096

K/W

R θ CS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.035

K/W

G

Gewicht von Modul

350

g