GD400HFU120C2S,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten für die in Absatz 1 genannten Fahrzeuge.

Einheiten

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25℃

@ T C=80℃

660

400

A

ICm (1)

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

800

A

IF

Diode kontinuierlicher Vorwärtsstrom

400

A

IFM (1)

Diode Maximale Vorwärtsleitung rent

800

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j = 150℃

2660

W

T SC

Kurzschluss Widerstandszeit @ T j =125℃

10

μs

T j

Maximale Junction-Temperatur

150

℃

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

℃

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montage-Torque

Schraube für die Antriebsspitze:M6

2,5 bis 5.0

N.M

Montage Schraube:M6

3,0 bis 6.0

N.M

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V (BR )CES

Kollektor-Emitter

Durchschlagsspannung

T j =25℃

1200

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25℃

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom

Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25℃

400

nA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle

Spannung

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T j =25℃

4.4

4.9

6.0

V

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter

Sättigungsspannung

IC=400A,V GE =15V, T j =25℃

3.10

3.60

V

IC=400A,V GE =15V, T j = 125℃

3.45

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,2Ω,V GE =±15 V, T j =25℃

680

nS

t r

Aufstiegszeit

142

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

638

nS

t f

Herbstzeit

99

nS

Eein

Einschaltsteuerung

Verlust

19.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

32.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 400A, R G= 2,2Ω,V GE =±15 V, T j = 125℃

690

nS

t r

Aufstiegszeit

146

nS

t d (aus )

Ausschalten Verzögerungszeit

669

nS

t f

Herbstzeit

108

nS

Eein

Einschaltsteuerung

Verlust

26.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung

Verlust

36.7

mJ

Cies

Eingangskapazität

V CE =30V, f=1MHz,

V GE =0V

33.7

nF

C- Die

Ausgangskapazität

2.99

nF

Cres

Rückübertragungs-

Kapazität

1.21

nF

ISC

SC-Daten

T P ≤10μs,V GE =15 V, T j =25℃,

V CC =600V, V CEM ≤1200V

2600

A

R Gint

Interne Gate-Widerstands tance

0.5

ω

LCE

Streuinduktivität

18

nH

R CC ’+EE ’

Modulanschlusswiderstand ce, Anschluss zu Chip

T C=25℃

0.32

m ω

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts

Spannung

IF =400A

T j =25℃

1.95

2.35

V

T j = 125℃

1.85

F r

Wiederhergestellte Ladung

IF = 400A,

V R =600 V,

mit einer Breite von mehr als 20 mm, V GE =- 15V

T j =25℃

24.1

μC

T j = 125℃

44.3

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

T j =25℃

220

A

T j = 125℃

295

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

T j =25℃

13.9

mJ

T j = 125℃

24.8

Symbol

Parameter

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

R θ JC

Verbindungen zu Fällen (pro IG) BT)

0.047

K/W

R θ JC

Verbindung zum Gehäuse (pro D) (in der Regel

0.096

K/W

R θ CS

Gehäuse-zu-Senke (Leitfähige Paste a pplied)

0.035

K/W

G

GEWICHT VON Modul

350

g