TG1800HF17H1-S500,IGBT-Modul,Halbbrücke IGBT,CRRC

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

数值 Wert

einheit Einheit

V CES

集电极 -emitterspeicherspannung

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

V GE = 0V, T C = 25 °C

1700

V

V GES

极 -emitterspeicherspannung

Spannung des Tor-Emitters

T C = 25 °C

± 20

V

I C

集电极电流 (Zusammenfassung von elektrischem Strom)

Sammler-Emitterstrom

T C = 85 °C, T vj max = 175°C

1800

A

I C(PK)

集电极峰值电流

Spitzenstrom des Kollektors

t P =1ms

3600

A

P max

maximale Verlustleistung des Transistors

Max. Transistorenleistungsabbau

T vj = 175°C, T C = 25 °C

9.38

kW

I 2t

diode I 2t wert Diode I 2t

V R =0V, t P = 10ms, T vj = 175 °C

551

kA 2s

V isolierung

绝缘电压 (modul )

Isolation spannung - pro modul

alle Anschlüsse kurzschließen, Spannung zwischen Anschluss und Basisplatte anlegen ( Anschlusskontakt s zu kupferplatte ) Klimaanlage RMS,1 min, 50Hz, T C = 25 °C

4000

V

参数 Symbol

beschreibung

Erklärung

wert Wert

einheit Einheit

kriechstrecke

Schleichentfernung

kontakt -kühler

Terminal zu heizkessel

36.0

mm

kontakt -kontakt

Terminal zu Terminal

28.0

mm

isolationsabstand Bodenfreiheit

kontakt -kühler

Terminal zu heizkessel

21.0

mm

kontakt -kontakt

Terminal zu Terminal

19.0

mm

relativer elektrischer Spurenausfallindex

CTI (Comparative Tracking Index)

400

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

der letzte Wert Min.

typische Werte - Das ist typisch.

maksimalwert Max.

einheit Einheit

R die IGBT

IGBT gehäuse-Wärmeübergangswiderstand

Thermal widerstand – IGBT

16

K / kW

R die Diode

thermischer Widerstand der Diode

Thermal widerstand – Diode

33

K / kW

R die IGBT

kontaktwärmewiderstand (IGBT)

Thermal widerstand –

gehäuse zu Heissleiter (IGBT)

einrichtungstrom 5Nm, wärmeleitpaste 1W/m·K Einheit für die Verwendung in der Maschine

mit montage fett 1W/m·K

14

K / kW

R die Diode

kontaktwärmewiderstand (Diode)

Thermal widerstand –

gehäuse zu Heissleiter (Diode)

einrichtungstrom 5Nm, wärmeleitpaste 1W/m·K Einheit für die Verwendung in der Maschine

mit montage fett 1W/m·K

17

K / kW

T vjop

Arbeitszeit

Betriebstemperatur temperatur

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

diodenchip ( Diode )

-40

150

°C

T stg

storage temperatur

Lagerungstemperaturbereich

-40

150

°C

M

einrichtungstrom

Schraubdrehmoment

für die Montagebefestigung – M5 Montage – M5

3

6

Nm

für die Schaltungsverbindung – M4

Elektrische Anschlüsse – M4

1.8

2.1

Nm

für die Schaltungsverbindung – M8

Elektrische Anschlüsse – M8

8

10

Nm

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

der letzte Wert Min.

typische Werte - Das ist typisch.

maksimalwert Max.

einheit Einheit

R die IGBT

IGBT gehäuse-Wärmeübergangswiderstand

Thermal widerstand – IGBT

16

K / kW

R die Diode

thermischer Widerstand der Diode

Thermal widerstand – Diode

33

K / kW

R die IGBT

kontaktwärmewiderstand (IGBT)

Thermal widerstand –

gehäuse zu Heissleiter (IGBT)

einrichtungstrom 5Nm, wärmeleitpaste 1W/m·K Einheit für die Verwendung in der Maschine

mit montage fett 1W/m·K

14

K / kW

R die Diode

kontaktwärmewiderstand (Diode)

Thermal widerstand –

gehäuse zu Heissleiter (Diode)

einrichtungstrom 5Nm, wärmeleitpaste 1W/m·K Einheit für die Verwendung in der Maschine

mit montage fett 1W/m·K

17

K / kW

T vjop

Arbeitszeit

Betriebstemperatur temperatur

IGBT chip ( IGBT )

-40

150

°C

diodenchip ( Diode )

-40

150

°C

T stg

storage temperatur

Lagerungstemperaturbereich

-40

150

°C

M

einrichtungstrom

Schraubdrehmoment

für die Montagebefestigung – M5 Montage – M5

3

6

Nm

für die Schaltungsverbindung – M4

Elektrische Anschlüsse – M4

1.8

2.1

Nm

für die Schaltungsverbindung – M8

Elektrische Anschlüsse – M8

8

10

Nm

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

der letzte Wert Min.

typische Werte - Das ist typisch.

maksimalwert Max.

einheit Einheit

R 25

nennwiderstandswert

Nennwert widerstand

T C = 25 °C

5

kΩ

△ R /R

R100 abweichung

Abweichung von R100

T C = 100 °C, R 100=493Ω

-5

5

%

P 25

dissipationsleistung

Leistungsverlust

T C = 25 °C

20

mW

B 25/50

- Ich weiß. wert

B-Wert

R 2 = R 25exp [B 25/50 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3375

K

B 25/80

- Ich weiß. wert

B-Wert

R 2 = R 25exp [B 25/80 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3411

K

B 25/100

- Ich weiß. wert

B-Wert

R 2 = R 25exp [B 25/100 (1/T 2 - 1/(298.15 K))]

3433

K

符号 Symbol

参数名称 Parameter

条件

Prüfbedingungen

der letzte Wert Min.

typische Werte - Das ist typisch.

maksimalwert Max.

einheit Einheit

I CES

集电极截止电流 (Zusammenfassung des Stromstroms)

Sammler-Abschlusstrom

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =150 °C

40

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T vj =175 °C

60

mA

I GES

极漏电流 (极) 极leckstrom

Tor leckstrom

V GE = ±20V, V CE = 0V

0.5

μA

V GE (TH)

极 -发射极值电压 Schrankschwellenspannung

I C = 60mA, V GE = V CE

5.1

5.7

6.3

V

V CE (gesättigt) (b)

集电极 - und Stromdruck

Sättigung des Sammler-Emitters

spannung

V GE =15V, I C = 1800A

1.70

V

V GE =15V, I C = 1800A, T vj = 150 °C

2.10

V

V GE =15V, I C = 1800A, T vj = 175 °C

2.15

V

I K

2D-Rohr direktstrom Diodenvorwärtsstrom

DC

1800

A

I FRM

2°-Rohrrichtung Diode spitzenvorwärtsstrom nt

t P = 1 ms

3600

A

V K (b)

2 ̊-Rohrrichtung

Diodenvorwärtsspannung

I K = 1800A, V GE = 0

1.60

V

I K = 1800A, V GE = 0, T vj = 150 °C

1.75

V

I K = 1800A, V GE = 0, T vj = 175 °C

1.75

V

I SC

kurzschlussstrom

Kurzschluss aktuell

T vj = 175°C, V CC = 1000V, V GE ≤ 15 V, t p ≤ 10μs,

V CE(max) = V CES – L (b) ×di/dt, IEC 60747-9

7400

A

C ies

Input-Kapazität

Eingangskapazität

V CE = 25 V, V GE = 0V, k = 100 KHz

542

nF

Q g

极电荷

Gate-Ladung

±15V

23.6

μC

C res

gegenseitige Übertragungskapazität

Rückwärtsübertragungs-Kapazität

V CE = 25 V, V GE = 0V, k = 100 KHz

0.28

nF

L sCE

modul-Streuinduktivität

Modul Streu inducta nce

8.4

nH

R CC ’+ EE ’

modullangleitungswiderstand, Anschlüsse -chip M modulkontakt widerstand, anschluss-Chip

pro Schalter

pro Schalter

0.20

mΩ

R Gint

interner Gitterwiderstand

Interner Gate widerstand

1

ω

符号 Symbol

参数名称 Parameter

测试条件

Prüfbedingungen

der letzte Wert Min.

typische Werte - Das ist typisch.

maksimalwert Max.

einheit Einheit

t d ((aus)

ausschaltverzögerung

Verzögerungszeit für die Abschaltung

I C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15 V, R G ((OFF) = 0,5Ω, L S = 25nH,

d v ⁄dt =3800V⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

1000

nS

T vj = 150 °C

1200

T vj = 175 °C

1250

t k

- Ich bin nicht sicher. Herbstzeit

T vj = 25 °C

245

nS

T vj = 150 °C

420

T vj = 175 °C

485

E Aus

abschaltverluste

Energieverlust bei Abschaltung

T vj = 25 °C

425

mJ

T vj = 150 °C

600

T vj = 175 °C

615

t (Das ist ein

开通延迟时间

Verzögerungszeit der Einleitung

I C =1800A,

V CE = 900V,

V GE = ± 15 V, R G ((ON) = 0,5Ω, L S = 25nH,

d i ⁄dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

985

nS

T vj = 150 °C

1065

T vj = 175 °C

1070

t r

aufstieg Aufstiegszeit

T vj = 25 °C

135

nS

T vj = 150 °C

205

T vj = 175 °C

210

E Auf

开通损耗

Schaltenergie verlust

T vj = 25 °C

405

mJ

T vj = 150 °C

790

T vj = 175 °C

800

Q rR

2D-Rohr umgekehrter Rückschubstrom Diode umgekehrt

einziehungsgebühr

I K =1800A, V CE = 900V,

- Das ist... i K /dt = 8500A⁄μs (T vj = 150 °C).

T vj = 25 °C

420

μC

T vj = 150 °C

695

T vj = 175 °C

710

I rR

2D-Rohr umgekehrter Rücklaufstrom Diode umgekehrt

rückgewinnungsstrom

T vj = 25 °C

1330

A

T vj = 150 °C

1120

T vj = 175 °C

1100

E erklärungen

2D-Rohrrückstand Diode umgekehrt

energiewiederherstellung

T vj = 25 °C

265

mJ

T vj = 150 °C

400

T vj = 175 °C

420