GD150PIY120C6SN, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

292

150

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

300

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

1111

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

300

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1600

V

IO

Durchschnittlicher Ausgangsstrom 5 0Hz/60Hz, Sinuswelle

150

A

IFSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-Wert,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

200

100

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

200

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T j =175o C

833

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

50

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

100

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Wicklungstemperatur (Wechselrichter, Bremse) Maximale Wicklungstemperatur (Rechteckwellenrichter)

175

150

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=150A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=150A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=150A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=6.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.0

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

15.5

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.44

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.17

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

96

nS

t r

Aufstiegszeit

30

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

255

nS

t f

Herbstzeit

269

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

8.59

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.3

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125o C

117

nS

t r

Aufstiegszeit

37

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

307

nS

t f

Herbstzeit

371

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

13.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.8

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=150A, R G=1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150o C

122

nS

t r

Aufstiegszeit

38

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

315

nS

t f

Herbstzeit

425

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

14.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

18.1

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

600

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.25

V

IF =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE =-15V T j =25o C

8.62

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

177

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.68

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE =-15V T j =125o C

16.7

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

191

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.2

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE =-15V T j =150o C

19.4

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

196

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

12.1

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IC=150A, T j =150o C

1.00

V

IR

Rückstrom

T j =150o C,V R =1600V

3.0

mA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=100A,V GE =15V, T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V GE =15V, T j =125o C

1.95

IC=100A,V GE =15V, T j =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=4.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

7.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

10.4

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.29

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.08

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=100A, R G=1,6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

170

nS

t r

Aufstiegszeit

32

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

360

nS

t f

Herbstzeit

86

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

5.90

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.05

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=100A, R G=1,6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

180

nS

t r

Aufstiegszeit

42

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

470

nS

t f

Herbstzeit

165

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

9.10

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.35

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=100A, R G=1,6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

181

nS

t r

Aufstiegszeit

43

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

480

nS

t f

Herbstzeit

186

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

10.0

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

10.5

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

400

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =50A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =50A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =50A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =25o C

6.3

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

62

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.67

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =125o C

10.1

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

69

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.94

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =150o C

11.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

72

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.63

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

40

nH

R CC’+EE’ R AA ’+CC ’

Modulanschlusswiderstand nce,Aanschluss zu Chip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT – wechselrichter ) Verbindungshalter-zu-Gehäuse (pro DIODE-Wandler er) Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-Rektif zier) Junction – nach – Fall (proIGBT – bremse )

Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-br eak)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

R thCH

Fall – nach – Heizkessel (proIGBT – wechselrichter )Gehäuse-Wärmeleiter (pro Diode-i nverter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-re ktifier) Fall – nach – Heizkessel (proIGBT – bremse )

Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Dio de-bremse) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

M

Montagedrehmoment, Schraube: M5

3.0

6.0

N.M