GD150PIY120C6SN, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

292

150

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

300

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

1111

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

300

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1600

V

I O

Durchschnittlicher Ausgangsstrom 5 0Hz/60Hz, Sinuswelle

150

Ein

I FSM

Überspannungs-Vorwärtsstrom t p =10ms @ T j =2 5o C @ T j =150 o C

1600

1400

Ein

I 2t

I 2t-Wert,t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 o C

13000

9800

Ein 2s

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I C

Kollektorstrom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

200

100

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

200

Ein

P D

Maximalleistung Ablösung @ T j =175 o C

833

W

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

50

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

100

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Wicklungstemperatur (Wechselrichter, Bremse) Maximale Wicklungstemperatur (Rechteckwellenrichter)

175

150

o C

T - Was ist los?

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =150A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =150A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =150A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =6.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.0

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

15.5

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.44

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

1.17

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

96

nS

t r

Aufstiegszeit

30

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

255

nS

t f

Herbstzeit

269

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

8.59

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

12.3

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

117

nS

t r

Aufstiegszeit

37

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

307

nS

t f

Herbstzeit

371

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

13.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

16.8

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =150A, R G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

122

nS

t r

Aufstiegszeit

38

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

315

nS

t f

Herbstzeit

425

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

14.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

18.1

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

600

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =150A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.25

V

I F =150A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.90

I F =150A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

8.62

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

177

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.68

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

16.7

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

191

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

19.4

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

196

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

12.1

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I C =150A, T j =150 o C

1.00

V

I R

Rückstrom

T j =150 o C,V R =1600V

3.0

mA

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C =100A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

2.15

V

I C =100A,V GE =15V, T j =125 o C

1.95

I C =100A,V GE =15V, T j =150 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C =4.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

7.5

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

10.4

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.29

nF

Q G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

0.08

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

170

nS

t r

Aufstiegszeit

32

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

360

nS

t f

Herbstzeit

86

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

5.90

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

6.05

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V GE =±15V, T j =125 o C

180

nS

t r

Aufstiegszeit

42

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

470

nS

t f

Herbstzeit

165

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

9.10

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

9.35

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C =100A, R G =1,6Ω,V GE =±15V, T j =150 o C

181

nS

t r

Aufstiegszeit

43

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

480

nS

t f

Herbstzeit

186

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

10.0

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

10.5

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤ 1200 V

400

Ein

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F =50A,V GE =0V,T j =25 o C

1.85

2.30

V

I F =50A,V GE =0V,T j =125 o C

1.90

I F =50A,V GE =0V,T j =150 o C

1.95

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =25 o C

6.3

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

62

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

1.67

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =125 o C

10.1

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

69

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

2.94

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V T j =150 o C

11.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

72

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

3.63

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

40

nH

R CC’+EE’ R AA ’+ CC ’

Modulanschlusswiderstand nce,Aanschluss zu Chip

4.00 3.00

mΩ

R thJC

Junction -um -Fall (proIGBT -wechselrichter ) Verbindungshalter-zu-Gehäuse (pro DIODE-Wandler er) Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-Rektif zier) Junction -um -Fall (proIGBT -bremse )

Gehäuse-Gehäuse (pro Diode-br eak)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

R thCH

Fall -um -Heizkessel (proIGBT -wechselrichter )Gehäuse-Wärmeleiter (pro Diode-i nverter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-re ktifier) Fall -um -Heizkessel (proIGBT -bremse )

Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Dio de-bremse) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

M

Montagedrehmoment, Schraube: M5

3.0

6.0

N.M