GD600HTA120P6HT,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

Ich CN

Implementierter Sammler Cu rrent

600

A

Ich C

Kollektorstrom @ T F =90o C

450

A

Ich Cm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

A

PD

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =75o C T j =175o C

1075

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE

1200

V

Ich FN

Implementierter Sammler Cu rrent

600

A

Ich F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

Ich FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 minute

2500

V

d Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

9.0 9.0

mm

d Durchsichtig

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

Ich C= 450 A, V GE =15V, T j =25o C

1.40

V

Ich C= 450 A, V GE =15V, T j =150o C

1.65

Ich C= 450 A, V GE =15V, T j =175o C

1.70

Ich C= 600 A, V GE =15V, T j =25o C

1.60

Ich C= 600 A, V GE =15V, T j =150o C

1.90

Ich C= 600 A, V GE =15V, T j =175o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

Ich C=15.6mA ,V CE =V GE , T j =25o C

6.4

V

Ich CES

Sammler Geschnitten -Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

Ich GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.67

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

81.2

nF

C- Die

Ausgangskapazität

1.56

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.53

nF

F G

Gate-Ladung

V CE =600V,I C =600A, V GE =-8...+15V

5.34

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, LS =22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =25o C

290

nS

t r

Aufstiegszeit

81

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

895

nS

t f

Herbstzeit

87

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

53.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

47.5

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, LS =22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =150o C

322

nS

t r

Aufstiegszeit

103

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1017

nS

t f

Herbstzeit

171

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

84.2

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

63.7

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C= 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, LS =22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =175o C

334

nS

t r

Aufstiegszeit

104

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1048

nS

t f

Herbstzeit

187

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

89.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

65.4

mJ

Ich SC

SC-Daten

t P≤6μs, V GE =15V,

2000

A

T j =175o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

Ich F = 450 A, V GE =0V,T j =25o C

1.80

V

Ich F = 450 A, V GE =0V,T j =150o C

1.75

Ich F = 450 A, V GE =0V,T j =175o C

1.70

Ich F = 600 A, V GE =0V,T j =25o C

1.95

Ich F = 600 A, V GE =0V,T j =150o C

1.95

Ich F = 600 A, V GE =0V,T j =175o C

1.90

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=7040A/μs,V GE = 8V LS =22nH ,T j =25o C

22.5

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

304

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.8

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=5790A/μs,V GE = 8V LS =22nH ,T j =150o C

46.6

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

336

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.2

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=5520A/μs,V GE = 8V LS =22nH ,T j =175o C

49.8

μC

Ich RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

346

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

p

Maximaler Druck im Kühlsystem aussehen

2.5

stab

R die

Junction -bis -Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △V/ △t=10,0 dm 3/minute ,T F =75o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht aus Modul

750

g