GD600HTA120P6HT,IGBT-Modul,STARPOWER

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

I CN

Implementierter Sammler Cu rrent

600

Ein

I C

Kollektorstrom @ T F =90 o C

450

Ein

I CM

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1200

Ein

P D

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F = 75 o C T j =175 o C

1075

W

Symbol

Beschreibung

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholungspegel umgekehrter Spannung gE

1200

V

I FN

Implementierter Sammler Cu rrent

600

Ein

I F

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

Ein

I FM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1200

Ein

Symbol

Beschreibung

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10er innerhalb eines Zeitraums 30er Jahre, Vorfall maximal 3000 Mal über die Lebensdauer ich

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

d Kriechen

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

9.0 9.0

mm

d Klar

Terminal zur Heatsink Terminal zu Terminal

4.5 4.5

mm

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

I C = 450 A, V GE =15V, T j =25 o C

1.40

V

I C = 450 A, V GE =15V, T j =150 o C

1.65

I C = 450 A, V GE =15V, T j =175 o C

1.70

I C = 600 A, V GE =15V, T j =25 o C

1.60

I C = 600 A, V GE =15V, T j =150 o C

1.90

I C = 600 A, V GE =15V, T j =175 o C

2.00

V GE (th )

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

I C = 15,6 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

6.4

V

I CES

Sammler Schnitt -Aus Aktuell

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

1.67

ω

C ies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=100kHz, V GE =0V

81.2

nF

C - Die

Ausgangskapazität

1.56

nF

C res

Rückübertragungs- Kapazität

0.53

nF

Q G

Gate-Ladung

V CE =600V,I C =600A, V GE =-8...+15V

5.34

μC

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L S =22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =25 o C

290

nS

t r

Aufstiegszeit

81

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

895

nS

t f

Herbstzeit

87

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

53.5

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

47.5

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L S =22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =150 o C

322

nS

t r

Aufstiegszeit

103

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1017

nS

t f

Herbstzeit

171

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

84.2

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

63.7

mJ

t d (auf )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C = 600A,

R Gon =1,0Ω, R Goff = 2,2Ω, L S =22nH,

V GE =-8V/+15V, T j =175 o C

334

nS

t r

Aufstiegszeit

104

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

1048

nS

t f

Herbstzeit

187

nS

E auf

Einschalten Schaltvorgang Verlust

89.8

mJ

E aus

Ausschaltsteuerung Verlust

65.4

mJ

I SC

SC-Daten

t P ≤6μs, V GE =15V,

2000

Ein

T j =175 o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

I F = 450 A, V GE =0V,T j =25 o C

1.80

V

I F = 450 A, V GE =0V,T j =1 50o C

1.75

I F = 450 A, V GE =0V,T j =1 75o C

1.70

I F = 600 A, V GE =0V,T j =25 o C

1.95

I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 50o C

1.95

I F = 600 A, V GE =0V,T j =1 75o C

1.90

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=7040A/μs,V GE = 8V L S = 22 nH ,T j =25 o C

22.5

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

304

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.8

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=5790A/μs,V GE = 8V L S = 22 nH ,T j =150 o C

46.6

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

336

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

18.2

mJ

Q r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F = 600A,

-di/dt=5520A/μs,V GE = 8V L S = 22 nH ,T j =175 o C

49.8

μC

I RM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

346

Ein

E erklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

19.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung von R 100

T C =100 o C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

L CE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

p

Maximaler Druck im Kühlsystem aussehen

2.5

stange

R die

Junction -um -Kühlung Flüssigkeit (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △ V/ △ t=10,0 dm 3/min ,T F = 75 o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht von Modul

750

g