IGBT-Modul, GD950HTX75P6HBT Starpower

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

750

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

ICN

Implementierter Sammler Cu rrent

950

A

IC

Kollektorstrom @ T F =110o C

450

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

1900

A

PD

Maximale Leistungsauslagerung ation @ T F =75o C T j =175o C

1162

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Werte

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

750

V

IFN

Implementierter Sammler Cu rrent

950

A

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

450

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

1900

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T jmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T - Was ist los?

Betriebsspaltentemperatur kontinuierlich

Für 10 Sekunden innerhalb eines Zeitraums von 30s, Auftreten maximal 3000-mal im Lebenszyklus

-40 bis +150 +150 bis +175

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t=1 mINUTE

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC= 450 A, V GE =15V, T j =25o C

1.25

1.50

V

IC= 450 A, V GE =15V, T j =150o C

1.35

IC= 450 A, V GE =15V, T j =175o C

1.40

IC=950A,V GE =15V, T j =25o C

1.60

IC=950A,V GE =15V, T j =175o C

2.05

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.7

7.0

V

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T j =175o C

3.5

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerstand

0.7

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =50V, f=100kHz, V GE =0V

42.1

nF

C- Die

Ausgangskapazität

1.80

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

1.18

nF

QG

Gate-Ladung

V CE =400V,I C =450A, V GE =-8...+15V

3.01

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A, R G= 2,4Ω, LS =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =25o C

126

nS

t r

Aufstiegszeit

62

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

639

nS

t f

Herbstzeit

149

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

17.3

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

25.4

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A, R G= 2,4Ω, LS =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =150o C

136

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

715

nS

t f

Herbstzeit

221

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

22.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

31.0

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =400V,I C= 450 A, R G= 2,4Ω, LS =24nH V GE =-8V/+15V,

T j =175o C

138

nS

t r

Aufstiegszeit

68

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

739

nS

t f

Herbstzeit

227

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

24.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

32.6

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤6μs, V GE =15V,

5100

A

T j =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

t P≤3μs, V GE =15V,

T j =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF = 450 A, V GE =0V,T j =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450 A, V GE =0V,T j =150o C

1.35

IF = 450 A, V GE =0V,T j =175o C

1.30

IF =950A,V GE =0V,T j =25o C

1.75

IF =950A,V GE =0V,T j =175o C

1.75

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=7070A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =25o C

16.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

254

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

5.03

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6150A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =150o C

36.0

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

320

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

9.49

mJ

Qr

Wiederhergestellte Ladung

V R =400V,I F = 450 A,

-di/dt=6010A/μs,V GE = 8V LS =24nH ,T j =175o C

40.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

338

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

10.5

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

8

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

0.75

mΩ

p

Maximaler Kühldruck schönheit

T ausfallplatte <40o C

T ausfallplatte 40o C

(relativer Druck)

2.5 2.0

stab

R die

Junction – bis – Kühlung Wasser (proIGBT )Junction-to-Cooling Fluid (per D (in der Regel △V/ △t=10,0 dm 3/mINUTE ,T F =75o C

0.075 0.118

0.086 0.136

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.M

G

Gewicht aus Modul

750

g