GD300MPX120C6SA, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

ICRM

Repetitive Höhepunkt Sammler Aktuell tp eingeschränkt von T vjop

600

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =175o C

1530

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp eingeschränkt von T vjop

600

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

300

A

IFRM

Repetitive Höhepunkt Vorwärts Aktuell tp eingeschränkt von T vjop

600

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

175

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +150

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=300A,V GE =15V, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V GE =15V, T vj =125o C

1.95

IC=300A,V GE =15V, T vj =150o C

2.00

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=12.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

2.5

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V

31.1

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.87

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15 ...+15V

2.33

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=2,4Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =25o C

215

nS

t r

Aufstiegszeit

53

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

334

nS

t f

Herbstzeit

205

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

21.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

20.7

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=2,4Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =125o C

231

nS

t r

Aufstiegszeit

59

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

361

nS

t f

Herbstzeit

296

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

30.1

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

28.1

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=300A, R G=2,4Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =150o C

240

nS

t r

Aufstiegszeit

62

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

376

nS

t f

Herbstzeit

311

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

32.9

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

29.9

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

1200

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2937A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.3

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

235

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

15.7

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2720A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =125o C

61.3

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

257

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

27.5

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=2616A/μs, Ls=70nH, V GE =-15V,T vj =150o C

68.8

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

262

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

30.8

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheiten

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =300A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=5683A/μs, Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =25o C

36.2

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

290

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

13.4

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =125o C

56.6

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

301

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

22.2

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V GE =-15V,T vj =150o C

65.9

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

306

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

26.3

mJ

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R 25

Nennwiderstand

5.0

kΩ

∆R/R

Abweichung aus R 100

T C=100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

Leistung

Abgabe

20.0

mW

B 25/50

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/50(1/T 2– 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/80(1/T 2– 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-Wert

R 2=R 25exp [B 25/100(1/T 2– 1/(298.15K))]

3433

K

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

LCE

Streuinduktivität

35

nH

R CC’+EE’

Modulleiterwiderstand Anschluss zu Chip

1.45

mΩ

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT – wechselrichter ) Gehäuse-Temperatur (pro Diode-Inverter er) Gehäuse-Temperatur (pro Diode-3-Stu fen)

0.098 0.176 0.176

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro IGBT-In verter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-i nverter) Gehäuse-zu-Wärmeableiter (pro Diode-3- ebene) Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro Modul)

0.033 0.059 0.059 0.009

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M6 Montagedrehmoment, Schraube M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

350

g