IGCT,Asymmetrisches IGCT-Gerät,SC3.CRC 2200-45,CCRC ,Rückwärts leitend

V _DRM

4500

V

I _TGQM

2200

A

I _TSM

20

kA

V Bis zu

1.31

V

r _T

0.373

mΩ

V _DClink

2800

V

符号

参数名称

minimal

typisch

maximal

einheit

K

festigkeitskraft

36

40

44

kN

D p

tischdurchmesser

-

85

-

mm

H

gehäusehöhe

-

26

-

mm

m

qualität

-

2.8

-

kg

D s

kriechstrecke

33

-

-

mm

D a

entladeabstand

10

-

-

mm

I

IGCT länge

-

439

-

mm

h

IGCT höhe

-

41

-

mm

w

IGCT 宽度

-

174

-

mm

zeichen nummer

参 anzahl name bezeichnung

artikel stück

minimal klein

typisch modell

minimal groß

单 位

V DRM

durchbruchswiederholspitzenspannung

gate-Einheit unter Spannung , T VJ = 125°C, I D ≤ I DRM, t p = 10ms

-

-

4500

V

I DRM

durchbruchswiederholspitzenstrom

gate-Einheit unter Spannung , T VJ = 125°C, V D = V DRM, t p = 10ms

-

-

50

mA

V DClink

zwischen-Gleichstromspannung

gate-Einheit unter Spannung , 100FIT zulässige Zwischen-Gleichstromspannung bei Ausfallrate

-

-

2800

V

V RRM

rückwärts-Spannung

/

-

-

17

V

zeichen nummer

参 anzahl name bezeichnung

artikel stück

minimal klein

typisch modell

minimal groß

单 位

I T(AV) I T(RMS)

durchschnittlicher Strom im Einschaltzustand

effektivwertstrom im Einschaltzustand

T C = 85°C, zwei- oder Vier-Strahler , doppelseitige Kühlung

-

-

-

-

1130

1800

A

A

I TSM

I 2t

nicht wiederholbarer Einschaltstrom

stromquadrat-Zeit-Produkt

T Vj =

125°C, zwei- oder Vier-Strahler , 10 ms, V D = V R = 0

-

-

-

-

20

200

kA

104A2s

V TM

einschaltspannung

T Vj =

125°C, I T = 2200A

-

-

2.24

V

V Bis zu

r T

schwellenspannung

steigungswiderstand

T Vj =

125°C, I T = 400…3000A

-

-

-

-

1.31

0.373

V

mΩ

zeichen nummer

参 anzahl name bezeichnung

artikel stück

minimal klein

typisch modell

minimal groß

单 位

d i T /dt

kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

T Vj = 125°C, I T = 2200A, V D = 2800V,

k = 0..500Hz, I TM ≤ 2640A, DCL=SF4.FYX 1100-45

-

-

650

A/μs

t ich bin nicht der Richtige.

开通延迟时间

-

3

μs

t donSF

einschalt-Rückkopplungsverzögerungszeit

T Vj = 125°C, I T = 2200A, V D = 2800V,

CCL = 10μF, d i /dt = V D/Li, RS = 0.4Ω,

-

-

7

μs

t r

anoden-Spannungsabfallzeit

L i = 3μH, L CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

E auf

einzelimpulsöffnungsenergie

-

-

0.9

J

zeichen nummer

参 anzahl name bezeichnung

artikel stück

minimal klein

typisch modell

minimal groß

单 位

I TGQM

maximaler abschaltbarer Strom

T VJ = 125°C, V Dm ≤ V DRM, V D = 2800V, L CL ≤ 0.3μH, C CL = 10μF, R S = 0.4Ω, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

2200

A

t doff

ausschaltverzögerung

-

-

7

μs

t doffSF

abschaltfeedbackverzögerungszeit

T Vj = 125°C, I TGQ = 2200A, V D = 2800V,

V Dm ≤ V DRM, C CL = 10μF, R S = 0.4Ω,

-

-

7

μs

t k

- Ich bin nicht sicher.

L i = 3μH, L CL = 0.3μH, DCL = SF4.FYX 1100-45

-

-

1

μs

E aus

einzelimpulsabschaltenergie

-

-

12

J

zeichen nummer

参 anzahl name bezeichnung

artikel stück

minimal klein

typisch modell

minimal groß

单 位

I F(AV)

I K (RMS )

vorwärtsdurchschnittsstrom

T C = 85°C , zwei- oder Vier-Strahler

-

-

405

A

vorwärtsquadratischer Mittelwertstrom

-

-

635

A

I FSM

I 2t

einschaltstrom

stromquadrat-Zeit-Produkt

t p = 10ms, T VJ = 125°C, V R = 0V

-

-

11

kA

-

-

60.5

104A2s

V K

einschaltspannung

I F = 2200A, T VJ = 125°C

-

-

3.93

V

V (F0)

r K

schwellenspannung

steigungswiderstand

T VJ = 125°C, I F = 400...3000A

-

-

2.32

V

-

-

0.735

mΩ

zeichen nummer

参 anzahl name bezeichnung

artikel stück

minimal klein

typisch modell

minimal groß

单 位

V FR

vorwärtswiederherstellungs-Spitzenspannung

d i F/d t = 650A/μs, T VJ = 125°C

-

-

80

V

zeichen nummer

参 anzahl name bezeichnung

artikel stück

minimal klein

typisch modell

minimal groß

单 位

T Vj

betriebstemperaturbereich

0

-

125

℃

T Stg

lagertemperaturbereich

/

0

-

60

℃

T AMB

umgebungstemperaturbereich

0

-

50

℃

GCT R thJC GCT

gehäuse-Wärmeübergangswiderstand

kontaktwärmewiderstand

doppelseitige Kühlung

-

-

-

-

0.0126

0.0042

K/W

K/W

FRD R thJC FRD

gehäuse-Wärmeübergangswiderstand

kontaktwärmewiderstand

doppelseitige Kühlung

-

-

-

-

0.0260

0.0104

K/W

K/W