GD150HFU120C8SD, IGBT-Modul, STARPOWER

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V CES

Spannung zwischen Kollektor und Emitter

1200

V

V GES

Spannung des Tor-Emitters

±20

V

IC

Kollektorstrom @ T C=25o C@ T C=85o C

238

150

A

ICm

Pulsierter Kollektorstrom t p =1ms

300

A

PD

Maximalleistung Ablösung @ T vj =150o C

1237

W

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

V RRM

Wiederholte Spitzenrückwärtsvolt alter

1200

V

IF

Dioden kontinuierlicher Vorwärtsstrom rrent

150

A

IFM

Diodenmaximaler Vorwärtsstrom t p =1ms

300

A

Symbol

BESCHREIBUNG

Wert

Einheit

T vjmax

Maximale Junction-Temperatur

150

o C

T vjop

Betriebstemperatur der Sperrschicht

-40 bis +125

o C

T Stg

Lagerungstemperaturbereich

-40 bis +125

o C

V ISO

Isolationsspannung RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V CE(sat)

Kollektor zu Emitter Sättigungsspannung

IC=150A,V GE =15V, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V GE =15V, T vj =125o C

3.60

V GE (th)

Gate-Emitter-Schwelle Spannung

IC=3.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Sammler Geschnitten – Aus Aktuell

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Gate-Emitter-Leckstrom Aktuell

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interner Gate-Widerst and

1.50

ω

Cies

Eingangskapazität

V CE =30V, f=1MHz, V GE =0V

19.2

nF

Cres

Rückübertragungs- Kapazität

0.60

nF

F G

Gate-Ladung

V GE =-15…+15V

1.83

μC

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=150A, R G=6,8Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =25o C

183

nS

t r

Aufstiegszeit

73.8

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

438

nS

t f

Herbstzeit

33.0

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

12.8

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

5.31

mJ

t d (ein )

Verzögerungszeit der Einleitung

V CC =600V,I C=150A, R G=6,8Ω, Ls=35nH, V GE =±15V,T vj =125o C

185

nS

t r

Aufstiegszeit

74

nS

t d ((aus)

Ausschalten Verzögerungszeit

476

nS

t f

Herbstzeit

44.5

nS

Eein

Einschalten Schaltvorgang Verlust

15.5

mJ

Eaus

Ausschaltsteuerung Verlust

7.74

mJ

ISC

SC-Daten

t P≤10μs, V GE =15V,

T vj =125o C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200 V

975

A

Symbol

Parameter

Prüfbedingungen

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

V F

Diodenvorwärts Spannung

IF =150A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2232A/μs, Ls=35nH, V GE = 15 V, T vj =25o C

11.9

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

113

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

4.02

mJ

F r

Wiederhergestellte Ladung

V R =600V,I F =150A,

-di/dt=2118A/μs, Ls=35nH, V GE = 15 V, T vj =125o C

22.5

μC

IRM

Spitzenrückwärts

Rückgewinnungsstrom

139

A

Eerklärungen

Rückwärtswiederherstellung Energie

8.58

mJ

Symbol

Parameter

Min.

- Das ist typisch.

Max.

Einheit

R thJC

Junction – nach – Fall (proIGBT ) Junction-to-Case (pro Di ode)

0.101 0.257

K/W

R thCH

Gehäuse-zu-Kühlkörper (pro (g) Hülle-zu-Wärmeschlauch (pe) r Diode) Hülle-Wärmeschlauch (pro M) (siehe auch

0.028 0.071 0.010

K/W

M

Anschlussdrehmoment, Schraube M5 Montagedrehmoment, Schraube M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M

G

Gewicht aus Modul

300

g