MTx600 MFx600 MT600, Thyristor/Diodenmodule, Wasserkühlung

VRRM,VDRM

Typ & Umriss

2600V

MTx600-26-411F3

MTx600-26-411F3

2800 V

MT2B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

MT2B1B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2B2

3200 V

MTx600-3 2-411F3

MT3B1B2B2B3

3400V

MTx600-3 4-411F3

MT3B1B2B3

3600 V

MTx600-3 6-411F3

MFx 6- Ich weiß. 34-411F3

3600 V

MTx600-3 6-411F3

MFx 6- Ich weiß. 34-411F3

Symbol

Eigenschaften

Prüfbedingungen

Tj( ℃ )

Wert

Einheit

Min

TYP

Max

IT(AV)

Mittlerer Einschaltstrom

180° halbe Sinuswelle 50Hz

Einseitig gekühlt, THS=55 ℃

125

600

Ein

IT(RMS)

RMS Durchlassstrom

942

Ein

Ich bin hier

Wiederholender Spitzenstrom

bei VDRM bei VRRM

125

55

mA

ITSM

Überschuss-Einschaltstrom

VR=60%VRRM, t= 10 ms halbes Sinus

125

14.0

kA

I ²t

I2t für Fusionskoordination

125

980

10³Ein ²s

VTO

Schwellenspannung

125

1.02

V

rT

Einschaltsteigungswiderstand

0.70

mΩ

VTM

Spitzeneinschaltspannung

ITM= 1800A

25

2.95

V

dv/dt

Kritische Steigrate der Ausschaltspannung

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Kritische Anstiegsrate des Einschaltstroms

Gate-Source 1.5A

tr ≤0.5μs Wiederholend

125

200

A/μs

IGT

Gate-Auslöseström

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

- Ich weiß.

Gate-Auslösespannung

0.8

3.0

V

IH

Haltestrom

10

200

mA

IL

Haltestrom

1000

mA

VGD

Nicht-auslösende Gate-Spannung

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Thermischer Widerstand Verbindung zu Gehäuse

Einseitig gekühlt pro Chip

0.054

℃ /W

Rth(c-h)

Wärmeleitfähigkeit Gehäuse zu Kühlkörper

Einseitig gekühlt pro Chip

0.024

℃ /W

VISO

Isolationsspannung

50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso:1mA(MAX)

4000

V

FM

Drehmoment der Endverbindung ((M12)

12

16

N·m

Das Drehmoment für die Montage ((M8)

10

12

N·m

Fernsehen

Junction-Temperatur

-40

125

℃

Tstg

Lagertemperatur

-40

125

℃

Wt

Gewicht

3230

g

Gliederung

411F3