Tüm Kategoriler
Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

SiC Modülü

SiC Modülü

Ana Sayfa /  Ürünler /  SiC /  SiC Modülü

SCE400N1200EK6B, SiC Modülü, Altılı Paket (Üç Fazlı)

1200 V, 400 A, 4 mΩ
Brand:
SCE
Spu:
SCE900N1200ED
Appurtenance:

Ürün Broşürü:İndir

  • Giriş
  • Boyutlar
  • DEVRE
Giriş

EK6 Serisi Silisyum Karbür (SiC) Güç Modülleri EK6(1).png

  1. Maksimum çalışma eklem sıcaklığı: 175 ℃;

  2. Yüksek güç yoğunluğu ve düşük anahtarlama kayıpları;

  3. Yüksek sıcaklık ve yüksek frekans uygulamalarına uygundur;

  4. Parametre aralığı:

    • V Ds : 650–1700 V

    • B D : 100–400 A

    • Çubuk DS(on) : 2,5–26 mΩ

EK6 serisi ürün listesi

Ürün stok kodu VDS RDS(on) @25 °C ID
SCE400N1200EK6B 1200V 4 mΩ 400A
SCE 300N1200EK6 1200V 5,3 mΩ 300A
SCE 300N1200EK6B 1200V 5,3 mΩ 300A
SCE 200N1200EK6 1200V 8 mΩ 200A
SCE 100N1200EK6 1200V 16 mΩ 100A
SCE 100N1200EK6B 1200V 16 mΩ 100A
SCE 200N1700EK6 1700V 13 mΩ 200A
SCE 200N1700EK6F 1700V 13 mΩ 200A



SCE400N1200EK6B
SiC Modülü, Altı Paket (Üç Fazlı)
SCE-MEK6 modülü, SCE'nin 1200 V’lik Üçüncü Nesil N-kanallı SiC MOSFET’ini içerir. İçinde NTC sıcaklık sensörü bulunur

Özellikler

  • Yüksek akım yoğunluğu
  • Düşük Endüktif Tasarım
  • Düşük değişim kayıpları
  • Yüksek frekanslı çalışma
  • MOSFET’ten Kaynaklanan Kapama Sonrası Kuyruk Akımı Yoktur
  • Normalde Kapalı, Güvenli Arıza İşletimi

Uygulamalar

  • Yüksek Frekanslı Anahtarlama Uygulaması
  • DC/DC dönüştürücü
  • Ev için dc şarj cihazı
  • Kaynaklama

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

V Ds

Drain-Source gerilimi

-

-

1200

V

V GS

Kapı-Kaynak Gerilimi

-10

-

+22

V

B DC

Sürekli DC Boşaltım Akımı

-

400

-

Bir

B DRM

Tekrarlayan zirve Akıntı Cu kiralık

-

800

-

Bir

T op ; T sTG

Çalışma ve depolama sıcaklığı aralığı

-40

-

+150

C

L Sızıntı

Savrulan endüktansa

-

-

20

nH

V i̇zol

İzolasyon Test Gerilimi (f=50 Hz; t =1 dakika)

-

3.0

-

kV

M

Modül Montajı İçin Montaj Torku Vurulmuş📌 M5

3.0

-

6.0

Nm

G

Ağırlık

-

300

-

g

Çubuk th JC

Isıya dayanıklı Direnç, Eklem isıtma Yüzeyine

-

0.12

-

C/W

Mutlak Maksimum Değerlendirmeler (at T C =25°C tabii ki aksi takdirde belirtildi )

Sembolik

Parametre

Min.

Tipik.

Max.

Birim

VDS

Drain-Source gerilimi

-

-

1200

V

VGs

Kapı-Kaynak Gerilimi

-10

-

+22

V

IDC

Sürekli DC Drain Akımı

-

400

-

Bir

IDRM

Tekrarlayan Tepe Drain Akımı

-

800

-

Bir

Üst; Tstg

Çalışma ve depolama sıcaklığı aralığı

-40

-

+150

C

LStray

Savrulan endüktansa

-

-

20

nH

Visol

İzolasyon Test Gerilimi (f=50 Hz; t=1 dakika)

-

3.0

-

kV

M

Modül Montajı İçin Montaj Torku, M5 Vida

3.0

-

6.0

Nm

G

Ağırlık

-

300

-

g

Rth JC

Termal Direnç, Bağlantı Noktası–Isıtma Yüzeyi

-

0.12

-

C/W

Boyutlar

Package Dimensions (mm).png

DEVRE

Circuit Diagram Headline.png

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

İlgili Ürün

Ürünlerle ilgili sorularınız var mı?

Uzman satış ekibimiz danışmanlık için sabırsızca bekliyor.
Ürün listesini takip edip ilgilendiğiniz soruları sorabilirsiniz.

Teklif Alın

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000

Ücretsiz Teklif Alın

Temsilcimiz kısa süre içinde sizinle iletişime geçecektir.
E-posta
Ad
Şirket Adı
Mesaj
0/1000